PoP(Package-on-Package)，是用于將邏輯器件和存儲(chǔ)器器件進(jìn)行疊層封裝的技術(shù)。通常情況下底層多為邏輯器件，例如移動(dòng)電話(huà)基帶（調(diào)制解調(diào)器）處理器或應(yīng)用處理器，上層為存儲(chǔ)器，例如閃存或者疊層內(nèi)存芯片。顯然，這種垂直組合封裝的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省了電路板空間。適用于需要在更小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能的應(yīng)用，例如數(shù)碼相機(jī)、PDA、MP3 播放器和移動(dòng)游戲設(shè)備等。POP的工藝流程，PoP的組裝方式目前有兩種。一種是預(yù)制PoP工序，即先將PoP的多層封裝堆疊到一起，焊接成一個(gè)元器件，再貼裝到PCB上，然后再進(jìn)行一次回流焊。一種是在板PoP工序上，依次將底部的BGA和頂部BGA封裝在PCB上，然后過(guò)一...

包裝，主要目的是保證運(yùn)輸過(guò)程中的產(chǎn)品安全，及長(zhǎng)期存放時(shí)的產(chǎn)品可靠性。對(duì)包裝材料的強(qiáng)度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。主要材料有Tray盤(pán)，抗靜電袋，干燥劑、濕度卡，紙箱等。包裝完畢后，直接入庫(kù)或按照要求裝箱后直接發(fā)貨給客戶(hù)。倒裝焊封裝工藝工序介紹，焊盤(pán)再分布，為了增加引線(xiàn)間距并滿(mǎn)足倒裝焊工藝的要求，需要對(duì)芯片的引線(xiàn)進(jìn)行再分布。制作凸點(diǎn)，焊盤(pán)再分布完成之后，需要在芯片上的焊盤(pán)添加凸點(diǎn)，焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印盡4法。目前仍以電鍍法較為普遍，其次是焊膏印刷法。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線(xiàn)鍵合封裝和倒裝焊兩種...

異形元件處理，Socket / 層疊型等異形元件，因便攜式產(chǎn)品的不斷發(fā)展，功能集成越來(lái)越多，勢(shì)必要求在原SIP工藝基礎(chǔ)上，增加更多功能模塊，傳統(tǒng)的電容電阻已無(wú)法滿(mǎn)足多功能集成化要求，因此需要引入異形元件進(jìn)行擴(kuò)展，因此如何在精密化的集成基板上，進(jìn)行異形元件的貼裝，給工藝帶來(lái)不小挑戰(zhàn)，這就要求設(shè)備精度高，穩(wěn)定性好，處理更智能化方可滿(mǎn)足。成本，前期投入大，回報(bào)周期長(zhǎng)，工藝復(fù)雜，人工成本高，產(chǎn)品良率低，耗損大。需要大型，穩(wěn)定，利潤(rùn)率較大的項(xiàng)目方能支撐SIP技術(shù)的持續(xù)運(yùn)行。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。山東COB封裝哪家好隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體...

SiP具有以下優(yōu)勢(shì)：小型化 – 半導(dǎo)體制造的一個(gè)極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實(shí)在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和小工具的新時(shí)代變得越來(lái)越重要。但是，當(dāng)系統(tǒng)中只有幾個(gè)組件可以縮小時(shí)，維護(hù)起來(lái)變得越來(lái)越困難。SiP在這里大放異彩，因?yàn)樗梢蕴峁└玫男酒珊透o密的無(wú)源集成。通過(guò)這種方式，SiP方法可以將給定系統(tǒng)的整體尺寸減小多達(dá)65%。簡(jiǎn)化 – SiP方法允許芯片設(shè)計(jì)人員使用更抽象的構(gòu)建模塊，從而具有更高的周轉(zhuǎn)率和整體更短的設(shè)計(jì)周期的優(yōu)勢(shì)。此外，BOM也得到了簡(jiǎn)化，從而減少了對(duì)已經(jīng)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的模塊的測(cè)試。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的優(yōu)勢(shì)。江西系統(tǒng)級(jí)封裝服務(wù)商模擬模塊無(wú)法從較低的...

