電化學(xué)遷移是PCB組件常見(jiàn)的失效模式。無(wú)論是在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過(guò)程、控制過(guò)程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來(lái)評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長(zhǎng)，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展...

電化學(xué)遷移(ECM)IPC-TM-650方法用來(lái)評(píng)估表面電化學(xué)遷移的傾向性。助焊劑會(huì)涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板上。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板是交錯(cuò)梳狀設(shè)計(jì)，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過(guò)測(cè)試，高活性的助焊劑在測(cè)試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長(zhǎng)。分別測(cè)試實(shí)驗(yàn)開(kāi)始和結(jié)束時(shí)的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測(cè)量值衰減低于10倍時(shí)，測(cè)試結(jié)果視為通過(guò)。也就是說(shuō)，通常測(cè)試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個(gè)方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測(cè)試條件。J-STD-004B要求使...

在確定為CAF失效之前，應(yīng)該確認(rèn)連接線兩端的電阻是不是要小于菊花鏈區(qū)域的電阻。做法是將菊花鏈附近連接測(cè)試線纜的線路切斷。所有的測(cè)試結(jié)束后，如果發(fā)現(xiàn)某塊測(cè)試板連接線兩端的電阻確實(shí)小于菊花鏈區(qū)域的電阻，那么這塊測(cè)試板就不能作為數(shù)據(jù)分析的依據(jù)。常規(guī)結(jié)果判定：1.96小時(shí)靜置后絕緣電阻R1≤107歐姆，即判定樣本失效；2.當(dāng)**終測(cè)試絕緣電阻R2<108歐姆，或者在測(cè)試過(guò)程中有3次記錄或以上出現(xiàn)R2<108歐姆即判定樣本失效。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻(CAF/TCT)測(cè)試系統(tǒng)可以做到有效電壓測(cè)試。廣州維柯信息技術(shù)有限公司多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)，1-128 通道，測(cè)試范圍 10 -5?-...

幾十年來(lái)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類別的關(guān)鍵。另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來(lái)源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過(guò)程中，無(wú)法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的...

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1]，因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響，很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開(kāi)封機(jī)械開(kāi)封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示，可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附，異物呈樹(shù)枝狀結(jié)晶，由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng)，并連接了電阻兩端電極；一端電表表面發(fā)生溶解，且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：基于可靠性...

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟?，被推?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無(wú)論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題：如何比...

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1]，因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響，很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開(kāi)封機(jī)械開(kāi)封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示，可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附，異物呈樹(shù)枝狀結(jié)晶，由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng)，并連接了電阻兩端電極；一端電表表面發(fā)生溶解，且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。廣州維柯GWHR-256 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：結(jié)構(gòu)、配...

什么是導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試CAF導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試（Conductiveanodicfilamenttest，簡(jiǎn)稱CAF）是電化學(xué)遷移的其中一種表現(xiàn)形式。它與表面樹(shù)狀生長(zhǎng)的區(qū)別：1.產(chǎn)生遷移的金屬是銅，而不是鉛或者錫；2.金屬絲是從陽(yáng)極往陰極生長(zhǎng)的；3.金屬絲是由金屬鹽組成，而不是中性的金屬原子組成。焊盤(pán)中的銅金屬是金屬離子的主要來(lái)源，在陽(yáng)極電化學(xué)生成，并沿著樹(shù)脂和玻璃增強(qiáng)纖維之間界面移動(dòng)。隨著時(shí)代發(fā)展和技術(shù)的革新，PCB板上出現(xiàn)CAF的現(xiàn)象卻越來(lái)越嚴(yán)重，究其原因，是因?yàn)楝F(xiàn)在電子設(shè)備上的PCB板上需要焊接的電子元件越來(lái)越多，這樣也就造成了PCB板上的金屬電極之間的距離越來(lái)越短，這樣就更加容易在兩個(gè)金屬電...

