山東整流橋GBU2004

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-30

   它有著體積小、采用簡(jiǎn)便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點(diǎn),可普遍用以開(kāi)關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個(gè)引出端,其中交流輸入端、直流輸出端各兩個(gè)。硅整流橋的整流電流平均值分0.5~40A等多種標(biāo)準(zhǔn),最高反向工作電壓有50~1000V等多種標(biāo)準(zhǔn)。小功率硅整流橋可直接焊在印刷板上,大、中型功率硅整流橋則要用螺絲固定,并且需安裝適合的散熱器。整流橋的主要參數(shù)有反向峰值電壓URM(V),正向壓降UF(V),平均整流電流Id(A),正向峰值浪涌電流IFSM(A),反向漏電流IR(霢)。整流橋的反向擊穿電壓URR應(yīng)滿足下式要求:舉例來(lái)說(shuō)解釋,當(dāng)交流輸入電壓范圍是85~132V時(shí),umax=132V,由式(1)測(cè)算出UBR=233.3V,可選耐壓400V的制品整流橋。對(duì)于寬范圍輸入交流電壓,umax=265V,同理求得UBR=468.4V,應(yīng)選耐壓600V的制品整流橋。需指出,假如用4只硅整流管來(lái)組成整流橋,整流管的耐壓值還應(yīng)更進(jìn)一步提高。辟如可選1N4007(1A/1000V)、1N5408(3A/1000V)型塑封整流管。這是因?yàn)榇祟惞茏拥膬r(jià)位便宜,且按照耐壓值“寧高勿低”的規(guī)范,能提高整流橋的安全性與可靠性。設(shè)輸入有效值電流為IRMS,整流橋額定的有效值電流為IBR,理應(yīng)使IBR≥2IRMS。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司是一家專業(yè)提供整流橋 的公司,有需求可以來(lái)電咨詢!山東整流橋GBU2004

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   當(dāng)設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上時(shí)所述控制芯片12的襯底與所述信號(hào)地基島14電連接,散熱效果好。當(dāng)設(shè)置于其他基島上時(shí)所述控制芯片12的襯底與該基島絕緣設(shè)置,包括但不限于絕緣膠,以防止短路,散熱效果略差。具體設(shè)置方式可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定,在此不一一贅述。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用兩基島架構(gòu),將整流橋,功率開(kāi)關(guān)管及邏輯電路集成在一個(gè)引線框架內(nèi),其中,一個(gè)引線框架是指形成于同一塑封體中的管腳、基島、金屬引線及其他金屬連接結(jié)構(gòu);由此,本實(shí)施例可降低封裝成本。如圖2所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,電容c1,負(fù)載及采樣電阻rcs1。如圖2所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號(hào)地管腳gnd接地。如圖2所示,所述電容c1的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖2所示,所述負(fù)載連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv與漏極管腳drain之間。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv,負(fù)極連接所述漏極管腳drain。如圖2所示。浙江代工整流橋GBU1004常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司是一家專業(yè)提供整流橋 的公司,期待您的光臨!

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   在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,整流橋是一種非常重要的組件。它主要用于將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC),以滿足各種電子設(shè)備的需求。一、整流橋又稱為二極管橋式整流器,是由四個(gè)二極管組成的一種電路結(jié)構(gòu)。它將輸入的交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為單向的直流電信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)電能的有效利用。整流橋廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備,如充電器、電源適配器、變頻器等。二、整流橋的工作原理整流橋的工作原理是利用二極管的單向?qū)щ娞匦?,將交流電信?hào)轉(zhuǎn)換為直流電信號(hào)。當(dāng)輸入端施加交流電信號(hào)時(shí),二極管會(huì)在正半周期和負(fù)半周期分別導(dǎo)通和截止,從而實(shí)現(xiàn)電流的單向流動(dòng)。通過(guò)這種方式,整流橋可以將交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為單向的直流電信號(hào)。三、整流橋的類型根據(jù)整流橋的結(jié)構(gòu)和使用場(chǎng)合,可以將其分為以下幾種類型:?jiǎn)蜗嗾鳂颍簡(jiǎn)蜗嗾鳂蛑挥幸粋€(gè)交流輸入端和一個(gè)直流輸出端。它適用于單相交流電源系統(tǒng),如家庭用電系統(tǒng)。三相整流橋:三相整流橋有三個(gè)交流輸入端和一個(gè)直流輸出端。它適用于三相交流電源系統(tǒng),如工業(yè)用電系統(tǒng)。全波整流橋:全波整流橋可以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入交流電信號(hào)的全波整流,從而獲得更高的直流電壓。

