TO220封裝的快恢復(fù)二極管MURB1660

    20世紀(jì)80年代初，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ)，同時(shí)，為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化，為高效、節(jié)電、節(jié)材，實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化，小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí)，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)?，隨著裝置工作開(kāi)關(guān)頻率的提高，若沒(méi)有FRED給高頻逆變裝置的開(kāi)關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開(kāi)關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨(dú)特作用，這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr，反向峰值電流IRM)的作用所致，合適參數(shù)的FRED與高頻開(kāi)關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開(kāi)關(guān)器件換相所引起的過(guò)電壓尖峰，高頻干擾電壓以及EMI降低，使開(kāi)關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮，F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變電焊機(jī)、高頻逆變開(kāi)關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場(chǎng)合使用，結(jié)果非常令人滿意。本文將簡(jiǎn)要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu)，技術(shù)參數(shù)。MUR3020CS是什么類(lèi)型的管子？TO220封裝的快恢復(fù)二極管MURB1660

    模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時(shí)也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了電子器件之間的連線，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對(duì)稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì)，使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降，有利實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高頻化。此外，模塊化構(gòu)造與同容量分立器件構(gòu)造相比之下，還兼具體積小、重量輕、構(gòu)造連貫、外接線簡(jiǎn)便、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)，因而縮小了設(shè)備的何種，減低設(shè)備的重量和成本，且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與設(shè)備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個(gè)接地的散熱器上，有利設(shè)備體積的更進(jìn)一步縮小，簡(jiǎn)化設(shè)備的構(gòu)造設(shè)計(jì)。常州瑞華電力電子器件有限公司根據(jù)市場(chǎng)需要，充分利用公司近二十年來(lái)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)各類(lèi)電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)，設(shè)計(jì)能力，工藝和測(cè)試裝置以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)，于2006年開(kāi)發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機(jī)、大功率開(kāi)關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機(jī)傳動(dòng)放大器所需的“三相整流二極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊”(其型號(hào)為MDST)的基本上，近期又開(kāi)發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊”。快恢復(fù)二極管MUR1060CAMUR3060CT是什么類(lèi)型的管子？

    緩沖電路的形式很多，如圖1所示的電路是基本的也是行之有效的一種緩沖保護(hù)電路。緩沖電路由電感LS、電容CS、電阻RS和二極管VDS組成。其中LS是串聯(lián)電感。用來(lái)限制晶體管VT開(kāi)通時(shí)的電流上升率，由CS、RS、VDS構(gòu)成并聯(lián)緩沖電路，主要用來(lái)在VT關(guān)斷時(shí)限制集電極電壓Uce上升率，使大功率晶體管的工作點(diǎn)軌跡遠(yuǎn)離安全工作區(qū)的為界。當(dāng)晶體管VT開(kāi)通時(shí)，直流電動(dòng)機(jī)由電源經(jīng)晶體管供電，其左端為正，右端為負(fù)，電動(dòng)機(jī)正向旋轉(zhuǎn)；當(dāng)晶體管VT關(guān)斷時(shí),由于電樞電感的影響，電樞電流不能突變，電動(dòng)機(jī)將產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)，其左端為負(fù)，右端為正，如果沒(méi)有續(xù)流二極管VD，此電動(dòng)勢(shì)將與電源電壓US相加，一起加在晶體管VT的C、E兩端，而整個(gè)回路的電阻很大，因此晶體管兩端的端電壓Uce也很高。晶體管必然被擊穿。當(dāng)電路并聯(lián)有續(xù)流二極管VD(如圖1所示),在晶體管VT導(dǎo)通時(shí)，二極管VD左端為止，右端為負(fù)，VD截止;當(dāng)晶體管截止時(shí)。電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)。左負(fù)右正，VD正向?qū)?，給電動(dòng)機(jī)提供--個(gè)續(xù)流回路，不但可以保護(hù)晶體管，同時(shí)讓電動(dòng)機(jī)電流連續(xù)、轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定。

    但由于環(huán)境的影響，特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下，往往會(huì)使觸頭毀損，另外接觸器接通和斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生電弧，導(dǎo)致接觸器壽命縮短而毀壞，從而嚴(yán)重影響變頻器的安定精確工作。為了化解上述存在的疑問(wèn)，常州瑞華電力電子器件有限公司使用FRED替代平常整流二極管，使用晶閘管替代機(jī)器接觸器，制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊”，這種模塊用以變頻器后，能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作安定確實(shí)。本公司生產(chǎn)的“三相FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊”(型號(hào)為MFST)的主要參數(shù)見(jiàn)表1。4結(jié)束語(yǔ)2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發(fā)成功的“三相整流二極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊”(型號(hào)為MDST)是由六個(gè)平常整流二極管和一個(gè)晶閘管構(gòu)成，其內(nèi)部電連接原理圖如圖1所示，它已普遍用以VVVT、SMPS、UPS、逆變焊機(jī)以及伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)放大器等具直流環(huán)節(jié)的變頻設(shè)備，并已獲取很大成效。用超快恢復(fù)二極管(FRED)替代一般而言整流管所組成的“三相FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊”(型號(hào)為MFST)亦可用于上述各種電壓型變頻器，但可大幅度下降變頻器噪聲達(dá)15dB，這一效應(yīng)將直接影響到變頻器的EMI濾波電路內(nèi)電容器和電感器的設(shè)計(jì)，并使它們的大小縮小，從而下降設(shè)備的成本和縮小設(shè)備的體積。MUR2040CT是快恢復(fù)二極管嗎？

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路，不僅用于半控型器件的保護(hù)，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開(kāi)通時(shí)，為了防止過(guò)大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感，以限制過(guò)大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開(kāi)通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí)，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時(shí)過(guò)電壓和過(guò)大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過(guò)過(guò)大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開(kāi)關(guān)過(guò)程中過(guò)電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產(chǎn)生過(guò)電壓，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開(kāi)通中的uCE和iC波形。在iC下降過(guò)程中IGBT上出現(xiàn)了過(guò)電壓，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。 MUR2060CT二極管的主要參數(shù)。福建快恢復(fù)二極管MUR2040CTR

MURF1040CT是什么類(lèi)型的管子？TO220封裝的快恢復(fù)二極管MURB1660

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié)，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會(huì)產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高，在150度的HTRB時(shí)，表現(xiàn)仍然很出色；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。TO220封裝的快恢復(fù)二極管MURB1660