上海泛半導體電鍍銅絲網(wǎng)印刷

電鍍銅光刻技術(shù)是指利用光學-化學反應(yīng)原理和化學、物理刻蝕方法，將設(shè)計好的微圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到覆有感光材料的晶圓、玻璃基板、覆銅板等基材表面上的微納制造技術(shù)。光刻設(shè)備是微納制造的一種關(guān)鍵設(shè)備，在泛半導體領(lǐng)域，根據(jù)是否使用掩膜版，光刻技術(shù)主要分為直寫光刻與掩膜光刻，其中掩膜光刻可進一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源發(fā)出的光束，經(jīng)掩膜版在感光材料上成像，具體可分為接近、接觸式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先進，能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下獲得更小比例的圖像，從而實現(xiàn)更精細的成像。直寫光刻也稱無掩膜光刻，是指計算機將電路設(shè)計圖形轉(zhuǎn)換為機器可識別的圖形數(shù)據(jù)，并由計算機控制光束調(diào)制器實現(xiàn)圖形的實時顯示，再通過光學成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接進行掃描曝光。直寫光刻既具有投影光刻的技術(shù)特點，如投影成像技術(shù)、雙臺面技術(shù)、步進式掃描曝光等，又具有投影光刻不具備的高靈活性、低成本以及縮短工藝流程等技術(shù)特點。非接觸式電極金屬化技術(shù)——電鍍銅。上海泛半導體電鍍銅絲網(wǎng)印刷

光伏電鍍銅設(shè)計的導電方式主要有彈片式導電舟方式、水平滾輪導電、模具掛架式、彈片重力夾具等方式。合理的導電方式對光伏電鍍銅設(shè)備非常重要是實現(xiàn)可量產(chǎn)的關(guān)鍵因素之一。優(yōu)良的導電方式可以實現(xiàn)設(shè)備的便捷維修和改善電鍍銅片與片之間的電鍍銅厚極差，甚至可以實現(xiàn)單片硅上分布電流的可監(jiān)控性。釜川以半導體生產(chǎn)設(shè)備、太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強大的科研團隊，憑借技術(shù)競爭力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。    合肥高效電鍍銅技術(shù)路線電鍍銅的產(chǎn)業(yè)化是抑制銀漿價格上漲的重要手段。

銅電鍍工藝流程：種子層沉積—圖形化—電鍍—后處理，光伏電鍍銅工藝流程主要包括種子層沉積、圖形化、電鍍及后處理四大環(huán)節(jié)，目前各環(huán)節(jié)技術(shù)路線不一，多種組合工藝方案并行，需要綜合性能、成本來選擇合適的工藝路線。（1）種子層沉積：異質(zhì)結(jié)電池表面沉積有透明導電薄膜（TCO）作為導電層、減反射層，由于銅在TCO層上的附著性較差，兩者間為物理接觸，附著力主要為范德華力，電極容易脫落，一般需要在電鍍前在TCO層上先行使用PVD設(shè)備沉積種子層（100nm），改善電極接觸與附著性問題。（2）圖形化：由于在TCO上鍍銅是非選擇性的，需要形成圖形化的掩膜以顯現(xiàn)待鍍銅區(qū)域的線路圖形，劃分導電與非導電部分。圖形化過程中，將感光膠層覆蓋于HJT電池表面，通過選擇性光照，使得不需要鍍銅的位置感光材料發(fā)生改性反應(yīng)，而需要鍍銅的位置感光材料不變；在顯影步驟時，待鍍銅區(qū)域內(nèi)未發(fā)生改性反應(yīng)的感光材料會被去除，形成圖形化的掩膜，后續(xù)電鍍時銅將沉積于該線路圖形區(qū)域內(nèi)露出的種子層上并發(fā)生導電，而其他位置不會發(fā)生銅沉積，實現(xiàn)選擇性電鍍。

銅電鍍工藝流程：種子層沉積—圖形化—電鍍—后處理，光伏電鍍銅工藝流程主要包括種子層沉積、圖形化、電鍍及后處理四大環(huán)節(jié)，目前各環(huán)節(jié)技術(shù)路線不一，多種組合工藝方案 并行，需要綜合性能、成本來選擇合適的工藝路線。（3）電鍍：將待電鍍電池（陰極）浸泡在電鍍設(shè)備的硫酸銅（陽極）溶液中，通電進行電解，銅離子（陽離子Cu2+）被還原，在需要鍍銅的線路區(qū)域內(nèi)沉積成銅，形成選擇性的銅電極。（4）后處理：進行電鍍錫或使用抗銅氧化劑制作保護層，可應(yīng)用濕法刻蝕、激光刻蝕、等離子體刻蝕等工藝，剝離掩膜、刻蝕掉剩余種子層，并做表面處理，得到具有優(yōu)異塑形和良好選擇性的銅電極。圖形化與電鍍銅替代銀漿絲網(wǎng)印刷。

電鍍銅各環(huán)節(jié)技術(shù)方案包括（1）種子層：設(shè)備主要采用 PVD，主要技術(shù)分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 分為干膜和油墨，主要技術(shù)分歧在于曝光顯影環(huán)節(jié)選用掩膜類光刻/LDI 激光直寫/激光 開槽；（3）電鍍：主要技術(shù)分歧在于水平鍍/垂直鍍/光誘導電鍍。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產(chǎn)設(shè)備、太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強大的科研團隊，憑借技術(shù)競爭力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。電鍍銅設(shè)備電鍍環(huán)節(jié)主要包括水平鍍、垂直鍍、光誘導電鍍等。無錫自動化電鍍銅后綴

無種子層直接銅電鍍工藝。上海泛半導體電鍍銅絲網(wǎng)印刷

電鍍銅光伏電池滲透率：根據(jù)CPIA數(shù)據(jù)，至2030年光伏電池片正面金屬電池技術(shù)市場仍以銀電極為主導，約占87.5%，非銀電極技術(shù)包括銀包銅等，約為12.5%，該比例口徑為所有類型的電池片，而N型電池片在運用銀包銅、激光轉(zhuǎn)印等降本路線上較為積極，我們假設(shè)在N型電池中，2030年銀電極占比下調(diào)為65%。目前銀包銅技術(shù)相較電鍍銅更為成熟，但未來一旦銅電鍍技術(shù)成熟后，大幅降本增效的銅電鍍產(chǎn)業(yè)化進程會更加快速，因此假設(shè)2022-2030年銅電鍍工藝在非銀電極中占比為自15%提升至70%，對應(yīng)2022-2030年銅電鍍光伏電池滲透率自0.45%提升至24.5%。上海泛半導體電鍍銅絲網(wǎng)印刷