字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡化了電路的分析運算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號旁路。交流耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐分绷麟娫礊V波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補償：針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進行補償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)，時間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對與頻率相關(guān)的電路進行系統(tǒng)調(diào)諧。巨新科是華科電容原產(chǎn)渠道。南山區(qū)安規(guī)電容器組
電容器是一種能儲存電荷的容器．它是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．按絕緣材料不同，可制成各種各樣的電容器.如：云母．瓷介．紙介，電解電容器等．在構(gòu)造上，又分為固定電容器和可變電容器鋁電解電容選型要點電容的容量和額定工作電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個參數(shù)是選用電容基本的內(nèi)容。在實際電容選型中，對電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時間也會越長。電容的額定工作電壓：在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長期能承受的大直流電壓。在交流電路中，要注意所加的交流電壓大值不能超過電容的直流工作電壓值。常用的固定電容工作電壓有、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的。另外還要注意的一個問題是工作電壓裕量的問題，一般來說要在15％以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內(nèi)阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。雖然說，48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時間不會出現(xiàn)問題。深圳電容廠家原裝國巨電容采購就找巨新科。
還可以做延時電路，極常見的就是上電延時復(fù)位；一些定時芯片如NE556，可以產(chǎn)生三角波?！ぶC振源：與電感一起組成LC諧振電路，產(chǎn)生固定頻率的信號。利用電容通高頻、阻低頻、隔直流的特性，電容還可以用作：電源去耦電源去耦應(yīng)該是電容極大范圍的應(yīng)用，各種CPU、SOC、ASIC的周圍、背面放置了大量的電容，目的就是保持供電電壓的穩(wěn)定。在DCDC電路中，需要選擇合適的輸入電容和輸出電容來降低電壓紋波。需要計算出相關(guān)參數(shù)。像IC工作時，不同時刻需要的工作電流是不一樣的，因此，也需要大量的去耦電容，來保證工作電壓得穩(wěn)定。耦合隔直設(shè)計電路時，有些情況下，只希望傳遞交流信號，不希望傳遞直流信號，這時候可以使用串聯(lián)電容來耦合信號。例如多級放大器，為了防止直流偏置相互影響，靜態(tài)工作點計算復(fù)雜，通常級間使用電容耦合，這樣每一級靜態(tài)工作點可以單獨分析。例如PCIE、SATA這樣的高速串行信號，通常也使用電容進行交流耦合。旁路濾波顧名思義就是將不需要的交流信號導(dǎo)入大地。濾波其實也是一個意思。在微波射頻電路中，各種濾波器的設(shè)計都需要使用電容。此外，像EMC設(shè)計，對于接口處的LED燈，都會在信號線上加一顆濾波電容，這樣可以提高ESD測試時的可靠性。
在許多電子產(chǎn)品中，電容器是必不可少的電子元件，它在電路中的功能是整流器的平滑濾波、退耦、交流信號的旁路、交直流電路的交流耦合等等。電容器的類型和結(jié)構(gòu)種類比較多，小伙伴們使用時，不僅需要了解各類電容器的性能指標(biāo)和一般特性，而且還必須了解在給定用途下的優(yōu)缺點、機械或環(huán)境的限制條件等。電容定義：電容是表征電容器容納電荷多少的物理量。電容的符號是C。公式：在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，常用的電容單位有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)(皮法又稱微微法)等。各單位的換算關(guān)系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)。一個電容器，如果帶1庫的電量時兩級間的電勢差是1伏，這個電容器的電容就是1法，電容是電容器的固有參數(shù)。對于平板電容器：ε是一個常數(shù)，S為電容極板的正對面積，d為電容極板的距離，k則是靜電力常量。電容符號：電容是一種儲能元件,儲存的電場能量為：電容串聯(lián)電路分析：串聯(lián)后的等效電容容量倒數(shù)等于各個電容容量倒數(shù)之和;串聯(lián)后的各個電容的電荷量相等；串聯(lián)后的耐壓等于各個電容電壓之和。巨新科是國巨電容原廠渠道。
這里電流表示電流密度，即J)設(shè)交流電壓為正弦變化，即：實際位移電流等于電流密度乘以面積：所以電容的容抗為1/ωC，頻率很高時，電容容抗會很小，也就是通高頻。下圖是利用ANSYSHFSS仿真的平行板電容器內(nèi)部的電磁場的變化。橫截面電場變化(GIF動圖，貌似要點擊查看)縱斷面磁場變化(GIF動圖，貌似要點擊查看)也就是說電容在通交流的時候，內(nèi)部的電場和磁場在相互轉(zhuǎn)換。隔直流直流電壓不隨時間變化，位移電流ε(?E/?t)為0，直流分量無法通過。實際電容等效模型實際電容的特性都是非理想的，有一些寄生效應(yīng)；因此，需要用一個較為復(fù)雜的模型來表示實際電容，常用的等效模型如下：·由于介質(zhì)都不是一定絕緣的，都存在著一定的導(dǎo)電能力；因此，任何電容都存在著漏電流，以等效電阻Rleak表示；·電容器的導(dǎo)線、電極具有一定的電阻率，電介質(zhì)存在一定的介電損耗；這些損耗統(tǒng)一以等效串聯(lián)電阻ESR表示；·電容器的導(dǎo)線存在著一定的電感，在高頻時影響較大，以等效串聯(lián)電感ESL表示；·另外，任何介質(zhì)都存在著一定電滯現(xiàn)象，就是電容在快速放電后，突然斷開電壓，電容會恢復(fù)部分電荷量，以一個串聯(lián)RC電路表示?！ご蠖鄶?shù)時候，主要關(guān)注電容的ESR和ESL。品質(zhì)因數(shù)。東莞風(fēng)華電容代理商公司。廣東陶瓷電容器組
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也稱為塑料薄膜電容；其內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖來自于維基百科薄膜電容根據(jù)其電極的制作工藝，可以分為兩類：金屬箔薄膜電容(Film/Foil)金屬箔薄膜電容，直接在塑料膜上加一層薄金屬箔，通常是鋁箔，作為電極；這種工藝較為簡單，電極方便引出，可以應(yīng)用于大電流場合。金屬化薄膜電容(MetallizedFilm)金屬化薄膜電容，通過真空沉積(VacuumDeposited)工藝直接在塑料膜的表面形成一個很薄的金屬表面，作為電極；由于電極厚度很薄，可以繞制成更大容量的電容；但由于電極厚度薄，只適用于小電流場合。金屬化薄膜電容就是具有自我修復(fù)的功能，即假如電容內(nèi)部有擊穿損壞點，會在損壞處產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，氣化金屬在損壞處將形成一個氣化集中面，短路消失，損壞點被修復(fù)；因此，金屬化薄膜電容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜電容有兩種卷繞方法：有感繞法在卷繞前，引線就已經(jīng)和內(nèi)部電極連在一起；無感繞法在繞制后，會采用鍍金等工藝，將兩個端面的內(nèi)部電極連成一個面，這樣可以獲得較小的ESL，應(yīng)該高頻性能較高；此外，還有一種疊層型的無感電容，結(jié)構(gòu)與MLCC類似，性能較好，便于做成SMD封裝。極早的薄膜電容的介質(zhì)材料是用紙浸注在油或石蠟中。南山區(qū)安規(guī)電容器組
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