北京高效異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

太陽能異質(zhì)結(jié)電池工藝 1.清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進(jìn)行制絨，以形成絨面結(jié)構(gòu)達(dá)到陷光效果，減少反射損失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作為鈍化層，然后再沉積摻雜層；3.正面/背面TCO沉積。通過PVD在鈍化層上面進(jìn)行TCO薄膜沉積；4.柵線電極。通過絲網(wǎng)印刷進(jìn)行柵線電極制作；5.烘烤(退火)。通過絲網(wǎng)印刷進(jìn)行正面柵線電極制作，然后通過低溫?zé)Y(jié)形成良好的接觸；6.光注入。7.電池測(cè)試及分選。異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一：PVD設(shè)備。北京高效異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復(fù)合活性高的異質(zhì)界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會(huì)成為復(fù)合中心，因此需要進(jìn)行化學(xué)鈍化；化學(xué)鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來完成，將非晶硅薄膜中的缺陷和界面懸掛鍵飽和來減少復(fù)合性缺陷態(tài)密度。摻雜非晶硅薄膜沉積場(chǎng)鈍化主要在電池背面沉積同型摻雜非晶硅薄層形成背電場(chǎng)，可以削弱界面的復(fù)合，達(dá)到減少載流子復(fù)合和獲取更多光生載流子的目的；摻雜非晶硅薄膜一般采用與沉積本征非晶硅膜層相似的等離子體系統(tǒng)來完成；p型摻雜常用的摻雜源為硼烷(B2H6)混氫,或者三甲基硼(TMB)；n型摻雜則用磷烷混氫（PH3)。優(yōu)越的表面鈍化能力是獲得較高電池效率的重要條件，利用非晶硅優(yōu)異的鈍化效果，可將硅片的少子壽命大幅度提升。江西N型異質(zhì)結(jié)報(bào)價(jià)光伏異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，由非晶硅層和晶體硅層組成，具有制造工藝簡(jiǎn)單、快速和低成本的優(yōu)勢(shì)。

異高效質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫，是一種N型單晶雙面電池，具有工藝簡(jiǎn)單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)。異質(zhì)結(jié)太陽能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)26.3%，由隆基團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%，同時(shí)使用低溫度加工，通常整個(gè)過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時(shí)保持高產(chǎn)量。

異質(zhì)結(jié)電池的優(yōu)勢(shì)有，優(yōu)勢(shì)一：工藝流程短HJT電池主工藝有4道：制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲網(wǎng)印刷；遠(yuǎn)少于PERC（10個(gè)）和TOPCON（12-13個(gè)）；其中，非晶硅沉積主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有兩種方法：RPD(反應(yīng)等離子沉積)和PVD。優(yōu)勢(shì)二：轉(zhuǎn)換效率高得益于N型硅襯底以及非晶硅對(duì)基底表面缺陷的雙重鈍化作用。目前量產(chǎn)效率普遍已在25%以上；更高的轉(zhuǎn)化效率需要在前后表面使用摻雜納米晶硅、摻雜微晶硅、摻雜微晶氧化硅、摻雜微晶碳化硅取代現(xiàn)有的摻雜。HJT效率潛力超28%，遠(yuǎn)高PERC電池。優(yōu)勢(shì)三：無LID&PID，低衰減無LID與PID：由于HJT電池襯底通常為N型單晶硅，而N型單晶硅為磷摻雜，不存在P型晶硅中的硼氧復(fù)合、硼鐵復(fù)合等，所以HJT電池對(duì)于LID效應(yīng)是免疫的。HJT電池的表面沉積有TCO薄膜，無絕緣層，因此無表面層帶電的機(jī)會(huì)，從結(jié)構(gòu)上避免PID發(fā)生。低衰減：HJT電池首年衰減1-2%，此后每年衰減0.25%，遠(yuǎn)低于PERC電池?fù)芥壠乃p情況（首年衰減2%，此后每年衰減0.45%)，因此HJT電池全生命周期每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約1.9%-2.9%。光伏異質(zhì)結(jié)可以與其他太陽能技術(shù)結(jié)合使用，如太陽能追蹤器和太陽能存儲(chǔ)系統(tǒng)，提高能源利用效率。

太陽能異質(zhì)結(jié)中的界面結(jié)構(gòu)對(duì)性能有很大的影響。界面結(jié)構(gòu)是指兩種不同材料之間的交界面，它決定了電子和空穴的傳輸和復(fù)合情況，從而影響了太陽能電池的效率。首先，界面結(jié)構(gòu)的能帶對(duì)齊情況會(huì)影響電子和空穴的傳輸。如果能帶對(duì)齊良好，電子和空穴可以自由地在兩種材料之間傳輸，從而提高了電池的效率。反之，如果能帶對(duì)齊不良，電子和空穴會(huì)被阻擋在界面處，從而降低了電池的效率。其次，界面結(jié)構(gòu)的缺陷和雜質(zhì)會(huì)影響電子和空穴的復(fù)合情況。如果界面處存在缺陷和雜質(zhì)，它們會(huì)成為電子和空穴復(fù)合的中心，從而降低了電池的效率。因此，優(yōu)化界面結(jié)構(gòu)的缺陷和雜質(zhì)是提高太陽能電池效率的重要手段。綜上所述，太陽能異質(zhì)結(jié)中的界面結(jié)構(gòu)對(duì)電池性能有著重要的影響。優(yōu)化界面結(jié)構(gòu)可以提高電池的效率，從而推動(dòng)太陽能電池的發(fā)展。異質(zhì)結(jié)電池PECVD電源以RF和VHF為主。北京高效異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

光伏異質(zhì)結(jié)的制造工藝包括薄膜沉積、熱處理、光刻等步驟，具有靈活性高、可定制化的優(yōu)點(diǎn)。北京高效異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

異質(zhì)結(jié)電池技術(shù)路線，發(fā)電量高：低溫度意味著在組件高溫運(yùn)行環(huán)境中，HJT電池具有相對(duì)較高的發(fā)電性能，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)電量增益、降低系統(tǒng)的度電成本；若考慮電池工作溫度超出環(huán)境溫度10-40℃,而全年平均環(huán)境溫度相比實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)工況低5-10℃，HJT電池每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約0.6%-3.9%。優(yōu)勢(shì)五：雙面率高HJT正反面結(jié)構(gòu)對(duì)稱，而且TCO薄膜是透光的，天然就是雙面電池；HJT的雙面率能達(dá)到90%以上(能達(dá)到98%)，雙面PERC的雙面率約為75%+；據(jù)solarzoom測(cè)算，考慮10%-20%的背面輻照及電池片雙面率的差異，HJT電池單瓦發(fā)電量高出雙面PERC電池約2%-4%。優(yōu)勢(shì)六：弱光效應(yīng)HJT電池采用N型單晶硅片，而PERC電池采用P型單晶硅片在600W/m以下的輻照強(qiáng)度；N型相比P型的發(fā)電表現(xiàn)高出1%-2%左右，HJT電池因弱光效應(yīng)而在每W發(fā)電量上高出雙面PERC電池約0.5-1.0%左右。北京高效異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備