半導(dǎo)體二極管的主要特點(diǎn)是具有摻雜性，熱敏性，光敏性。1、摻雜性，當(dāng)往純凈的半導(dǎo)體中摻入煤些物質(zhì)時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電性會(huì)增強(qiáng)。二極管、三極管就是摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體制成的。2、熱敏性，當(dāng)溫渡上升時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)增強(qiáng)。利用該特性可以將某些半導(dǎo)體制成熱敏器件。3、光敏性，...

二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽(yáng)極。由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極，二極管的文字符號(hào)用VD表示。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成...

MRO茗熔熔斷器保險(xiǎn)快速熔斷器RS95B225A人防熔斷器和普通熔斷器的區(qū)別：1、普通熔斷體的熔絲是具有一定幾何形狀的金屬絲構(gòu)成；而人防熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會(huì)在上面點(diǎn)上某種材質(zhì)的焊點(diǎn)，其目的為了使熔絲在過(guò)載情況下迅速斷開(kāi)。2、從功能上來(lái)說(shuō)...

同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(zhǎng)。IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片...

MRO茗熔RS77CZ-800A1000A1250A660V/690VA3-66C-TSRS77CZ用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至660V，額定電流至1250A，主要用在電氣線路中作為半導(dǎo)體設(shè)備的短路保護(hù)（aR）。本系列熔斷體額定分段能力至1...

RGS12-135AMRO茗熔快速熔斷器保險(xiǎn)絲RGS12CR2LGSB135A快熔用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線路中作為半導(dǎo)體設(shè)備的短路保護(hù)（aR）。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔...

電容測(cè)量好壞方法如下。1、在拿到故障電路板時(shí)，可以先用簡(jiǎn)單的目測(cè)法，如果觀測(cè)到電容器有漏液、鼓包，或者有燒焦的痕跡，說(shuō)明這個(gè)電容器已經(jīng)損壞。注意，目測(cè)法只能發(fā)現(xiàn)嚴(yán)重?fù)p壞的電容器，但不能判斷外觀完好的電容器是否正常。2、打開(kāi)數(shù)字萬(wàn)用表，將萬(wàn)用表?yè)艿诫娙輽n位，根據(jù)...

MRO茗熔RT18-63X/3P3極熔斷器座保險(xiǎn)絲座RT18-63RO1614*51熔斷器使用維修:①熔體熔斷時(shí)，要認(rèn)真分析熔斷的原因,可能的原因有:1)短路故障或過(guò)載運(yùn)行而正常熔斷。2)熔體使用時(shí)間過(guò)久，熔體因受氧化或運(yùn)行中溫度高，使熔體特性變化而誤斷。3)...

被動(dòng)電壓平衡PassiveVoltageBalancing被動(dòng)電壓平衡電路是采用與電容并聯(lián)的電阻進(jìn)行分壓，這就允許電流從電壓比較高的電容向電壓比較低的電容流動(dòng)，通過(guò)這種方式進(jìn)行電壓平衡。選擇電阻的阻值是非常重要的，通常要使電阻允許的電流大于電容預(yù)期的漏電流。需...

什么是超級(jí)電容器?◆超級(jí)電容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫雙電層電容器(ElectricalDoule-LayerCapacitor)、黃金電容、法拉電容，通過(guò)極化電解質(zhì)來(lái)儲(chǔ)能。它是一種電化學(xué)元件，但在其儲(chǔ)能的過(guò)程并不發(fā)...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。...

什么是電解電容的再起電壓1、電解電壓的耐壓能力（也就是電容器外表上標(biāo)稱的那個(gè)電壓）必須大于實(shí)際電路中加在電容兩端的電壓值，而且國(guó)產(chǎn)電容一般都有虛標(biāo)可能（大廠的稍微好一些），比如標(biāo)50V，實(shí)際耐壓可能只有40V甚至30V，必須考慮安全裕量。2、耐壓能力不能選太高...

電容從物理學(xué)上講，它是一種靜態(tài)電荷存儲(chǔ)介質(zhì)，可能電荷會(huì)長(zhǎng)久存在，這是它的特征，它的用途較廣，它是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔直流等電路中。 10uF就是106。在表示電...

一個(gè)實(shí)施例提供了包括一個(gè)或多個(gè)以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管由一個(gè)或多個(gè)晶體管限定，晶體管具有在兩個(gè)溝槽之間延伸的至少一個(gè)溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一區(qū)域是...

導(dǎo)致VT1管進(jìn)入飽和狀態(tài)，VT1可能會(huì)發(fā)燒，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒壞VT1。如果VD1出現(xiàn)擊穿故障，會(huì)導(dǎo)致VT1管基極直流偏置電壓下降，三極管VT1直流工作電流減小，VT1管放大能力減小或進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。二極管控制電路及故障處理二極管導(dǎo)通之后，它的正向電阻大小隨電流大小變化...

MRO代理現(xiàn)貨茗熔快速熔斷器RGS4A690V200A160A150A125A100A75A180A660GH熔斷器應(yīng)與配電裝置同時(shí)進(jìn)行維修工作:1)清掃灰塵，檢查接觸點(diǎn)接觸情況。2)檢查熔斷器外觀(取下熔斷器管)有無(wú)損傷、變形，瓷件有無(wú)放電閃爍痕跡。3)檢查...