異形元件處理，Socket / 層疊型等異形元件，因便攜式產(chǎn)品的不斷發(fā)展，功能集成越來(lái)越多，勢(shì)必要求在原SIP工藝基礎(chǔ)上，增加更多功能模塊，傳統(tǒng)的電容電阻已無(wú)法滿(mǎn)足多功能集成化要求，因此需要引入異形元件進(jìn)行擴(kuò)展，因此如何在精密化的集成基板上，進(jìn)行異形元件的貼裝，給工藝帶來(lái)不小挑戰(zhàn)，這就要求設(shè)備精度高，穩(wěn)定性好，處理更智能化方可滿(mǎn)足。成本，前期投入大，回報(bào)周期長(zhǎng)，工藝復(fù)雜，人工成本高，產(chǎn)品良率低，耗損大。需要大型，穩(wěn)定，利潤(rùn)率較大的項(xiàng)目方能支撐SIP技術(shù)的持續(xù)運(yùn)行。先進(jìn)封裝對(duì)于精度的要求非常高，因?yàn)榉庋b中的芯片和其他器件的尺寸越來(lái)越小，而封裝密度卻越來(lái)越大。山西半導(dǎo)體芯片封裝廠(chǎng)家硅中介層具有TS...

汽車(chē)汽車(chē)電子是 SiP 的重要應(yīng)用場(chǎng)景。汽車(chē)電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。以發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）舉例，ECU 由微處理器（CPU）、存儲(chǔ)器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D）以及整形、驅(qū)動(dòng)等大規(guī)模集成電路組成。各類(lèi)型的芯片之間工藝不同，目前較多采用 SiP 的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統(tǒng)。另外，汽車(chē)防抱死系統(tǒng)（ABS)、燃油噴射控制系統(tǒng)、安全氣囊電子系統(tǒng)、方向盤(pán)控制系統(tǒng)、輪胎低氣壓報(bào)警系統(tǒng)等各個(gè)單元，采用 SiP 的形式也在不斷增多。SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。山東芯片封裝價(jià)格元件密集化，Chip元件密集化，隨著SIP元件的...

無(wú)須引線(xiàn)框架的BGA：1、定義，LSI芯片四周引出來(lái)的像蜈蚣腳一樣的端子為引線(xiàn)框架，而B(niǎo)GA（Ball Grid Array）無(wú)須這種引線(xiàn)框架。2、意義：① 隨著LSI向高集成度、高性能不斷邁進(jìn)，引腳數(shù)量不斷增加（如DIP與QFP等引線(xiàn)框架類(lèi)型的封裝，較大引腳數(shù)、引腳間距、切筋使用的刀片厚度與精度均達(dá)到極限）；② 引線(xiàn)框架的引腳越小，彎曲問(wèn)題就越嚴(yán)重，會(huì)嚴(yán)重妨礙后續(xù)線(xiàn)路板的安裝，因此需要尋求不需要引線(xiàn)端子的封裝，即BGA類(lèi)型的封裝（需在封裝樹(shù)脂底板上植球（焊錫球），以及分割封裝的工序）。汽車(chē)電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。上海BGA封裝技術(shù)SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選...

構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。后者包括傳統(tǒng)封裝工藝(Wirebond和FlipChip)JI和SMT設(shè)備。無(wú)源器件是SiP的一個(gè)重要組成部分，其中一些可以與載體集成為一體(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、數(shù)值高的電感、電容等)通過(guò)SMT組裝在載體上。SiP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術(shù)狀況看，SiP本身沒(méi)有特殊的工藝或材料。這并不是說(shuō)具備傳統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)就掌握了SiP技術(shù)。由于SiP的產(chǎn)業(yè)模式不再是單一的代工，模塊劃分和電路設(shè)計(jì)是另外的重要因素。通信SiP在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域...

