陜西肖特基二極管MBR40100PT

肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小，其值為幾十皮法到幾百皮法，區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí)，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng)；當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生過(guò)渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被采用。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來(lái)我司咨詢！陜西肖特基二極管MBR40100PT

   用多級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)制作出擊穿電壓高達(dá)KVNi/4H-SiC肖特基二極管，外延的摻雜濃度為×10cm，厚度為115μm，此肖特基二極管利用多級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)來(lái)保護(hù)肖特基結(jié)邊緣以防止它提前擊穿。[1]國(guó)內(nèi)的SiC功率器件研究方面因?yàn)槭艿絊iC單晶材料和外延設(shè)備的限制起步比較晚，但是卻緊緊跟蹤國(guó)外碳化硅器件的發(fā)展形勢(shì)。國(guó)家十分重視碳化硅材料及其器件的研究，在國(guó)家的大力支持下經(jīng)已經(jīng)初步形成了研究SiC晶體生長(zhǎng)、SiC器件設(shè)計(jì)和制造的隊(duì)伍。電子科技大學(xué)致力于器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，在新結(jié)構(gòu)、器件結(jié)終端和器件擊穿機(jī)理方面做了很多的工作，并且提出寬禁帶半導(dǎo)體器件優(yōu)值理論和寬禁帶半導(dǎo)體功率雙極型晶體管特性理論。[1]34H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管功率二極管是功率半導(dǎo)體器件的重要組成部分，主要包括PiN二極管，肖特基勢(shì)壘二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢(shì)壘的形成及其主要電流輸運(yùn)機(jī)理。并詳細(xì)介紹了肖特基二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管的電學(xué)特性及其工作原理，為后兩章對(duì)4H-SiCJBS器件電學(xué)特性的仿真研究奠定了理論基礎(chǔ)。[2]肖特基二極管肖特基二極管是通過(guò)金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。陜西肖特基二極管MBR6045PT常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供肖特基二極管 ，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！

   由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。［1］此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來(lái)以便在較高的電壓上使用，通過(guò)串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別在于：肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只有，反向在擊穿電壓之前不?huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開(kāi)關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀ǘ?jí)管一樣約為，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。

碳化硅肖特基二極管碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀碳化硅器件的出現(xiàn)的改善了半導(dǎo)體器件的性能，滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)和建設(shè)的需要，目前，美國(guó)、德國(guó)、瑞典、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家正競(jìng)相投入巨資對(duì)碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國(guó)部從20世紀(jì)90年代就開(kāi)始支持碳化硅功率器件的研究，在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品，其額定電流可達(dá)到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平，其阻斷電壓超過(guò)10000V，大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高，開(kāi)關(guān)速度很快，重量很輕，并且體積很小，它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢(shì)。2000年Cree公司研制出KV的臺(tái)面PiN二極管，同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺(tái)面PiN二極管。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高。肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，用戶的信賴之選。

肖特基二極管是一種特殊類型的二極管，其好的特點(diǎn)是由金屬與半導(dǎo)體直接接觸形成的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，因此其正向電壓低于常規(guī)PN結(jié)二極管。這種特殊結(jié)構(gòu)使得肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)速度和較低的逆向恢復(fù)時(shí)間，也使其在高頻和功率電路中具有廣泛應(yīng)用。肖特基二極管的是肖特基結(jié)，這是由金屬與半導(dǎo)體材料直接接觸而形成的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了一些獨(dú)特的電學(xué)特性，如快速的載流子注入和較小的少子內(nèi)建電場(chǎng)，這樣就降低了開(kāi)關(guān)時(shí)的載流子注入和少子收集時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)了快速的開(kāi)關(guān)速度和低逆向電流。肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，用戶的信賴之選，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！江蘇肖特基二極管MBRB30100CT

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   一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓下降很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷回復(fù)時(shí)間極短，所以適合工作在高頻狀況下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的肖特基管結(jié)溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結(jié)溫越高表示產(chǎn)品抗高溫屬性越好。即工作在此溫度以下不會(huì)引起失效。5、它也有一些缺陷：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時(shí)要全盤考慮。肖特基二極管一般用在電源次級(jí)輸出整流上面。二、肖特基常見(jiàn)型號(hào)封裝圖關(guān)于封裝通過(guò)型號(hào)識(shí)別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。型號(hào)前面第四個(gè)字母B,表示TO-263,國(guó)際通用命名。雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:"PT"表示TO-3P封裝，原MOTOROLA（今ON）稱做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見(jiàn)型號(hào)及參數(shù)1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，普遍應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管采用。陜西肖特基二極管MBR40100PT