廣東肖特基二極管MBR3045CT

    一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復二極管正向壓下降很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷回復時間極短，所以適合工作在高頻狀況下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場上常見的肖特基管結溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結溫越高表示產品抗高溫屬性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效。5、它也有一些缺陷：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時要全盤考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。二、肖特基常見型號封裝圖關于封裝通過型號識別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。型號前面第四個字母B,表示TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:"PT"表示TO-3P封裝，原MOTOROLA（今ON）稱做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見型號及參數1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，普遍應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護二極管采用。MBR40100PT是什么種類的管子？廣東肖特基二極管MBR3045CT

    肖特基二極管和快恢復二極管兩種二極管都是單向導電，可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電，將導致管子嚴重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向壓降低()、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關電源。肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~!前者的優(yōu)點還有低功耗，大電流。 湖北肖特基二極管MBRF2045CT肖特基二極管的封裝有哪些？

    其半導體材質使用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響為RC時間常數限制，因而，它是高頻和迅速開關的完美器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池組或發(fā)光二極管。快恢復二極管：有，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間很快變換，提高了器件的使用頻率并改善了波形?？旎謴投O管在制造工藝上使用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要運用在逆變電源中做整流元件.快回復二極管FRD（FastRecoveryDiode）是近年來問世的新型半導體器件，有著開關特點好，反向回復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡單等優(yōu)點。超快恢復二極管SRD（SuperfastRecoveryDiode），則是在快回復二極管根基上發(fā)展而成的，其反向回復時間trr值已接近于肖特基二極管的指標。它們可普遍用以開關電源、脈寬調制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電意念變頻調速（VVVF）、高頻加熱等設備中，作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管。

    肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區(qū)別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構成，如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變??；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。 MBRF3045CT是什么類型的管子？

    反向漏電流的組成主要由兩部分：一是來自肖特基勢壘的注入；二是耗盡層產生電流和擴散電流。[2]二次擊穿產生二次擊穿的原因主要是半導體材料的晶格缺陷和管內結面不均勻等引起的。二次擊穿的產生過程是：半導體結面上一些薄弱點電流密度的增加，導致這些薄弱點上的溫度增加引起這些薄弱點上的電流密度越來越大，溫度也越來越高，如此惡性循環(huán)引起過熱點半導體材料的晶體熔化。此時在兩電極之間形成較低阻的電流通道，電流密度驟增，導致肖特基二極管還未達到擊穿電壓值就已經損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。流經二極管的平均電流并未達到二次擊穿的擊穿電壓值，但是功率二極管還是會產生二次擊穿。[2]參考資料1.孫子茭．4H_SiC肖特基二極管的研究：電子科技大學，20132.苗志坤．4H_SiC結勢壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究：哈爾濱工程大學，2013詞條標簽：科學百科數理科學分類。肖特基二極管被廣泛應用于電腦機箱電源上。肖特基二極管MBR3060PT

肖特基二極管和普通整流二極管有哪些不同？廣東肖特基二極管MBR3045CT

    二極管本體2為具有溝槽式的常用肖特基二極管，其會焊接在線路板本體1，以及設置在線路板本體1上的二極管本體2和穩(wěn)定桿6，穩(wěn)定桿6的數量為兩個并以二極管本體2的豎向中軸線為中心左右對稱設置，二極管本體2的外壁套設有半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4，半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4朝向穩(wěn)定桿6的一端設置有導桿31，穩(wěn)定桿6上設置導孔61，導孔61與導桿31滑動套接，導孔61與導桿31的側向截面均為方形狀結構，可以避免半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4在側向方向上產生自轉現象，導桿31上設置有擋塊32，擋塊32可以避免導桿31從導孔61上滑脫，半環(huán)套管3上設置有插塊5，第二半環(huán)套管4上設置有插槽41，插塊5和插槽41插接，半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4的插塊5插接位置設置有插柱7，插柱7的上端設置有柱帽8，插柱7的數量為兩個并以半環(huán)套管3的橫向中軸線為中心上下對稱設置，插塊5上設置有卡接槽51，卡接槽51的內壁面上通過樹脂膠粘接有阻尼墊52，第二半環(huán)套管4上設置有插接孔42，插柱7穿過插接孔42與卡接槽51插接，插柱7上設置有滑槽71，滑槽71內滑動連接有滑塊72，該滑動結構可以避免滑塊72以及限位塊74整體從滑槽71內滑脫，滑塊72的右端與滑槽71之間設置有彈簧73，滑塊72的左端設置有限位塊74。廣東肖特基二極管MBR3045CT