在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-Package）技術(shù)嶄露頭角，通過(guò)將多個(gè)裸片（Die）和無(wú)源器件融合在單個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。這項(xiàng)技術(shù)為芯片成品增加了明顯的集成度，有效減小產(chǎn)品體積，并在降低功耗方面取得了一定的成果。具體而言，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線(xiàn)等多功能器件整合在同一基板上，通過(guò)精密的鍵合和封裝過(guò)程，創(chuàng)造了一個(gè)外觀(guān)類(lèi)似單一芯片的模塊。盡管仍呈現(xiàn)芯片狀，但這一模塊實(shí)現(xiàn)了多顆芯片協(xié)同工作的強(qiáng)大功能。SiP封裝為芯片提供支撐，散熱和保護(hù)，同時(shí)提供芯片與基板之間的供電和機(jī)械鏈接。四川半導(dǎo)體芯片封裝廠(chǎng)商SiP具有以下優(yōu)勢(shì)：...

SiP模塊可靠度及失效分析，由于內(nèi)部線(xiàn)路和基板之間的復(fù)雜鏈接，當(dāng)模塊出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，分析微米級(jí)組件的異常變得特別具有挑戰(zhàn)性，尤其是在電性測(cè)試期間，其他部件的導(dǎo)電性會(huì)影響測(cè)定結(jié)果。而且某些異常污染可能光只有幾奈米的厚度，如：氧化或微侵蝕，使用一般的光學(xué)或電子顯微鏡根本無(wú)法發(fā)現(xiàn)。為了將制程問(wèn)題降至較低，云茂電子在SiP模塊失效分析領(lǐng)域持續(xù)強(qiáng)化分析能力，以X射線(xiàn)檢測(cè)(3D X–ray)、材料表面元素分析(XPS) 及傅立葉紅外線(xiàn)光譜儀（FTIR）等三大品管儀器找出解決之道。 隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。四川WLCSP封裝供應(yīng)在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-...

合封電子、芯片合封和SiP系統(tǒng)級(jí)封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù)，還是同一種技術(shù)的不同稱(chēng)呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個(gè)意思合封電子是一種將多個(gè)芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。除了2D與3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的涵蓋范圍。江蘇系統(tǒng)級(jí)封裝定制SiP 封裝優(yōu)勢(shì)。在IC封裝領(lǐng)域，是一種先進(jìn)的...

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個(gè)與外部沒(méi)有任何連接的單獨(dú)組件。它是一個(gè)定制組件，非常適合它想要做的工作，同時(shí)不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)通信。此外，它應(yīng)該相對(duì)便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運(yùn)行，并在發(fā)生故障時(shí)廉價(jià)更換。隨著對(duì)越來(lái)越簡(jiǎn)化和系統(tǒng)級(jí)集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級(jí)封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因?yàn)橄到y(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來(lái)越接近較終目標(biāo)：較終SiP。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個(gè)封...

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀(guān)世界并不存在的維度，因?yàn)槠浼擅芏瘸搅?D，但又達(dá)不到3D集成密度，取其折中，因此被稱(chēng)為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺(tái)積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無(wú)源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無(wú)源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線(xiàn)和過(guò)孔，在XY平面的下方有基板的布線(xiàn)和過(guò)孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也...

通信SiP 在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。在無(wú)線(xiàn)通訊領(lǐng)域，對(duì)于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來(lái)越高，迫使無(wú)線(xiàn)通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP 是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢(shì)，降低成本，縮短上市時(shí)間，同時(shí)克服了 SOC 中諸如工藝兼容、信號(hào)混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機(jī)中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)等功能，完整地在 SiP 中得到了解決。SiP 實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。江蘇IPM封裝SIP工藝解析，引線(xiàn)鍵合封裝工藝工序介紹：圓片減薄，為保持一定的可操持性，F(xiàn)oundry出來(lái)的圓厚度一...

