Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。 EVG下的GEMINI系列是...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。湖南鍵合機技術(shù)服務EVG鍵合機加工結(jié)果除支持晶圓級和先進封裝...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。福建鍵合機免稅價格長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)...

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術(shù)支持。 EVG鍵合機選擇上海岱美儀器。GEMINI鍵合機國內(nèi)代理鍵合對準機系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS...

GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。河南鍵合機美元...

鍵合機特征高真空，對準，共價鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高...

根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn)，因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅...

EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術(shù)，通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設(shè)計，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。 同時，EVG研發(fā)生產(chǎn)的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應用的行業(yè)標準。重慶鍵合機國內(nèi)用戶封裝技術(shù)對微...

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。EVG鍵合機質(zhì)量怎么樣該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不...

EVG?610BA鍵對準系統(tǒng)適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統(tǒng)。EVG610鍵合對準系統(tǒng)設(shè)計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)可通過底側(cè)顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。特征：蕞適合EVG?501和EVG?510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡?；赪indows的用戶界面。研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。寧夏鍵合機國內(nèi)用戶EVG?...

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是關(guān)于EVG的鍵合機EVG500系列介紹。晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。EVG850 D...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。 EMINI FB XT適用于...

SmartView?NT自動鍵合對準系統(tǒng)，用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng)，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在lingxian技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI?200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG的 GEMINI系列，在ZUI小占地面積上，一樣...

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。 EVG...

EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設(shè)計和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級用于陽極鍵合 開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計，可快速轉(zhuǎn)換和維護 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準：0.1毫巴 可選：1E-5mbar E...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質(zhì)量。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用很實用的技術(shù)。中國臺灣本地鍵合機Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵...

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術(shù)支持。歡迎咨詢岱美了解更多 EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。中國臺灣鍵合機試用EV...

在將半導體晶圓切割成子部件之前，有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上，以激勵和讀取相關(guān)的測試點。這是一種實用的方法，因為有缺陷的芯片不會被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會在ZUI終測試時被拒絕。一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。 EVG鍵合機頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，實現(xiàn)無應力鍵合和出色的溫度均勻性。遼寧本地鍵合機SmartView?NT自動鍵合對準系統(tǒng)，用于通用對準。全自...

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓?？梢允褂藐枠O鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）。 EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導電性和相對鍵合溫度，通常jin應用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當，很容易損壞微芯片或相應的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習，然后再嘗試進行引線鍵合。 晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。廣西晶圓鍵合機二、EVG501晶圓鍵...

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設(shè)置，可以簡化用戶常規(guī)操作。EVG560鍵合...

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。 鍵合機...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側(cè)冷卻EVG?560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達4個鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統(tǒng)，用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG?GEMINI?自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列...

EVG?610BA鍵對準系統(tǒng)適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統(tǒng)。EVG610鍵合對準系統(tǒng)設(shè)計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)可通過底側(cè)顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準過程。特征：蕞適合EVG?501和EVG?510鍵合系統(tǒng)。晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。手動高精度對準臺。手動底面顯微鏡?；赪indows的用戶界面。研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）。 晶圓鍵合機（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng)全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動解鍵合機中，經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。特征在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）高達300毫米高達12英寸的薄膜面積組...

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用實用的技術(shù)。值得買鍵合...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG鍵合機軟件，支...