加熱板攪拌器加熱攪拌器加熱板&攪拌器附件出色的性能與智能技術(shù)令人印象深刻的高性能、高安全性和操作簡(jiǎn)便性，使您能夠輕松找到符合您實(shí)驗(yàn)室要求的加熱設(shè)備。我們的加熱板、攪拌器、加熱攪拌器以及相關(guān)附件可以完全滿足任何實(shí)驗(yàn)室需求。廣受歡迎的加熱板和攪拌器加熱板系列加熱攪拌器系列RT2高級(jí)加熱攪拌器實(shí)驗(yàn)室加熱板和攪拌器專題目錄實(shí)驗(yàn)室加熱板我們均勻加熱的加熱板能夠提供多種獲得可重現(xiàn)結(jié)果的能力，包括溫度穩(wěn)定性、耐用性以及遠(yuǎn)程控制訪問(wèn)的能力，以實(shí)現(xiàn)安全性和便捷性。攪拌器我們的攪拌器產(chǎn)品組合在大多數(shù)應(yīng)用中可達(dá)到2400rpm的轉(zhuǎn)速，且在嚴(yán)苛的細(xì)胞培養(yǎng)應(yīng)用中保證可靠性、安全性和運(yùn)行性能，將根據(jù)您的全部實(shí)驗(yàn)室需求為您...

***溫度檢測(cè)模塊用于檢測(cè)***分區(qū)的溫度值，并將檢測(cè)到的***分區(qū)溫度值發(fā)送給控制模塊，***加熱模塊用于加熱***分區(qū)；第二分區(qū)包括第二加熱模塊和第二溫度檢測(cè)模塊，第二溫度檢測(cè)模塊用于檢測(cè)第二分區(qū)的溫度值，并將檢測(cè)到的第二分區(qū)溫度值發(fā)送給控制模塊，第二加熱模塊用于加熱第二分區(qū)；控制模塊接收到***分區(qū)溫度值和第二分區(qū)溫度值后，控制模塊計(jì)算***分區(qū)溫度值和第二分區(qū)溫度值的差值，若差值大于預(yù)設(shè)的精度值，則控制模塊調(diào)整***加熱模塊或者第二加熱模塊的輸出功率，直到差值小于精度值。其中，***溫度檢測(cè)模塊和第二溫度檢測(cè)模塊為熱敏電阻。其中，***溫度檢測(cè)模塊和第二溫度檢測(cè)模塊為鉑熱電阻。...

沉積摻雜硼磷的氧化層含有硼磷雜質(zhì)的SiO2層，有較低的熔點(diǎn)，硼磷氧化層(BPSG)加熱到800oC時(shí)會(huì)軟化并有流動(dòng)特性，可使晶圓表面初級(jí)平坦化。深處理濺鍍***層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞，濺鍍鈦+氮化鈦+鋁+氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu)，并用PECVD在上面沉積一層SiO2介電質(zhì)。并用SOG(spinonglass)使表面平坦，加熱去除SOG中的溶劑。然后再沉積一層介電質(zhì)，為沉積第二層金屬作準(zhǔn)備。（1）薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapo...

EvaporationDeposition）采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子（或原子）的平均自由程長(zhǎng)（10-4Pa以下，達(dá)幾十米），所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達(dá)基片。到達(dá)基片的原料分子不具有表面移動(dòng)的能量，立即凝結(jié)在基片的表面，所以，在具有臺(tái)階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時(shí)，一般，表面被覆性（覆蓋程度）是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空（<10–8torr），并且控制電流，使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長(zhǎng)（MBE：MolecularBeamEpitaxy）。（3）濺鍍（S...

***溫度檢測(cè)模塊和第二檢測(cè)模塊均采用型號(hào)為pt1000的鉑熱電阻；***加熱模塊包括***功率繼電器和***加熱絲；第二加熱模塊包括第二功率繼電器和第二加熱絲；在本實(shí)施中，晶圓加熱處于溫度穩(wěn)定階段，并且將控制模塊的溫度穩(wěn)定階段的精度值設(shè)置為℃，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際需求設(shè)置該階段的精度值。為了更好地解釋本發(fā)明，假設(shè)***溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值為℃，第二溫度檢測(cè)模塊檢測(cè)到的溫度值為℃，控制模塊接收到上述兩個(gè)溫度值后，通過(guò)下述公式得到差值：差值＝|℃℃|＝℃控制模塊將上述計(jì)算得到的差值與精度值進(jìn)行比較，在本實(shí)施中，差值為℃，大于精度值℃；控制模塊通過(guò)增大第二功率繼電器的輸出功率...

