ITO220封裝的快恢復(fù)二極管MUR3060CA

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-05

   20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測(cè)方法1)測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF,脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào),運(yùn)用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的日子到IR=Irr日子所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr,有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知,當(dāng)IRM為一定時(shí),反向回復(fù)電荷愈小,反向回復(fù)時(shí)間就愈短。2)常規(guī)檢測(cè)方式在業(yè)余條件下,運(yùn)用萬(wàn)用表能檢測(cè)快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?,以及?nèi)部有無(wú)開(kāi)路、短路故障,并能測(cè)出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表,還能測(cè)量反向擊穿電壓。實(shí)例:測(cè)量一只超快恢復(fù)二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns。MUR2020CT二極管的主要參數(shù)。ITO220封裝的快恢復(fù)二極管MUR3060CA

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   快恢復(fù)二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABSFF1605CT~SFF1660CTVRM;50-600V,IF;16A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABSF2005FCT~SF2060FCTVRM;50-600V,IF;20A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABMUR3005FCT~MUR3060FCTVRM;50-600V,IF;30A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABMUR2005FCT~MUR2060FCTVRM;50-600V,IF;20A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABMUR1605FCT~MUR1660FCTVRM;50-600V,IF;16A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABMUR1005FCT~MUR1060FCTVRM;50-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-DO-41UF4001~UF4007VRRM;50-1000V,IF;快恢復(fù)二極管-DO-41SF11~SF18VRRM;50-1000V,IF;快恢復(fù)二極管-DO-41HER101G~HER108GVRRM;50-1000V,IF;快恢復(fù)二極管-DO-41HER101~HER108VRRM;50-1000V,IF;快恢復(fù)二極管-DO-41FR101G~FR107GVRRM;50-1000V,IF;快恢復(fù)二極管-DO-41FR101~FR107VRRM;50-1000V,IF。快恢復(fù)二極管MUR3060PT快恢復(fù)二極管有那些封裝?

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   模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性,同時(shí)也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本,縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期,提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成,因此,縮短了電子器件之間的連線,可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對(duì)稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì),使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降,有利實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高頻化。此外,模塊化構(gòu)造與同容量分立器件構(gòu)造相比之下,還兼具體積小、重量輕、構(gòu)造連貫、外接線簡(jiǎn)便、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn),因而縮小了設(shè)備的何種,減低設(shè)備的重量和成本,且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2.5kV以上有效值的絕緣耐壓,使之能與設(shè)備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個(gè)接地的散熱器上,有利設(shè)備體積的更進(jìn)一步縮小,簡(jiǎn)化設(shè)備的構(gòu)造設(shè)計(jì)。常州瑞華電力電子器件有限公司根據(jù)市場(chǎng)需要,充分利用公司近二十年來(lái)專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù),設(shè)計(jì)能力,工藝和測(cè)試裝置以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn),于2006年開(kāi)發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機(jī)、大功率開(kāi)關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機(jī)傳動(dòng)放大器所需的“三相整流二極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊”(其型號(hào)為MDST)的基本上,近期又開(kāi)發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊”。

   所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種,所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層,所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面,所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面,所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層,所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu)、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu)。(三)有益于效用本實(shí)用新型提供了一種高壓快回復(fù)二極管芯片,具有有以下有益于效用:本實(shí)用設(shè)立了芯片本體,芯片本體裹在熱熔膠內(nèi),使其不收損害,熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi),多個(gè)散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上,封裝外殼的殼壁設(shè)有容納腔,容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接,芯片工作產(chǎn)生熱能傳送到熱熔膠,熱熔膠裹在散熱桿的表面,散熱桿展開(kāi)傳遞熱能,散熱桿以及容納腔的內(nèi)部設(shè)有冰晶混合物,冰晶混合物就會(huì)由固態(tài)漸漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài),此為吸熱過(guò)程,從而不停的開(kāi)展散熱,封裝外殼也是由金屬材質(zhì)制成,可以為冰晶混合物與外界空氣換熱。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的構(gòu)造示意圖;圖2為本實(shí)用新型的絕緣涂層的構(gòu)造示意圖。圖中:1、芯片本體;2、熱熔膠;3、封裝外殼;4、散熱桿;5、絕緣膜;6、冰晶混合物;7、容納腔。MUR1560是快恢復(fù)二極管嗎?

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快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。二極管GPP和OJ哪種芯片工藝生產(chǎn)好?快恢復(fù)二極管MUR3040CTR

MUR2060CS是什么類型的管子?ITO220封裝的快恢復(fù)二極管MUR3060CA

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無(wú)法用機(jī)械的方法分開(kāi)。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對(duì)比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí),冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護(hù)膠和硅片不貼合,會(huì)產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時(shí),表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。ITO220封裝的快恢復(fù)二極管MUR3060CA