而是檢測電源變壓器，因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。（2）對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時，可按前面介紹的故障檢測方法進行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的，進行在路檢測時會相互影響，所以準確的檢測應該將二極管脫開電路。4．電路故障分析如表9-29所示是正、負極性全波整流電路的故障分析。如圖9-25所示是典型的正極性橋式整流電路，VD1～VD4是一組整流二極管，T1是電源變壓器。圖9-25正極性橋式整流電路橋式整流電路具有下列幾個明顯的電路特征和工作特點：（1）每一組橋式整流電路中要用四只整流二極管，或用一只橋堆（一種4只...

假設其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻()是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻()的。于是我們可以得出如下結論:在自然冷卻的情況下，整流橋的散熱主要是通過其引腳線(輸出引腳正負極)與PCB板的焊盤來進行的。因此，在整流橋的損耗不大，并用自然冷卻方式進行散熱時，我們可以通過增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來改善其整流橋的散熱狀況。同時，我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內二極管結溫到周圍環(huán)境間的總熱阻，即:其...

這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4(其導熱系數(shù)小于.℃)，因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進一步說明，在整流橋內部由于器封裝材料是導熱性能較差的FR4，所以其內部的溫度分布極不均勻。我們以后在測量或分析整流橋或相關的其它功率元器件溫度分布時，應著重注意該現(xiàn)象，力圖避免該影響對測量或測試結果產生的影響。折疊結論通過前面對整流橋三種不同形式散熱的分析并結合對一整流橋詳細的仿...

以上就是ASEMI對于整流橋接法的兩個方面介紹正、負極性全波整流電路及故障處理如圖9-24所示是能夠輸出正、負極性單向脈動直流電壓的全波整流電路。電路中的T1是電源變壓器，它的次級線圈有一個中心抽頭，抽頭接地。電路由兩組全波整流電路構成，VD2和VD4構成一組正極性全波整流電路，VD1和VD3構成另一組負極性全波整流電路，兩組全波整流電路共用次級線圈。圖9-24輸出正、負極性直流電壓的全波整流電路1．電路分析方法關于正、負極性全波整流電路分析方法說明下列2點：（1）在確定了電路結構之后，電路分析方法和普通的全波整流電路一樣，只是需要分別分析兩組不同極性全波整流電路，如果已經掌握了全...

以上就是ASEMI對于整流橋接法的兩個方面介紹正、負極性全波整流電路及故障處理如圖9-24所示是能夠輸出正、負極性單向脈動直流電壓的全波整流電路。電路中的T1是電源變壓器，它的次級線圈有一個中心抽頭，抽頭接地。電路由兩組全波整流電路構成，VD2和VD4構成一組正極性全波整流電路，VD1和VD3構成另一組負極性全波整流電路，兩組全波整流電路共用次級線圈。圖9-24輸出正、負極性直流電壓的全波整流電路1．電路分析方法關于正、負極性全波整流電路分析方法說明下列2點：（1）在確定了電路結構之后，電路分析方法和普通的全波整流電路一樣，只是需要分別分析兩組不同極性全波整流電路，如果已經掌握了全...

而是檢測電源變壓器，因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。（2）對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時，可按前面介紹的故障檢測方法進行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的，進行在路檢測時會相互影響，所以準確的檢測應該將二極管脫開電路。4．電路故障分析如表9-29所示是正、負極性全波整流電路的故障分析。如圖9-25所示是典型的正極性橋式整流電路，VD1～VD4是一組整流二極管，T1是電源變壓器。圖9-25正極性橋式整流電路橋式整流電路具有下列幾個明顯的電路特征和工作特點：（1）每一組橋式整流電路中要用四只整流二極管，或用一只橋堆（一種4只...

b)整流橋自帶散熱器。1、整流橋不帶散熱器對于整流橋不帶散熱器而采用強迫風冷這種情況，其分析的過程同自然冷卻一樣，只不過在計算整流橋外殼向環(huán)境間散熱的熱阻和PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻時，對其換熱系數(shù)的選擇應該按照強迫風冷情形來進行，其數(shù)值通常為20~30W/m2C。也即是:于是可以得到整流橋殼體表面的傳熱熱阻和通過引腳的傳熱熱阻為:于是整流橋的結-環(huán)境的總熱阻為:由上述整流橋不帶散熱器的強迫對流冷卻分析中可以看出，通過整流橋殼體表面的散熱途徑與通過引腳進行散熱的熱阻是相當?shù)?，一方面我們可以通過增加其冷卻風速的大小來改變整流橋的換熱狀況，另一方面我們也可以采用增大PCB板上銅的覆蓋率...