表面絕緣電阻測(cè)試（SIR測(cè)試）根據(jù)IPC的定義，表面絕緣電阻(SIR)是在特定環(huán)境和電氣條件下確定的一對(duì)觸點(diǎn)、導(dǎo)體或接地設(shè)備之間的絕緣材料的電阻。在印刷電路板(PCB)和印刷電路組件(PCA)領(lǐng)域，SIR測(cè)試——通常也稱為溫濕度偏差(THB)測(cè)試——用于評(píng)估產(chǎn)品或工藝的抗“通過(guò)電流泄漏或電氣短路（即樹(shù)枝狀生長(zhǎng)）導(dǎo)致故障”。SIR測(cè)試通常在升高的溫度和濕度條件下在制定 SIR 測(cè)試策略時(shí)，選擇用于測(cè)試的產(chǎn)品或過(guò)程將有助于確定**合適的 SIR 測(cè)試方法以及**適用的測(cè)試工具。一般而言，SIR 測(cè)試通常用于對(duì)助焊劑和/或清潔工藝進(jìn)行分類、鑒定或比較。對(duì)于后者，SIR 測(cè)試通常用于評(píng)估一個(gè)人的“免清...

局部萃取法會(huì)把板子表面所有殘留離子都溶解。電路板上離子材料的常見(jiàn)來(lái)源是多種多樣的，包括電路板制造和電鍍殘留物、人機(jī)交互殘留物、助焊劑殘留物等。這包括有意添加的化學(xué)物質(zhì)和無(wú)意的污染?？紤]到這一點(diǎn)，每當(dāng)遇到不可接受的結(jié)果時(shí)，這種方法就被用來(lái)調(diào)查在過(guò)程和材料清單中發(fā)生了什么變化。在流程開(kāi)發(fā)過(guò)程中，應(yīng)該定義一個(gè)“正?！钡慕Y(jié)果范圍，但是當(dāng)結(jié)果超出預(yù)期范圍時(shí)，可能會(huì)有許多潛在的原因。使用類似SIR測(cè)試模塊的68針LCC。這種設(shè)計(jì)有足夠的熱量，允許一個(gè)范圍內(nèi)的回流曲線。元件的高度和底部端子**了一個(gè)典型的組裝案例，其中助焊劑殘留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取過(guò)程中，噴嘴比組件小得多，且能滿足...

測(cè)量電阻。采用50V的直流偏置電壓，用100V的測(cè)試電壓測(cè)試每塊板的菊花鏈網(wǎng)絡(luò)的絕緣電阻前至少充電60S的時(shí)間。偏置電壓的極性和測(cè)試電壓的極性必須隨時(shí)保持一致。4、在初始的絕緣電阻測(cè)量后關(guān)閉測(cè)試系統(tǒng)，使樣品在65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH、無(wú)偏壓的環(huán)境下靜置96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）。96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）的靜置期后，在每個(gè)菊花鏈網(wǎng)絡(luò)和地之間測(cè)試絕緣電阻。5、確認(rèn)所有的測(cè)試樣品的連接是有效的，每個(gè)測(cè)試電路對(duì)應(yīng)適當(dāng)?shù)南蘖麟娮?。然后將測(cè)試板與電源相連開(kāi)始進(jìn)行T/H/B部分的CAF測(cè)試。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻（CAF/TCH）測(cè)試系統(tǒng)可以做到電阻漂移指電阻器所表現(xiàn)的...

此外，失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-)，由于工藝生產(chǎn)中引入的有機(jī)弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導(dǎo)電率，促進(jìn)了金屬陽(yáng)極的溶解過(guò)程，加大金屬陽(yáng)離子的濃度而提升枝晶的生長(zhǎng)速率，造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結(jié)果可以得出原工藝中生產(chǎn)使用的SnPb焊料存在較高的氯離子（Cl-），說(shuō)明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子，加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移。參考國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)表面絕緣電阻手冊(cè)IPC-TM-6502.3.28.2[4]，“/”表示未檢出，其含量低于方法檢出限，方法檢出限為0.003mg/cm2。實(shí)現(xiàn)多通道電流同時(shí)采集，實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試樣品離子和材料絕緣...