電解電容器廣泛應(yīng)用于家用電器和各種電子產(chǎn)品中，其容量范圍較大，一般為1~33000μF，額定工作電壓范圍為6.3~700V。其缺點(diǎn)是介質(zhì)損耗、容量誤差較大(最大允許偏差為+100%、-20%)，耐高溫性較差，存放時(shí)間長(zhǎng)容易失效。10uF就是106。在表示電容器...

超級(jí)電容器為何不同于傳統(tǒng)電容器其"超級(jí)"在哪？◆超級(jí)電容器在分離出的電荷中存儲(chǔ)能量，用于存儲(chǔ)電荷的面積越大、分離出的電荷越密集，其電容量越大?！魝鹘y(tǒng)電容器的面積是導(dǎo)體的平板面積，為了獲得較大的容量，導(dǎo)體材料卷制得很長(zhǎng)，有時(shí)用特殊的組織結(jié)構(gòu)來(lái)增加它的表面積。傳統(tǒng)...

把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項(xiàng)用整流二極管的主...

在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。[6]二極管...

中文名：電解電容外文名：electrolyticcapacitor類別：電容適用范圍：物理特點(diǎn)：電容量大簡(jiǎn)介,類型,特點(diǎn),原理,套用,發(fā)展?fàn)顩r,在材料上,在工藝上,在結(jié)構(gòu)上,展望,簡(jiǎn)介電解電容是電容的一種，金屬箔為正極（鋁或鉭），與正極緊貼金屬的氧化膜（氧化鋁...

廠家直銷正浩正熔熔斷器RTORT0380V100A150A200A250A300A400A500A600A熔斷器使用維修:①熔體熔斷時(shí)，要認(rèn)真分析熔斷的原因,可能的原因有:1)短路故障或過(guò)載運(yùn)行而正常熔斷。2)熔體使用時(shí)間過(guò)久，熔體因受氧化或運(yùn)行中溫度高，使熔...

茗熔RO17RT14-63RT18L-12522*58型熔斷器保險(xiǎn)絲10A~63A熔芯熔體額定電流的選擇由于各種電氣設(shè)備都具有一定的過(guò)載能力，允許在-定條件下較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行;而當(dāng)負(fù)載超過(guò)允許值時(shí)，就要求保護(hù)熔體在-定時(shí)間內(nèi)熔斷。還有一些設(shè)備起動(dòng)電流很大,但起動(dòng)時(shí)...

茗熔RO17RT14-63RT18L-12522*58型熔斷器保險(xiǎn)絲10A~63A熔芯熔體額定電流的選擇由于各種電氣設(shè)備都具有一定的過(guò)載能力，允許在-定條件下較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行;而當(dāng)負(fù)載超過(guò)允許值時(shí)，就要求保護(hù)熔體在-定時(shí)間內(nèi)熔斷。還有一些設(shè)備起動(dòng)電流很大,但起動(dòng)時(shí)...

100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅開(kāi)關(guān)二極管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅開(kāi)關(guān)二極管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅開(kāi)關(guān)二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,4...

此外，單個(gè)溝槽可以被提供有例如至少在一側(cè)上的晶體管。此外，在所描述的實(shí)施例中，晶體管的n和p傳導(dǎo)類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽(yáng)極可以同時(shí)反轉(zhuǎn)。上文已描述了具有各種變型的各種實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這些各種實(shí)施例和變型的各種元件進(jìn)行組合。...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻O管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外...

當(dāng)負(fù)荷開(kāi)關(guān)-熔斷器組合電器中的熔斷器的電流介于**小熔斷電流與**小分?jǐn)嚯娏髦g的一個(gè)電流時(shí)，溫度可達(dá)到更高，在這一所謂后備式熔斷器不能安全分?jǐn)嗟奈ｋU(xiǎn)電流范圍內(nèi)，溫度可達(dá)到熔斷器封裝材料的臨界值。參照IEC420以及英國(guó)ASTA22規(guī)程，SIBA公司深入調(diào)查了...

此時(shí)二極管VD1對(duì)級(jí)錄音放大器輸出的信號(hào)也沒(méi)有分流作用。3）當(dāng)電路中的錄音信號(hào)比較大時(shí)，直流控制電壓Ui較大，使二極管VD1導(dǎo)通，錄音信號(hào)愈大，直流控制電壓Ui愈大，VD1導(dǎo)通程度愈深，VD1的內(nèi)阻愈小。4）VD1導(dǎo)通后，VD1的內(nèi)阻下降，級(jí)錄音放大器輸出的錄...

MRO茗熔RGS4-100A690V保險(xiǎn)絲快速熔斷器RGS4660GH100ABS88:茗熔熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至660V，額定電流至100A的電氣裝置中，有三種結(jié)構(gòu)不同的熔體，一種作為電氣線路中的過(guò)載和短路保護(hù)（gG）：另一種作為半導(dǎo)體器設(shè)備的...