所述負載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的采樣管腳cs，另一端接地。本實施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅動電源應用，適用于高壓buck(5w～25w)。實施例三如圖5所示，本實施例提供一種合封整流橋的封裝結構，與實施例一及實施例二的不同之處在于，所述整流橋的設置方式不同，且還包括瞬態(tài)二極管dtvs。如圖5所示，在本實施例中，所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極...

整流橋的作用就是能夠通過二極管的單向導通的特性將電平在零點上下浮動的交流電轉換為單向的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實現(xiàn)的，它們的原理完全相同作用就是整流，把交流電變?yōu)橹绷麟?。實質上就是把4個硅二極管接成橋式整流電路之后封裝在一起用塑料包裝起來，引出4個腳，其中2個腳接交流電源，用~~符號表示，2個腳是直流輸出，用+-表示。特點是方便小巧。不占地方。規(guī)格型號一般直接用參數(shù)表示：50伏1安，100伏5安等等。如果你要使用整流橋，選擇的時候留點余量，例如要做12伏2安培輸出的整流電源，就可以選擇25伏5安培的橋。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應用于各種電源設備。其內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋進行解剖會發(fā)現(xiàn)，其內部的結構所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內的四個主要發(fā)熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引**流輸入導線）相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。...

整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內部短路引起。在排除內部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負載短路，絕緣不好，負荷電流過大引起；3、頻繁的啟停電源，若是感性負載屬于儲能元件！那么會產生反電動勢。將整流元件反向擊穿。在橋整流時只要一個壞了。則對稱橋臂必燒壞！4、個別元件使用時間較長，質量下降！5、輸入電壓過高。整流橋模塊壞了的解決辦法（1）找到引起整流橋模塊損壞的根本原因，并消除，防止換上新整流橋又發(fā)生損壞。（2）更換新整流橋模塊，對焊接的整流橋模塊需確...

折疊摘要應用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎上提出一種在技術上可行、使用上操作性強的測量整流橋殼溫的方法，為電源產品合理應用整流橋提供借鑒。關鍵詞:整流橋殼溫測量方法折疊前言整流橋作為一種功率元器件，非常廣。應用于各種電源設備。其內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率...

如上所述，本實用新型的合封整流橋的封裝結構及電源模組，具有以下有益效果：本實用新型的合封整流橋的封裝結構及電源模組將整流橋、功率開關管、邏輯電路通過一個引線框架封裝在同一個塑封體中，以此減小封裝成本。附圖說明圖1顯示為本實用新型的合封整流橋的封裝結構的一種實現(xiàn)方式。圖2顯示為本實用新型的電源模組的一種實現(xiàn)方式。圖3顯示為本實用新型的合封整流橋的封裝結構的另一種實現(xiàn)方式。圖4顯示為本實用新型的電源模組的另一種實現(xiàn)方式。圖5顯示為本實用新型的合封整流橋的封裝結構的又一種實現(xiàn)方式。圖6顯示為本實用新型的電源模組的又一種實現(xiàn)方式。圖7顯示為本實用新型的電源模組的再一種實現(xiàn)方式。元件標號說明...

1、鋁基導熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結支撐和導熱通道，并作為整個模塊的結構基礎。因此，它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大，為此，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊的接觸熱阻，保證模塊的出力。2、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它具有優(yōu)良的導熱性、絕緣性和易焊性...

一插片、第二插片之間通過線圈架隔開，可以明顯增大爬電距離，從而提高了電氣性能和可靠性，提升了產品質量；而且整流橋堆放置在線圈架繞線的不同側，減少了線圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個繞組的二次損傷。附圖說明圖1為本實用新型的結構示意圖。圖2為本實用新型的圖。圖3為本實用新型線圈架的結構示意圖。圖4為本實用新型整流橋堆的構示意圖。具體實施方式為了使本技術領域的人員更好的理解本實用新型方案，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述。如圖1-4所示，一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構，包線圈架1、繞組、插片組件及塑封殼，其中所述線圈架1為一塑料架，該...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強迫風冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環(huán)境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過引腳散熱的熱阻:此時的熱阻同整流橋不帶散熱器進行強迫風冷時的情形一樣，于是有:于是我們可以得到，在整流橋帶散熱器進行強迫風冷時的散熱總熱阻為上述兩個傳熱途徑的并聯(lián)熱阻:仔細分析上述的計算過程和各個傳熱途徑的熱阻數(shù)值，我們可以得出在整流橋帶散熱器進行強迫風冷時的如下結論:①在上述的三個傳熱途徑中(整流橋正面?zhèn)鳠?、整流橋背面通過散熱器的傳熱和整流...