金屬離子在陰極沉積過(guò)程在陰極區(qū)，陽(yáng)極溶解生成的金屬離子（主要為錫離子和鉛離子）在電場(chǎng)的作用下，在電解液中遷移到陰極得到電子直接生成金屬單質(zhì)；或者與陰極生成的氫氧根離子相遇而生成氫氧化物的沉淀物，氫氧化物的沉淀物發(fā)生脫水分解為氧化物，氧化物繼續(xù)還原為金屬單質(zhì)。伴隨著枝晶的生長(zhǎng)過(guò)程，陰極區(qū)還發(fā)生的反應(yīng)為電解質(zhì)中溶解氧氣的還原反應(yīng)及水的還原反應(yīng)，反應(yīng)方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4...

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化...

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽(yáng)極的電子元件發(fā)生陽(yáng)極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹(shù)枝狀結(jié)晶形式向陽(yáng)極生長(zhǎng)[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過(guò)程：(1)陽(yáng)極溶解形成金屬離子過(guò)程；(2)金屬離子遷移過(guò)程；(3)金屬離子在陰極沉積過(guò)程[7]。SIR測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn)：JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes釬...

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否，將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后，于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到，F(xiàn)lux工藝后，若沒(méi)有進(jìn)行清潔動(dòng)作，不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四)，導(dǎo)致填充膠無(wú)法填滿芯片底部，造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid)，更會(huì)加劇ECM的發(fā)生。可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)，實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見(jiàn)的溫度:130°C/濕度:85%RH，使用助焊劑為坊間常見(jiàn)免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean)，第二...

可靠的電子組裝產(chǎn)品必須能在不同的環(huán)境中經(jīng)受住各種影響因素的考驗(yàn)，例如：熱、機(jī)械、化學(xué)、電等因素。測(cè)試每一種考驗(yàn)因素對(duì)系統(tǒng)的影響，通常以加速老化的方式來(lái)測(cè)試。這也就是說(shuō)，測(cè)試環(huán)境比起正常老化的環(huán)境是要極端得多的。此文中的研究對(duì)象主要是各種測(cè)試電化學(xué)可靠性的方法。IPC將電化學(xué)遷移定義為：在直流偏壓的影響下，印刷線路板上的導(dǎo)電金屬纖維絲的生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)可能發(fā)生在外部表面、內(nèi)部界面或穿過(guò)大多數(shù)復(fù)合材料本體。增長(zhǎng)的金屬纖維絲是含有金屬離子的溶液經(jīng)過(guò)電沉積形成的。電沉積過(guò)程是從陽(yáng)極溶解電離子，由電場(chǎng)運(yùn)輸重新沉積在陰極上。在電路與組裝材料發(fā)生的反應(yīng)過(guò)程中，隨著時(shí)間的推移而逐漸形成這種失效。當(dāng)金屬纖維絲在線...

為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所...

廣州維柯信息技術(shù)有限公司成立于2006年，是一家專業(yè)致力于檢測(cè)檢驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室行業(yè)產(chǎn)品技術(shù)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)、集成銷(xiāo)售為一體的技術(shù)型公司。 SIR系列絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)依據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造，具有偏置電壓測(cè)試時(shí)間任意設(shè)置、多模塊**分組、絕緣電阻測(cè)試、漂移電流測(cè)試、測(cè)試產(chǎn)品評(píng)估、環(huán)境試驗(yàn)參數(shù)監(jiān)控等功能。系統(tǒng)測(cè)試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測(cè)試和漏電流監(jiān)測(cè)。測(cè)試結(jié)果可通過(guò)曲線、表格的形式進(jìn)行顯示和交互，測(cè)試數(shù)據(jù)通過(guò)后臺(tái)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行存儲(chǔ)和管理，用戶可對(duì)已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行回放和比較，方便用戶進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和篩選，對(duì)測(cè)試樣品的分析更加直觀和準(zhǔn)確。 廣州維柯GWHR-256 ...

何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問(wèn)題。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試系統(tǒng)...

