上??旎謴?fù)二極管MUR2060CTR

來源: 發(fā)布時間:2024-06-15

   應(yīng)用場合以及選用時應(yīng)注意的問題等供廣大使用者參考。2.快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個或二個以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(diǎn)(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護(hù)的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據(jù)模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂等三重保護(hù),又加采用玻璃鈍化保護(hù)的、不同結(jié)構(gòu)的進(jìn)口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩(wěn)定。(2)銅底板預(yù)彎技術(shù):模塊采用了高導(dǎo)熱、高絕緣、機(jī)械強(qiáng)度高和易焊接,且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內(nèi)應(yīng)力低,熱阻小,并避免了芯片因應(yīng)力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對銅底板進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)。MUR2020CD是什么類型的管子?上??旎謴?fù)二極管MUR2060CTR

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   模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性,同時也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本,縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期,提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成,因此,縮短了電子器件之間的連線,可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì),使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降,有利實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高頻化。此外,模塊化構(gòu)造與同容量分立器件構(gòu)造相比之下,還兼具體積小、重量輕、構(gòu)造連貫、外接線簡便、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn),因而縮小了設(shè)備的何種,減低設(shè)備的重量和成本,且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2.5kV以上有效值的絕緣耐壓,使之能與設(shè)備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個接地的散熱器上,有利設(shè)備體積的更進(jìn)一步縮小,簡化設(shè)備的構(gòu)造設(shè)計(jì)。常州瑞華電力電子器件有限公司根據(jù)市場需要,充分利用公司近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù),設(shè)計(jì)能力,工藝和測試裝置以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn),于2006年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機(jī)、大功率開關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機(jī)傳動放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號為MDST)的基本上,近期又開發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊”。TO220封裝的快恢復(fù)二極管MURB1560MUR1660CT二極管的主要參數(shù)。

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   二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩,所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減,而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開關(guān)器件(IGBT、MOSFET、BJT、GTO)總是和迅速二極管相并聯(lián),在增加開關(guān)頻率時,除傳導(dǎo)損耗以外,功率開關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定(由圖2的Qrr,IRM和Irr特點(diǎn)表示)。所以對二極管要求正向瞬態(tài)壓降小,反向回復(fù)時間斷,反向回復(fù)電荷少,并且具備軟恢復(fù)特點(diǎn)。反向峰值電流IRM是另一個十分關(guān)鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術(shù)和擴(kuò)散參數(shù)決定。在電路中,這個電流斜率與寄生電感有關(guān),例如連接引線,引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高(“硬回復(fù)”屬性),二極管和并聯(lián)的開關(guān)上產(chǎn)生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減(“軟恢復(fù)”特點(diǎn))是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復(fù)”特點(diǎn),SONIC二極管的恢復(fù)屬性更“軟”,它們的阻斷電壓范圍寬,使這些迅速軟恢復(fù)二極管能夠作為開關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器

   其型號為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價位下滑,使變頻器更易合乎國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機(jī)能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機(jī)能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要展開一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時,使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。MUR1660CT是快恢復(fù)二極管嗎?

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   繼電器線圈可以儲存能量的(線圈會阻止電流的突變,即電流只能慢慢增大和減少),如果一下使線圈斷電,它兩端就會產(chǎn)生很大的電壓,這樣就可能使線圈損壞、相連接的元器件擊穿。這時,我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管,便可以使它產(chǎn)生一個回路(斷電時相當(dāng)于在線圈兩端接根短路線),使線圈儲存的能量放完。這個快恢復(fù)二極管在這里起到續(xù)流的作用,我們通常稱它為續(xù)流快恢復(fù)二極管。電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示,電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈,直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,壓降很小;當(dāng)交流信號通過線圈時,線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢,自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過,所以電感的特性是通直流阻交流。MUR2020CT是快恢復(fù)二極管嗎?廣東快恢復(fù)二極管MURF860

MUR2020CT二極管的主要參數(shù)。上海快恢復(fù)二極管MUR2060CTR

   FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為:反向回復(fù)時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,tb一少數(shù)載流子復(fù)合時間);反向回復(fù)峰值電流IRM;反向回復(fù)電荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向回復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb/ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有:正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復(fù))浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為:反向反復(fù)峰值電壓URRM和反向反復(fù)峰值電流IRRM。須要指出:反向回復(fù)時間trr隨著結(jié)溫Tj的升高,所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長,而主要用來測算FRED的功耗和RC保護(hù)電路的反向回復(fù)峰值電流IRM和反向回復(fù)電荷Qrr亦隨結(jié)溫Tj的升高而增大。因此,在選用由FRED構(gòu)成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”時,須要充分考慮這些參數(shù)的測試條件,以便作必需的調(diào)整。這里值得提出的是:目前FRED的價錢比一般而言整流二極管高,但由于用到FRED使變頻器的噪聲大幅度減低(減低達(dá)15dB),這將直接影響到變頻器內(nèi)EMI濾波電路的電容器和電感器的設(shè)計(jì),使它們的尺碼縮小和價錢大幅度下滑,并使變頻器更能相符EMI規(guī)格的要求。此外,在變頻器中,對充電限流電阻展開短接的開關(guān),目前一般都使用機(jī)器接觸器。上??旎謴?fù)二極管MUR2060CTR