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種集成封裝技術(shù)，在滿(mǎn)足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以其更小、薄、輕和更多功能的競(jìng)爭(zhēng)力，為芯片和器件整合提供了新的可能性，目前其主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)樯漕l／無(wú)線(xiàn)應(yīng)用、移動(dòng)通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、計(jì)算機(jī)和外設(shè)、數(shù)碼產(chǎn)品、圖像、生物和MEMS傳感器等。固晶貼片機(jī)（Die bonder），是封裝過(guò)程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設(shè)備。隨著SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、3D封裝等先進(jìn)封裝的普及，對(duì)固晶機(jī)設(shè)備在性能方面提出了更高的需求。SiP系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種集成封裝技術(shù)，在滿(mǎn)足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。河南半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)SiP還具有以下更多優(yōu)勢(shì)：小型化 – 半導(dǎo)體制造的一個(gè)極...

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術(shù)中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線(xiàn)，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對(duì)較大的場(chǎng)合，當(dāng)引腳密度較大時(shí)，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無(wú)TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個(gè)較小的裸芯片，但是小芯片無(wú)法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，...

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體路線(xiàn)組織（ITRS）的定義： SiP（System-in-package）為將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。SiP技術(shù)特點(diǎn)：組件集成，SiP可以包含各種類(lèi)型的組件，如：數(shù)字和模擬集成電路，無(wú)源元件（電阻、電容、電感），射頻（RF）組件，功率管理模塊，內(nèi)存芯片（如DRAM、Flash），傳感器和微電機(jī)系統(tǒng)（MEMS）。在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-Package）技術(shù)嶄露頭角。上海陶瓷封裝價(jià)格較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個(gè)...

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個(gè)與外部沒(méi)有任何連接的單獨(dú)組件。它是一個(gè)定制組件，非常適合它想要做的工作，同時(shí)不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)通信。此外，它應(yīng)該相對(duì)便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運(yùn)行，并在發(fā)生故障時(shí)廉價(jià)更換。隨著對(duì)越來(lái)越簡(jiǎn)化和系統(tǒng)級(jí)集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級(jí)封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因?yàn)橄到y(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來(lái)越接近較終目標(biāo)：較終SiP。SiP封裝是將多個(gè)半導(dǎo)體及一些必要的輔助零件，做成一個(gè)相對(duì)單獨(dú)的...

不同類(lèi)別芯片進(jìn)行3D集成時(shí)，通常會(huì)把兩個(gè)不同芯片豎直疊放起來(lái)，通過(guò)TSV進(jìn)行電氣連接，與下面基板相互連接，有時(shí)還需在其表面做RDL，實(shí)現(xiàn)上下TSV連接。4D SIP，4D集成定義主要是關(guān)于多塊基板的方位和相互連接方式，因此在4D集成也會(huì)包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理結(jié)構(gòu)：多塊基板采用非平行的方式進(jìn)行安裝，且每一塊基板上均設(shè)有元器件，元器件的安裝方式具有多樣性。電氣連接：基板間采用柔性電路或焊接的方式相連，基板中芯片的電氣連接多樣化。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。陜西陶瓷封裝參考價(jià)SiP技術(shù)特點(diǎn)：設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，SiP技術(shù)允許設(shè)計(jì)師將來(lái)自不同制造商...