助焊劑等級(jí)分類所有的測(cè)試完成后，編輯L、M和H的測(cè)試數(shù)據(jù)，所有測(cè)試數(shù)據(jù)的比較高值決定助焊劑的等級(jí)。例如，一款助焊劑的活性等級(jí)要定為L(zhǎng)，就需要五項(xiàng)測(cè)試中每個(gè)結(jié)果都是L_才可以。每個(gè)測(cè)試從不同的角度來(lái)量化電遷移的傾向性。ECM和SIR測(cè)試**接近組裝產(chǎn)品在使用壽命時(shí)間里**容易產(chǎn)生電化學(xué)遷移的情況。它們都是在更高的溫濕度下進(jìn)行加速測(cè)試，并且發(fā)展成為表明可靠性的一種標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前SIR測(cè)試方法擅長(zhǎng)用標(biāo)準(zhǔn)化的方式測(cè)試電化學(xué)遷移的傾向性。這種測(cè)試更接近真實(shí)失效機(jī)理。由于監(jiān)測(cè)頻率的關(guān)系，這種測(cè)試能夠捕捉到絕緣電阻的波動(dòng)。這種波動(dòng)可能表示枝晶形成然后又溶解了。這就可以不依賴于災(zāi)難性故障來(lái)指示潛在的問(wèn)題。每個(gè)板卡...

測(cè)量電阻。采用50V的直流偏置電壓，用100V的測(cè)試電壓測(cè)試每塊板的菊花鏈網(wǎng)絡(luò)的絕緣電阻前至少充電60S的時(shí)間。偏置電壓的極性和測(cè)試電壓的極性必須隨時(shí)保持一致。4、在初始的絕緣電阻測(cè)量后關(guān)閉測(cè)試系統(tǒng)，使樣品在65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH、無(wú)偏壓的環(huán)境下靜置96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）。96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）的靜置期后，在每個(gè)菊花鏈網(wǎng)絡(luò)和地之間測(cè)試絕緣電阻。5、確認(rèn)所有的測(cè)試樣品的連接是有效的，每個(gè)測(cè)試電路對(duì)應(yīng)適當(dāng)?shù)南蘖麟娮?。然后將測(cè)試板與電源相連開(kāi)始進(jìn)行T/H/B部分的CAF測(cè)試。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻（CAF/TCH）測(cè)試系統(tǒng)可以做到操作方便：充分考慮實(shí)驗(yàn)室...

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過(guò)程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛?yáng)極導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的...

設(shè)計(jì)特性描述IPCJ-STD-001是一份規(guī)范焊接電子組件制造實(shí)踐和要求的文件。一般來(lái)說(shuō)，根據(jù)J-STD-004的分類標(biāo)準(zhǔn)，這些助焊劑適用于電子組裝。在使用幾種不同的涂層和助焊劑時(shí)，兼容性也需要測(cè)試。兼容性測(cè)試的方法因應(yīng)用而異，但需要使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)試。理想情況下，電化學(xué)可靠性/兼容性應(yīng)該用**新型組裝的電路板和元器件進(jìn)行測(cè)試。由爐溫定義的加熱循環(huán)過(guò)程對(duì)助焊劑的表現(xiàn)也很關(guān)鍵。清洗工藝也應(yīng)該使用類似于SIR的方法在IPC-B-52的板子上驗(yàn)證。一旦優(yōu)化了組裝，就應(yīng)該進(jìn)行深入的測(cè)試去確定組裝的設(shè)計(jì)和工藝。在J-STD-001中，就以IPC-9202和9203來(lái)舉例。在組裝區(qū)域，溫度曲線經(jīng)歷了比較...