本發(fā)明具如下有益于效用：通過(guò)將軸對(duì)稱改成中心對(duì)稱、將ω形狀的加熱板中心改成單獨(dú)分體或封閉環(huán)形的構(gòu)造，以及合理配置留置區(qū)和電壓位置的安裝，化解了傳統(tǒng)加熱板的構(gòu)造的缺點(diǎn)，提高了采用的穩(wěn)定性，增加了加熱板的壽命。附圖說(shuō)明圖1為傳統(tǒng)加熱片的構(gòu)造示意圖；圖2為傳統(tǒng)加熱片的一種損壞方法；圖3為傳統(tǒng)加熱片的另一個(gè)損壞方法；圖4為本發(fā)明的一種加熱板構(gòu)造；圖5為本發(fā)明的另一種加熱板構(gòu)造。圖中，o中心點(diǎn)、1熱弧板、2半圓形熱片、21拐點(diǎn)、22空隙、3左電極、4右電極、5熱環(huán)、6***加熱片、60***熱弧片、61***迂回端、7第二加熱片、70第二熱弧片、71第二迂回端、8留置區(qū)、91***電極、92第二...

本發(fā)明涉及鍋爐加熱技術(shù)領(lǐng)域，主要涉及一種電磁感應(yīng)加熱單元結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：當(dāng)前電鍋爐通過(guò)電加熱器對(duì)通過(guò)供水管流入的冷水進(jìn)行加熱，加熱的水用于供暖或作為生活用水使用。根據(jù)水的加熱方法鍋爐可分為供熱水鍋爐和蓄熱水鍋爐。該鍋爐因不易發(fā)生、不易泄漏有害氣體、噪音小而普遍使用。近年來(lái)，隨著油價(jià)的上漲，電鍋爐因取暖費(fèi)用低而備受人們關(guān)注。目前國(guó)內(nèi)電阻式、電磁式、電極式等各種電加熱技術(shù)都在鍋爐加熱領(lǐng)域得到了***運(yùn)用。國(guó)內(nèi)低壓電磁加熱技術(shù)應(yīng)用較為普遍，其電磁加熱原理是通過(guò)電子線路板組成部分產(chǎn)生交變磁場(chǎng)，當(dāng)用含鐵質(zhì)容器放置在上面時(shí)，容器表面即切割交變磁力線而在容器底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流)，渦流...

是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過(guò)研磨機(jī)來(lái)進(jìn)行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會(huì)形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問(wèn)題，需要對(duì)晶圓背面進(jìn)行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應(yīng)力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機(jī)臺(tái)腐蝕時(shí)，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜必須耐腐蝕，從而保護(hù)正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機(jī)臺(tái)，晶圓的正面通常已被機(jī)臺(tái)保護(hù)起來(lái)，不會(huì)與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進(jìn)行腐蝕[3]。晶圓除氮化硅此處用干法氧化法將氮化硅去除晶圓離子注入離子布植將硼離子(B+3)透過(guò)SiO2膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場(chǎng)...

晶圓放置在墊柱3上，使晶圓與加熱盤1之間形成間隙，防止晶圓與加熱盤1直接接觸從而損壞晶圓，。加熱盤1上還設(shè)有限位柱4，限位柱4的數(shù)量為6個(gè)，晶圓放置在6個(gè)限位柱之間，這方每次加熱晶圓時(shí)，晶圓都能放置在加熱盤1的固定位置。底板2上設(shè)置有溫度傳感器5，溫度傳感器5用于檢測(cè)底板2上溫度值。底板2上設(shè)置有過(guò)溫保護(hù)器6，當(dāng)溫度過(guò)高使，對(duì)加熱器及時(shí)斷電，防止加熱器損壞。實(shí)施例二、加熱器在工作過(guò)程中溫度較高，這樣加熱器的周圍的溫度也會(huì)較高，很容易燙傷工作人員，因此在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，曾設(shè)了隔熱環(huán)7，隔熱環(huán)7套設(shè)在加熱器**，起到了對(duì)周圍隔熱的作用，同時(shí)也減少了加熱器熱量的散發(fā)，同時(shí)也保證的工作人員...

陶瓷加熱板產(chǎn)品特點(diǎn)有哪些？加熱儀器是實(shí)驗(yàn)室的常用儀器，實(shí)驗(yàn)室的加熱設(shè)備有多種，如電爐、電熱板、加熱套、水浴鍋等等，但是如此眾多的加熱設(shè)備，其中一定會(huì)有你需要的吧？HT系列陶瓷加熱板是實(shí)驗(yàn)室前處理加熱、消解、趕酸應(yīng)用中不可少的一款儀器，在樣品前處理起到了很大的作用，電熱板加熱臺(tái)面面積大，不生銹，加溫快等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)讓前處理實(shí)驗(yàn)節(jié)省工作時(shí)間，提高了實(shí)驗(yàn)效率。產(chǎn)品特點(diǎn)：1、HT系列陶瓷加熱板采用分體設(shè)計(jì)，讓控制器與加熱主機(jī)分開(kāi)，可讓實(shí)驗(yàn)操作者遠(yuǎn)離實(shí)驗(yàn)過(guò)程生產(chǎn)的酸霧而不受傷害。2、玻璃陶瓷材質(zhì)作為加熱面，具有清潔性好、耐腐蝕性高、使用壽命長(zhǎng)。3、考慮到特殊樣品的消解，配置防HF酸保護(hù)膜。4、超...

