福建快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-23

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對(duì)比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí),冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會(huì)產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時(shí),表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRBMUR3040CT是快恢復(fù)二極管嗎?福建快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

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目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對(duì)比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí),冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會(huì)產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時(shí),表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。湖北快恢復(fù)二極管MURF3060CTMUR2040CD是什么類型的管子?

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   8、絕緣涂層;9、電隔離層;10、粘合層。實(shí)際實(shí)施方法下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案展開(kāi)明了、完整地描述,顯然,所敘述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分推行例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域平常技術(shù)人員在從未做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所贏得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。如圖1、2所示,現(xiàn)提出下述實(shí)施例:一種高壓快回復(fù)二極管芯片,包括芯片本體1,所述芯片本體1裹在熱熔膠2內(nèi),所述熱熔膠2裹在在封裝外殼3內(nèi),所述封裝外殼3由金屬材質(zhì)制成,所述封裝外殼3的內(nèi)部設(shè)有散熱組件,所述散熱組件包括多個(gè)散熱桿4,多個(gè)散熱桿4呈輻射狀固定在所述芯片本體1上,所述散熱桿4的另一端抵觸在所述封裝外殼3的內(nèi)壁,所述散熱桿4與所述芯片本體1的端部上裹有絕緣膜5,所述散熱桿4的內(nèi)部中空且所述散熱桿4的內(nèi)部填入有冰晶混合物6。在本實(shí)施例中,所述封裝外殼3的殼壁呈雙層構(gòu)造且所述封裝外殼3的殼壁的內(nèi)部設(shè)有容納腔7,所述容納腔7與所述散熱桿4的內(nèi)部連接,所述容納腔7的內(nèi)部也填入有冰晶混合物6。散熱桿4內(nèi)融解的冰晶混合物6不停向外傳遞,充分傳熱。在本實(shí)施例中,所述散熱桿4至少設(shè)有四根。

   其型號(hào)為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價(jià)位下滑,使變頻器更易合乎國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個(gè)FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機(jī)能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機(jī)能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開(kāi)展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要展開(kāi)一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。MURF1040CT是什么類型的管子?

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管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對(duì)比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí),冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會(huì)產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時(shí),表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。MUR2040CT是快恢復(fù)二極管嗎?北京快恢復(fù)二極管MURB860

快恢復(fù)二極管與整流二極管有什么區(qū)別?福建快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

   所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種,所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層,所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面,所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面,所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層,所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu)、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu)。(三)有益于效用本實(shí)用新型提供了一種高壓快回復(fù)二極管芯片,具有有以下有益于效用:本實(shí)用設(shè)立了芯片本體,芯片本體裹在熱熔膠內(nèi),使其不收損害,熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi),多個(gè)散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上,封裝外殼的殼壁設(shè)有容納腔,容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接,芯片工作產(chǎn)生熱能傳送到熱熔膠,熱熔膠裹在散熱桿的表面,散熱桿展開(kāi)傳遞熱能,散熱桿以及容納腔的內(nèi)部設(shè)有冰晶混合物,冰晶混合物就會(huì)由固態(tài)漸漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài),此為吸熱過(guò)程,從而不停的開(kāi)展散熱,封裝外殼也是由金屬材質(zhì)制成,可以為冰晶混合物與外界空氣換熱。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的構(gòu)造示意圖;圖2為本實(shí)用新型的絕緣涂層的構(gòu)造示意圖。圖中:1、芯片本體;2、熱熔膠;3、封裝外殼;4、散熱桿;5、絕緣膜;6、冰晶混合物;7、容納腔。福建快恢復(fù)二極管MUR1660CTR