SIR和局部萃取的結(jié)果是通過(guò)或失敗。判定標(biāo)準(zhǔn)分別基于電路電阻率和萃取液電阻率。為了便于參考，附錄中包含了詳細(xì)的結(jié)果。如表1所示，通過(guò)被編碼為綠色，失敗被編碼為橙色。結(jié)果顯示了一個(gè)清晰的定義：即所有未清洗的測(cè)試模塊都沒(méi)有通過(guò)測(cè)試，所有清洗過(guò)的測(cè)試模塊都通過(guò)了測(cè)試。事實(shí)上，助焊劑殘?jiān)泻写罅康碾x子，局部萃取試驗(yàn)很快就超過(guò)了電阻率極限。在未清洗板上有幾種離子濃度很高?？偟膩?lái)說(shuō)，這是一個(gè)非常極端的比較，因?yàn)楦锌赡苁遣糠智逑炊皇峭耆辞逑础＿@加強(qiáng)了必須清洗使用了水溶性焊錫膏組件的重要性。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通...

類型1~2000V通道數(shù)16-256測(cè)試組數(shù)1-16組工作時(shí)間1-9999小時(shí)偏置電壓1-2000VDC（步進(jìn)）測(cè)試電壓1-2000VDC（步進(jìn)）電阻測(cè)量范圍1x104-1x1014Ω電阻測(cè)量精度1x104-1x1010Ω≤±2%1x1010-1x1011Ω≤±5%1x1011-1x1014Ω≤20%測(cè)試間隔時(shí)間1-600分鐘測(cè)試速度20mS/所有通道測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間1-600秒（可設(shè)置）高阻判定閥值1x106-109Ω短路保護(hù)電流閥值5–500uA保護(hù)電阻1MΩ測(cè)試電纜線材耐高溫特氟綸線（≧1014Ω，200℃）長(zhǎng)度標(biāo)配，office軟件、數(shù)據(jù)庫(kù)GWHR-256產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、精度...

ROSE是用2-丙醇和水溶液，通過(guò)手工、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)三種方法萃取板表面的任何殘留物。通常是將整個(gè)板子浸入溶液中，然后測(cè)量這種萃取物的電阻率，測(cè)量值由板子表面所有可溶性離子種類的離子含量決定。每種萃取方法在如何準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程上各不相同。通常，**測(cè)試電阻率是不夠的，因?yàn)樗荒軈^(qū)分是哪些離子導(dǎo)致萃取電阻率下降。為了評(píng)估哪些離子存在，必須進(jìn)行額外的離子色譜檢測(cè)。通過(guò)允許操作人員從過(guò)程中識(shí)別離子含量的來(lái)源，來(lái)完成測(cè)試。此外，過(guò)程控制從組裝工藝的開(kāi)始就要進(jìn)行，線路板和元器件的進(jìn)廠清潔度與組裝的**終清潔度同樣重要。這也可以通過(guò)一種能夠在較小規(guī)模上從表面萃取的測(cè)試方法更有效地實(shí)現(xiàn)。多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控...

ROSE是用2-丙醇和水溶液，通過(guò)手工、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)三種方法萃取板表面的任何殘留物。通常是將整個(gè)板子浸入溶液中，然后測(cè)量這種萃取物的電阻率，測(cè)量值由板子表面所有可溶性離子種類的離子含量決定。每種萃取方法在如何準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程上各不相同。通常，**測(cè)試電阻率是不夠的，因?yàn)樗荒軈^(qū)分是哪些離子導(dǎo)致萃取電阻率下降。為了評(píng)估哪些離子存在，必須進(jìn)行額外的離子色譜檢測(cè)。通過(guò)允許操作人員從過(guò)程中識(shí)別離子含量的來(lái)源，來(lái)完成測(cè)試。此外，過(guò)程控制從組裝工藝的開(kāi)始就要進(jìn)行，線路板和元器件的進(jìn)廠清潔度與組裝的**終清潔度同樣重要。這也可以通過(guò)一種能夠在較小規(guī)模上從表面萃取的測(cè)試方法更有效地實(shí)現(xiàn)。GWHR-256多通道...

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟?，被推?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無(wú)論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題：如何比...

CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4 P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹(shù)脂半固化后制成；2、樹(shù)脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹(shù)脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1) 樹(shù)脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良 ；3) 樹(shù)脂之硬化劑不良，容易吸水 ；4) 膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽 造成氣泡殘存。相對(duì)的電極還原成本來(lái)的...