   其中,所述整流橋的交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳,第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳,輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳,第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳;所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端輸出邏輯控制信號(hào),高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極,采樣端口連接所述采樣管腳,接地端口連接所述信號(hào)地管腳;所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),漏極連接所述漏極管腳,源極連接所述采樣管腳;所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)??蛇x地,所述火線管腳、所述零線管腳、所述高壓供電管腳及所述漏極管腳與臨近管腳之間的間距設(shè)置為大于??蛇x地,所述至少兩個(gè)基島包括漏極基島及信號(hào)地基島;當(dāng)所述功率開(kāi)關(guān)管粘接于所述漏極基島上時(shí),所述漏極管腳的寬度設(shè)置為~1mm;當(dāng)所述功率開(kāi)關(guān)管設(shè)置于所述信號(hào)地基島上時(shí),所述信號(hào)地管腳的寬度設(shè)置為~1mm??蛇x地,所述至少兩個(gè)基島包括高壓供電基島及信號(hào)地基島;所述整流橋包括整流二極管、第二整流二極管、第三整流二極管及第四整流二極管;所述整流二極管及所述第二整流二極管的負(fù)極粘接于所述高壓供電基島上,正極分別連接所述火線管腳及所述零線管腳。整流橋 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,用戶的信賴之選,歡迎您的來(lái)電!

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   整流橋的封裝種類主要有以下幾種:DIP封裝:雙列直插封裝,是一種常見(jiàn)的集成電路封裝方式。這種封裝方式具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性好、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),因此在整流橋的封裝中也被經(jīng)常使用。SOP封裝:小外形封裝,是一種常見(jiàn)的電子元件封裝方式。這種封裝方式具有體積小、重量輕、電性能好等優(yōu)點(diǎn),因此在整流橋的封裝中也經(jīng)常被使用。SOD封裝:表面貼裝器件封裝,是一種常見(jiàn)的電子元件封裝方式。這種封裝方式具有體積小、重量輕、電性能好等優(yōu)點(diǎn),因此在整流橋的封裝中也經(jīng)常被使用。貼片式封裝:貼片式封裝是一種現(xiàn)代化的電子元件封裝方式,它具有體積小、重量輕、電性能好等優(yōu)點(diǎn),因此在整流橋的封裝中也經(jīng)常被使用。直插式封裝:直插式封裝是一種傳統(tǒng)的電子元件封裝方式,這種封裝方式的優(yōu)點(diǎn)是穩(wěn)定性好、可靠性高,因此在整流橋的封裝中也經(jīng)常被使用。總之,整流橋的封裝種類多種多樣,不同的封裝方式具有不同的優(yōu)點(diǎn)和適用范圍。在實(shí)際使用中,需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和要求選擇合適的封裝方式。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司是一家專業(yè)提供整流橋 的公司。浙江生產(chǎn)整流橋GBU2508

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   不限于本實(shí)施例,任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可,在此不一一贅述。如圖1所示,在本實(shí)施例中,所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地,所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào));所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd,漏極端口d連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實(shí)施例中,所述控制芯片12的底面為襯底,通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上,所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則,通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接;漏極端口d通過(guò)金屬引線連接所述漏極管腳drain;采樣端口cs通過(guò)金屬引線連接所述采樣管腳cs。所述功率開(kāi)關(guān)管可通過(guò)所述信號(hào)地基島14及所述信號(hào)地管腳gnd實(shí)現(xiàn)散熱。需要說(shuō)明的是,所述控制芯片12可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上。山東整流橋GBU2004