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時(shí)減少了對(duì)外圍器件的依賴(lài)。更為重要的是，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝為設(shè)備提供了更高的性能和更低的能耗，使得電子產(chǎn)品在緊湊設(shè)計(jì)的同時(shí)仍能實(shí)現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報(bào)告，2022年，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入達(dá)到212億美元。受5G、人工智能、高性能計(jì)算、自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細(xì)分市場(chǎng)的異構(gòu)集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢(shì)的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2028年，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入將達(dá)到338億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為8.1%。隨著集成的功能越來(lái)越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上。南通COB封裝技術(shù)近年來(lái)，半導(dǎo)體公司面臨更復(fù)雜的高集成度芯片封...

sip封裝的優(yōu)缺點(diǎn)，SIP封裝的優(yōu)缺點(diǎn)如下：優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單：SIP封裝的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，制造和組裝過(guò)程相對(duì)容易。成本低：SIP封裝的制造成本較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)?？煽啃愿撸篠IP封裝具有較好的密封性能，可以免受環(huán)境影響，提高產(chǎn)品的可靠性。適應(yīng)性強(qiáng)：SIP封裝適用于對(duì)性能要求不高且需要大批量生產(chǎn)的低成本電子產(chǎn)品。缺點(diǎn)：引腳間距限制：SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23不等，這限制了其在一些高密度、高性能應(yīng)用中的使用。不適用于高速傳輸：由于SIP封裝的引腳間距較大，不適合用于高速數(shù)據(jù)傳輸。散熱性能差：SIP封裝的散熱性能較差，可能不適用于高功耗的芯片。SiP是使用成熟的組裝和互...

電鍍鎳金：電鍍是指借助外界直流電的作用，在溶液中進(jìn)行電解反應(yīng)，是導(dǎo)電體（例如金屬）的表面趁機(jī)金屬或合金層。電鍍分為電鍍硬金和軟金工藝，鍍硬金與軟金的工藝基本相同，槽液組成也基本相同，區(qū)別是硬金槽內(nèi)添加了一些微量金屬鎳或鈷或鐵等元素，由于電鍍工藝中鍍層金屬的厚度和成分容易控制，并且平整度優(yōu)良，所以在采用鍵合工藝的封裝基板進(jìn)行表面處理時(shí)，一般采用電鍍鎳金工藝，鋁線(xiàn)的鍵合一般采用硬金，金線(xiàn)的鍵合一般都用軟金。在電源、車(chē)載通訊方面也開(kāi)始進(jìn)行了 SiP 探索和開(kāi)發(fā)實(shí)踐。深圳半導(dǎo)體芯片封裝廠(chǎng)商SIP封裝（System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝）是將多種功能晶圓，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能晶圓根據(jù)應(yīng)...

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。合封芯片技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù)，所以合封技術(shù)范圍更廣，技術(shù)更全，功能更多。為了在如此有挑戰(zhàn)的條件下達(dá)到優(yōu)異和一致的印刷表現(xiàn)，除了良好的印刷機(jī)設(shè)置及合適的鋼網(wǎng)技術(shù)以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統(tǒng)、流變性和坍塌特性就很關(guān)鍵。隨著集成的功能越來(lái)越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上。山西芯片封裝參考價(jià)較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)...

SIP工藝解析：表面打標(biāo)，打標(biāo)就是在封裝模塊的頂表面印上去不掉的、字跡清楚的字母和標(biāo)識(shí)，包括制造商的信息、國(guó)家、器件代碼等，主要介紹激光印碼。測(cè)試，它利用測(cè)試設(shè)備(Testing Equipment)以及自動(dòng)分選器(Handler)，測(cè)定封裝IC的電氣特性，把良品、不良品區(qū)分開(kāi)來(lái);對(duì)某些產(chǎn)品，還要根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行良品的分級(jí)。測(cè)試按功能可分為DC測(cè)試(直流特性)、AC測(cè)試(交流特性或timing特性)及FT測(cè)試(邏輯功能測(cè)試)三大類(lèi)。同時(shí)還有一些輔助工序，如BT老化、插入、拔出、實(shí)裝測(cè)試、電容充放電測(cè)試等。SiP 封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。廣西SIP封裝測(cè)試3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)...

