Page103由于ClassII和III電容的容值極高可以做到幾百uF，但由于高介電常數(shù)介質(zhì)，大都是鐵電性介質(zhì)(Ferroelectric)，溫度穩(wěn)定性差。此外，鐵電性介質(zhì)，在直流偏置電壓下介電常數(shù)會下降。在談談電感一文中，介紹了鐵磁性介質(zhì)存在磁滯現(xiàn)象，當內(nèi)部磁場超過一定值時，會發(fā)生磁飽和現(xiàn)象，導致磁導率下降；同樣的，對于鐵電性介質(zhì)存在電滯現(xiàn)象，當內(nèi)部電場超過一定值時，會發(fā)生電飽和現(xiàn)象，導致介電常數(shù)下降。當ClassII和III電容的直流偏置電壓超過一定值時，電容會明顯下降，如下圖所示：圖片來源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內(nèi)部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而中心是導體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定，損耗高，現(xiàn)在已經(jīng)基本被淘汰了。引申閱讀：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結(jié)表原圖出自維基百科還有一類超級電容，就是容量特別大，可以替代電池作為供電設(shè)備，也可以和電池配合使用。超級電容充電速度快，可以完全地充放電，而且可以充到任何想要的電壓。華科車規(guī)電容原裝現(xiàn)貨。光明區(qū)陶瓷電容公司
濕式的鉭電容主要長這樣：截圖于Vishay技術(shù)文檔引申閱讀：·GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathode·WetElectrolyteTantalumCapacitors鈮電解電容(Niobiumelectrolyticcapacitors)鈮電解電容與鉭電解電容類似，就是鈮及其氧化物代替鉭；鈮氧化物(五氧化二鈮)的介電常數(shù)比鉭氧化物(五氧化二鉭)更高；鈮電容的性能更加穩(wěn)定，可靠性更高。AVX有鈮電容系列產(chǎn)品，二氧化錳鉭電容外觀是黃色，而鈮電容外觀是橙紅色，大致長這樣：圖片出自AVX網(wǎng)站引申閱讀：·TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitors·OxiCap?-niobiumoxidecapacitor電解電容對比表，數(shù)據(jù)來源于維基百科，只供參考。引申閱讀：·Electrolyticcapacitor3陶瓷電容(CeramicCapacitor)陶瓷電容是以陶瓷材料作為介質(zhì)材料，陶瓷材料有很多種，介電常數(shù)、穩(wěn)定性都有不同，適用于不同的場合。陶瓷電容，主要有以下幾種：瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)瓷片電容的主要優(yōu)點就是可以耐高壓，通常用作安規(guī)電容，可以耐250V交流電壓。其外觀和結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自本小節(jié)兩篇引申閱讀引申閱讀：·Capacitors|DE1serieslineup·CeramicCapacitor多層陶瓷電容。深圳CBB電容型號國巨電容一級代理商。
眾所周知，開關(guān)電源是當今信息家電設(shè)備的主要電源，為電子設(shè)備小型輕便化作出不可磨滅的貢獻。開關(guān)電源不斷的小型化、輕量化和高效率，在電子設(shè)備中使用量越來越大，普及率越來越高。相應的就要求電解電容器小型大容量化，耐紋波電流，高頻低阻抗化，高溫度長壽命化和更適應高密度組裝。1電容量與體積由于電解電容器多數(shù)采用卷繞結(jié)構(gòu)，很容易擴大體積，因此單位體積電容量非常大，比其它電容大幾倍到幾十倍。但是大電容量的獲取是以體積的擴大為代價的，現(xiàn)在開關(guān)電源要求越來越高的效率，越來越小的體積，因此，有必要尋求新的解決辦法，來獲得大電容量、小體積的電容器。在開關(guān)電源的原邊一旦采用有源濾波器電路，則鋁電解電容器的使用環(huán)境變得比以前更為嚴酷：高頻脈沖電流主要是20kHz~100kHz的脈動電流，而且大幅度增加；變換器的主開關(guān)管發(fā)熱，導致鋁電解電容器的周圍溫度升高；變換器多采用升壓電路，因此要求耐高壓的鋁電解電容器。這樣一來，利用以往技術(shù)制造的鋁電解電容器，由于要吸收比以往更大的脈動電流，不得不選擇大尺寸的電容器。結(jié)果，使電源的體積龐大，難以用于小型化的電子設(shè)備。為了解決這些難題，必須研究與開發(fā)一種新型的電解電容器，體積小、耐高壓。
并聯(lián)后的各個電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無機介質(zhì)電容器、有機介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無機介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經(jīng)?？吹教沾呻娙?。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應用GHz級別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當然，它的價格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。應用：脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。華科高頻電容原裝現(xiàn)貨。
還可以做延時電路，極常見的就是上電延時復位；一些定時芯片如NE556，可以產(chǎn)生三角波?！ぶC振源：與電感一起組成LC諧振電路，產(chǎn)生固定頻率的信號。利用電容通高頻、阻低頻、隔直流的特性，電容還可以用作：電源去耦電源去耦應該是電容極大范圍的應用，各種CPU、SOC、ASIC的周圍、背面放置了大量的電容，目的就是保持供電電壓的穩(wěn)定。在DCDC電路中，需要選擇合適的輸入電容和輸出電容來降低電壓紋波。需要計算出相關(guān)參數(shù)。像IC工作時，不同時刻需要的工作電流是不一樣的，因此，也需要大量的去耦電容，來保證工作電壓得穩(wěn)定。耦合隔直設(shè)計電路時，有些情況下，只希望傳遞交流信號，不希望傳遞直流信號，這時候可以使用串聯(lián)電容來耦合信號。例如多級放大器，為了防止直流偏置相互影響，靜態(tài)工作點計算復雜，通常級間使用電容耦合，這樣每一級靜態(tài)工作點可以單獨分析。例如PCIE、SATA這樣的高速串行信號，通常也使用電容進行交流耦合。旁路濾波顧名思義就是將不需要的交流信號導入大地。濾波其實也是一個意思。在微波射頻電路中，各種濾波器的設(shè)計都需要使用電容。此外，像EMC設(shè)計，對于接口處的LED燈，都會在信號線上加一顆濾波電容，這樣可以提高ESD測試時的可靠性。廣東華科電容代理商公司。廣東高壓電容專賣店
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以抗電強度測試為例，根據(jù)標準，L、N側(cè)為一次電路，需要與PE或GND之間為基本絕緣。因此，需要在L或N對GND之間加交流，持續(xù)近1分鐘，期間相關(guān)漏電流不能超過標準規(guī)定值。因此，安規(guī)電容，有相當高的耐壓要求，同時直流漏電流不能太大。常用的RJ45網(wǎng)口，為了減小EMI，常用到Bob-Smith電路，如下圖所示：可以看到電容的耐壓都是2kV以上，因為網(wǎng)口通常有變壓器，220V交流電的L和N到網(wǎng)線有兩個變壓器隔離，是雙重絕緣，L和N到網(wǎng)線之間也要進行抗電強度測試。雙重絕緣，通常要求通過交流3kV或直流。安規(guī)電容有高耐壓要求，通常使用瓷片電容或者小型薄膜電容。器件選型還要主要兩點要求：和結(jié)構(gòu)確認器件的長寬高；對插件封裝器件不多時，是不是可以全部使用表貼器件，這樣可以省掉波峰焊的工序。光明區(qū)陶瓷電容公司
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