快恢復(fù)二極管MUR3040CT

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-13

  確保模塊的出力。2)DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊有著有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能安定確實(shí)。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處置的鉬片或直接用鋁絲鍵協(xié)作為主電極的引出線,而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特色,F(xiàn)RED芯片使用三片是正燒(即芯片正面是負(fù)極、反面是正極)和三片是反燒(即芯片正面是正極、反面是負(fù)極),并運(yùn)用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供快恢復(fù)二極管 ,歡迎您的來電哦!快恢復(fù)二極管MUR3040CT

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快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個(gè)或二個(gè)以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個(gè)PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對(duì)各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(diǎn)(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護(hù)的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時(shí)間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時(shí)同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據(jù)模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂等三重保護(hù),又加采用玻璃鈍化保護(hù)的、不同結(jié)構(gòu)的進(jìn)口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩(wěn)定。(2)銅底板預(yù)彎技術(shù):模塊采用了高導(dǎo)熱、高絕緣、機(jī)械強(qiáng)度高和易焊接,且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內(nèi)應(yīng)力低,熱阻小,并避免了芯片因應(yīng)力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對(duì)銅底板進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)。湖北快恢復(fù)二極管MURB1560快恢復(fù)二極管 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,讓您滿意,歡迎新老客戶來電!

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由于環(huán)境的影響,特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下,往往會(huì)使觸頭毀損,另外接觸器接通和斷開時(shí)產(chǎn)生電弧,導(dǎo)致接觸器壽命縮短而毀壞,從而嚴(yán)重影響變頻器的安定精確工作。為了化解上述存在的疑問,用FRED替代平常整流二極管,使用晶閘管替代機(jī)器接觸器,制成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”,這種模塊用以變頻器后,能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作安定確實(shí)?!叭嗾鞫O管整流橋開關(guān)模塊”(型號(hào)為MDST)是由六個(gè)平常整流二極管和一個(gè)晶閘管構(gòu)成,它已普遍用以VVVT、SMPS、UPS、逆變焊機(jī)以及伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)放大器等具直流環(huán)節(jié)的變頻設(shè)備,并已獲取很大成效。用超快恢復(fù)二極管(FRED)替代一般而言整流管所組成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”(型號(hào)為MFST)亦可用于上述各種電壓型變頻器,但可大幅度下降變頻器噪聲達(dá)15dB,這一效應(yīng)將直接影響到變頻器的EMI濾波電路內(nèi)電容器和電感器的設(shè)計(jì),并使它們的大小縮小,從而下降設(shè)備的成本和縮小設(shè)備的體積。

   選擇快恢復(fù)二極管時(shí),主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加反向電壓時(shí),其內(nèi)部電場(chǎng)區(qū)域變寬,有較少的漂移電流通過PN結(jié),形成我們所說的漏電流。漏電流也是評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的重要參數(shù),快恢復(fù)二極管漏電流過大不僅使其自身溫升高,對(duì)于功率電路來說也會(huì)影響其效率,不同反向電壓下的漏電流是不同的,關(guān)系如圖4所示:反向電壓愈大,漏電流越大,在常溫下肖特基管的漏電流可忽略。其實(shí)對(duì)快恢復(fù)二極管漏電流影響的還是環(huán)境溫度,下圖5是在額定反壓下測(cè)試的關(guān)系曲線,從中可以看出:溫度越高,漏電流越大。在75℃后成直線上升,該點(diǎn)的漏電流是導(dǎo)致快恢復(fù)二極管外殼在額定電流下達(dá)到125℃的兩大因素之一,只有通過降額反向電壓和正向?qū)娏鞑拍芙档涂旎謴?fù)二極管的工作溫度。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司力于提供快恢復(fù)二極管 ,期待您的光臨!

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   其型號(hào)為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時(shí)間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價(jià)位下滑,使變頻器更易合乎國(guó)內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個(gè)PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個(gè)FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機(jī)能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機(jī)能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要展開一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供快恢復(fù)二極管 ,有需要可以聯(lián)系我司哦!快恢復(fù)二極管MUR3040CT

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快恢復(fù)二極管(簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰??旎謴?fù)二極管MUR3040CT