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱性能。一、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個殼內了，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。二、整流橋作用整流橋作為一種功率元器件，非常***。應用于各種電源設備。三、整流橋工作原理整流橋有多種方法可以用整流二極管將交流電轉換為直流電，包括半波整流、...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻...

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測量上易于實現(xiàn)，還不會給終的計算帶來不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強迫風冷時的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程，在此本文通過仿真軟件詳細的整流橋模型來對帶有散熱器、強迫風冷下的整流橋散熱問題進行進一步的闡述。圖5、仿真計算模型如上圖是仿真計算的模型外型圖。在該模型中，通過解剖一整流橋后得到的相關尺寸參數(shù)來進行仿真分析模型的建立。其仿真分析結果如下所示:圖6、整流橋散熱器基板溫度分布有上圖可以看出，整流橋散熱器的基板溫度分布相對而言還是比較均勻的，約...

整流橋的作用就是能夠通過二極管的單向導通的特性將電平在零點上下浮動的交流電轉換為單向的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實現(xiàn)的，它們的原理完全相同作用就是整流，把交流電變?yōu)橹绷麟?。實質上就是把4個硅二極管接成橋式整流電路之后封裝在一起用塑料包裝起來，引出4個腳，其中2個腳接交流電源，用~~符號表示，2個腳是直流輸出，用+-表示。特點是方便小巧。不占地方。規(guī)格型號一般直接用參數(shù)表示：50伏1安，100伏5安等等。如果你要使用整流橋，選擇的時候留點余量，例如要做12伏2安培輸出的整流電源，就可以選擇25伏5安培的橋。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。...

以及設置于所述塑封體內的整流橋、功率開關管、邏輯電路、至少兩個基島；其中，所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳，一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳；所述邏輯電路的控制信號輸出端輸出邏輯控制信號，高壓端口連接所述功率開關管的漏極，采樣端口連接所述采樣管腳，接地端口連接所述信號地管腳；所述功率開關管的柵極連接所述邏輯控制信號，漏極連接所述漏極管腳，源極連接所述采樣管腳；所述功率開關管及所述邏輯電路分立設置或集成于控制芯片內?？蛇x地，所述火線管腳、所述零線管腳、所述高壓供電...

假設其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻()是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻()的。于是我們可以得出如下結論:在自然冷卻的情況下，整流橋的散熱主要是通過其引腳線(輸出引腳正負極)與PCB板的焊盤來進行的。因此，在整流橋的損耗不大，并用自然冷卻方式進行散熱時，我們可以通過增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來改善其整流橋的散熱狀況。同時，我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內二極管結溫到周圍環(huán)境間的總熱阻，即:其...

所述功率開關管可通過所述信號地基島14及所述信號地管腳gnd實現(xiàn)散熱。需要說明的是，所述控制芯片12可根據(jù)設計需要設置在不同的基島上。當設置于所述信號地基島14上時所述控制芯片12的襯底與所述信號地基島14電連接，散熱效果好。當設置于其他基島上時所述控制芯片12的襯底與該基島絕緣設置，包括但不限于絕緣膠，以防止短路，散熱效果略差。具體設置方式可根據(jù)需要進行設定，在此不一一贅述。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用兩基島架構，將整流橋，功率開關管及邏輯電路集成在一個引線框架內，其中，一個引線框架是指形成于同一塑封體中的管腳、基島、金屬引線及其他金屬連接結構；由此，本實施例可降低封裝成本...

這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底...

使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導體芯片：超快恢復二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結是玻璃鈍化保護，并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂，這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所...

n型二極管的下層為n型摻雜區(qū)，上層為p型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁；第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管，p型二極管的下層為p型摻雜區(qū)，上層為n型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于信號地基島14上，負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻...

包括但不限于高壓供電基島13或漏極基島15)或不同基島(包括但不限于高壓供電基島13及漏極基島15)，在此不一一贅述。作為本實施例的一種實現(xiàn)方式，如圖5所示，所述整流橋設置于火線基島16及零線基島17上。具體地，所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn)，其中，第五整流二極管dz5及第六整流二極管dz6為n型二極管，所述第七整流二極管dz7及第八整流二極管dz8為p型二極管。所述第五整流二極管dz5的負極通過導電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上，正極通過金屬引線連接所述信號地管腳gnd。所述第六整流二極管dz6的負極通過導電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上，正極通過金屬引線連...

本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結構及電源模組。背景技術：目前照明領域led驅動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用，由于用量十分巨大，對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓撲架構基本已經定型，很難再從外圈節(jié)省某個元器件，同時芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個不同封裝的芯片，導致芯片的封裝成本高，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此，如何節(jié)省封裝成本，已成為本領域技術人員亟待...