SIP封裝（System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝）是將多種功能晶圓，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能晶圓根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景、封裝基板層數(shù)等因素，集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整功能的封裝方案。SIP封裝是一種電子器件封裝方案，將多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能。應(yīng)用在進(jìn)行電子產(chǎn)品的制作中，電子器件的不同封裝方式影響器件的尺寸和設(shè)計(jì)方案。SIP封裝一般采用單列直插形式，按引腳數(shù)分類(lèi)有2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、16、20引腳。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線(xiàn)鍵合封裝和倒裝焊兩種。遼寧ME...

合封電子技術(shù)就是包含SiP封裝技術(shù)，所以合封技術(shù)范圍更廣，技術(shù)更全，功能更多。合封電子應(yīng)用場(chǎng)景，合封電子的應(yīng)用場(chǎng)景：合封電子可用于需要多功能、高性能、高穩(wěn)定性、低功耗、省成本的應(yīng)用場(chǎng)景。例如家居電子：智能環(huán)境監(jiān)測(cè)系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)室內(nèi)空氣質(zhì)量、溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)，并根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。遙控玩具：遙控車(chē)可以集成多種傳感器和執(zhí)行器，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)避障、自動(dòng)跟隨等功能。......應(yīng)用場(chǎng)景比較全，可以采購(gòu)原有云茂電子，還能進(jìn)行定制化云茂電子服務(wù)。從某種程度上說(shuō)：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。江西COB封裝SiP技術(shù)特點(diǎn)：制造工藝，SiP的制造涉及多種工藝，包括：基板技術(shù)：提供電氣...

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀(guān)世界并不存在的維度，因?yàn)槠浼擅芏瘸搅?D，但又達(dá)不到3D集成密度，取其折中，因此被稱(chēng)為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺(tái)積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無(wú)源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無(wú)源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線(xiàn)和過(guò)孔，在XY平面的下方有基板的布線(xiàn)和過(guò)孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也...

電鍍鎳金：電鍍是指借助外界直流電的作用，在溶液中進(jìn)行電解反應(yīng)，是導(dǎo)電體（例如金屬）的表面趁機(jī)金屬或合金層。電鍍分為電鍍硬金和軟金工藝，鍍硬金與軟金的工藝基本相同，槽液組成也基本相同，區(qū)別是硬金槽內(nèi)添加了一些微量金屬鎳或鈷或鐵等元素，由于電鍍工藝中鍍層金屬的厚度和成分容易控制，并且平整度優(yōu)良，所以在采用鍵合工藝的封裝基板進(jìn)行表面處理時(shí)，一般采用電鍍鎳金工藝，鋁線(xiàn)的鍵合一般采用硬金，金線(xiàn)的鍵合一般都用軟金。SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。上海WLCSP封裝定制什么是系統(tǒng)級(jí)封裝SIP？1、SIP介紹，SIP（System In Package，系統(tǒng)級(jí)封裝）...

SiP芯片成品的制造過(guò)程，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)種類(lèi)繁多，本文以雙面塑封SiP產(chǎn)品為例，簡(jiǎn)要介紹SiP芯片成品的制造過(guò)程。SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。無(wú)源器件貼片，倒裝芯片封裝（Flip Chip）貼片——裸片（Die）通過(guò)凸點(diǎn)（Bump）與基板互連，回流焊接（正面）——通過(guò)控制加溫熔化封裝錫膏達(dá)到器件與基板間的鍵合焊線(xiàn)，鍵合（Wire Bond）——通過(guò)細(xì)金屬線(xiàn)將裸片與基板焊盤(pán)連接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及元器件。系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)是通過(guò)將多個(gè)裸片（Die）及無(wú)源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。陜西...

合封芯片、芯片合封和SiP系統(tǒng)級(jí)封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù)，還是同一種技術(shù)的不同稱(chēng)呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封芯片與SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的定義，首先合封芯片和芯片合封都是一個(gè)意思，合封芯片是一種將多個(gè)芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。合封芯片可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿(mǎn)足其貼片要求。江西COB封裝方案基板的分類(lèi)：封裝基板的分類(lèi)有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強(qiáng)...