硅片劃片方法主要有金剛石砂輪劃片、激光劃片。激光劃片是利用高能激光束聚焦產(chǎn)生的高溫使照射局部范圍內(nèi)的硅材料瞬間氣化，完成硅片分離，但高溫會(huì)使切縫周圍產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致硅片邊緣崩裂，且只適合薄晶圓的劃片。超薄金剛石砂輪劃片，由于劃切產(chǎn)生的切削力小，且劃切成本低，是應(yīng)用*****的劃片工藝。由于硅片的脆硬特性，劃片過(guò)程容易產(chǎn)生崩邊、微裂紋、分層等缺陷，直接影響硅片的機(jī)械性能。同時(shí)，由于硅片硬度高、韌性低、導(dǎo)熱系數(shù)低，劃片過(guò)程產(chǎn)生的摩擦熱難于快速傳導(dǎo)出去，易造成刀片中的金剛石顆粒碳化及熱破裂，使刀具磨損嚴(yán)重，嚴(yán)重影響劃切質(zhì)量[2]。晶圓制造工藝編輯晶圓表面清洗晶圓表面附著大約2μm的Al2O3...

以恢復(fù)晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴(kuò)散到替代位置，產(chǎn)生電特性。去除氮化硅層用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷(P+5)離子，形成N型阱，并使原先的SiO2膜厚度增加，達(dá)到阻止下一步中n型雜質(zhì)注入P型阱中。去除SIO2層退火處理，然后用HF去除SiO2層。干法氧化法干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長(zhǎng)與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來(lái)的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。濕法氧化生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2層...

陶瓷加熱板的用途有哪些？陶瓷加熱板是一款用于實(shí)驗(yàn)室里頭對(duì)檢測(cè)樣品進(jìn)行加熱、消解、趕酸的儀器，是市面上比較常見(jiàn)的設(shè)備，也是實(shí)驗(yàn)室必備儀器。雖然說(shuō)現(xiàn)在樣品前處理的設(shè)備越來(lái)越多，也越智能但是有些實(shí)驗(yàn)操作始終還是需要一塊簡(jiǎn)單的加熱板來(lái)處理。也可見(jiàn)加熱板的重要性。加熱板是實(shí)驗(yàn)室必備儀器，因此它被使用率是很高的，相對(duì)能被需求的領(lǐng)域也是相當(dāng)?shù)?*。陶瓷加熱板用途：1.水資源對(duì)人類是越來(lái)越重要，特別是在一些缺水的國(guó)家更視如生命一樣，陶瓷加熱板可以消解污水、飲用水、排污，對(duì)水質(zhì)的處理能檢測(cè)水質(zhì)里的重金屬，判斷水質(zhì)是否可利用與改造。2.土壤問(wèn)題也是國(guó)家當(dāng)前比較重視的一項(xiàng)，陶瓷加熱板可以消解土壤、淤泥、...

MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度很強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時(shí)進(jìn)行多片基片的處理，壓力一般控制在。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解（約650oC）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時(shí)所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4或Si2H6反應(yīng)...

所述的調(diào)節(jié)支撐圓柱3-4與研磨盤主體3-1之間、調(diào)節(jié)支撐圓柱3-4與圓環(huán)1-2之間均設(shè)置為螺紋連接；所述的支撐圓盤本體1-1的材質(zhì)采用鋁合金；所述的圓環(huán)1-2的材質(zhì)采用ptfe；所述的研磨塊3-5的長(zhǎng)度與晶圓加熱器5的修磨面半徑相等。本實(shí)用新型的具體實(shí)施：先將晶圓加熱器的沒(méi)有溝槽的非工作面區(qū)域使用數(shù)控車床進(jìn)行修復(fù)，再將晶圓加熱器放置在加熱器支撐圓盤內(nèi)，并用螺絲將圓環(huán)固定在支撐圓盤上，通過(guò)調(diào)節(jié)螺栓調(diào)節(jié)研磨塊的位置，使研磨塊與晶圓加熱器相接觸，同時(shí)觀察三個(gè)數(shù)顯深度測(cè)量指示表顯示的數(shù)據(jù)是否一致，直至將三個(gè)數(shù)顯深度測(cè)量指示表的數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)為一致，此時(shí)，研磨塊的平面度達(dá)到要求；然后啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，旋轉(zhuǎn)...

是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過(guò)研磨機(jī)來(lái)進(jìn)行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會(huì)形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問(wèn)題，需要對(duì)晶圓背面進(jìn)行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應(yīng)力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機(jī)臺(tái)腐蝕時(shí)，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜必須耐腐蝕，從而保護(hù)正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機(jī)臺(tái)，晶圓的正面通常已被機(jī)臺(tái)保護(hù)起來(lái)，不會(huì)與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進(jìn)行腐蝕[3]。晶圓除氮化硅此處用干法氧化法將氮化硅去除晶圓離子注入離子布植將硼離子(B+3)透過(guò)SiO2膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場(chǎng)...

所述線圈截面為正方形，線圈上端距離頂部端面不低于150mm；所述線圈纏繞密度從上端至底部依次減少；所述中心加熱筒上端開(kāi)口連接汽水引出管，下端開(kāi)口連接汽水引進(jìn)管，所述外筒體一側(cè)與輔助加熱水套汽水引入管連接。進(jìn)一步地，所述線圈固定裝置包括絕緣支柱，所述絕緣支柱上端通過(guò)支柱定位管與支柱固定塊固定連接，下端與固定于底端平面的支柱底座連接；所述絕緣支柱上設(shè)有若干用于線圈定位的定位螺栓。進(jìn)一步地，所述線圈固定裝置設(shè)有三組，以中心加熱筒軸線為中心呈正三角形分布。進(jìn)一步地，所述絕緣支柱采用耐高溫二苯醚層壓板，壓板外側(cè)設(shè)有陶瓷套。進(jìn)一步地，所述汽水引出管連接鍋筒；所述鍋筒還設(shè)有分別與汽水引進(jìn)管以及輔助加...

3-1.研磨盤主體；3-2.數(shù)顯深度測(cè)量指示表；4.安裝支架；5.晶圓加熱器。具體實(shí)施方式為了使本實(shí)用新型的發(fā)明目的、技術(shù)方案及其有益技術(shù)效果更加清晰，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明；在附圖中：一種等離子體cvd晶圓加熱器用表面修磨裝置，其特征在于：從下至上依次設(shè)置有安裝支架4、旋轉(zhuǎn)裝置2、加熱器支撐圓盤1、研磨盤3，晶圓加熱器5設(shè)置在加熱器支撐圓盤1和研磨盤3之間；研磨盤3包括研磨盤主體3-1，研磨盤主體3-1底部設(shè)置有研磨塊3-5、調(diào)節(jié)支撐圓柱3-4，研磨盤主體3-1通過(guò)調(diào)節(jié)螺栓3-3與研磨塊3-5相連接固定，調(diào)節(jié)螺栓3-3的上端設(shè)置有數(shù)顯深度測(cè)量指示表...

本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例：和***實(shí)施例相比之下，第二實(shí)施例的特點(diǎn)是在中心點(diǎn)o處增加了封閉的熱環(huán)5。實(shí)際如圖5所示，所有加熱片中心的自由端與封閉的熱環(huán)5固定連接；對(duì)于熱環(huán)5的形狀可以是橢圓形構(gòu)造，為了確保電阻阻值的一致，加熱片需固定到橢圓形熱環(huán)5軸對(duì)稱位置。但是，如果所述熱環(huán)5的形狀是圓形，則熱環(huán)5只需等間距分布即可。進(jìn)一步地，所述加熱片的數(shù)目是兩組，包括：***加熱片6和第二加熱片7；所述***加熱片6的***迂回端61和第二加熱片7的第二迂回端71彼此縱橫組成曲折的留置區(qū)8。所述中心點(diǎn)o設(shè)有熱環(huán)5且熱環(huán)5與兩組加熱片連通的自由端分別通過(guò)***電極91和第二電極92的與電源連接。固定到環(huán)...

同時(shí)，氮化鋁耐熔融狀態(tài)下金屬的侵蝕，幾乎不受酸的穩(wěn)定。因氮化鋁表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜，人們利用此特性，將它用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。也因?yàn)榈X陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹陶瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。氮化鋁的化學(xué)式為AlN，化學(xué)組成AI約占，N約占。它的粉體為一般是白色或灰白色，單晶狀態(tài)下則是無(wú)色透明的，常壓下的升華分解溫度達(dá)到2450℃。氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱率在170~210W/()之間，而單晶體更可高達(dá)275W/()以上。熱導(dǎo)率高(＞170W/m·K)，接近BeO和SiC；熱膨脹系數(shù)(×10-6℃)與Si(×10-6℃)和GaAs...