東莞好的場效應(yīng)管MOS

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-04-25

    將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小,說明管子的放大能力較弱;若表針不動(dòng),說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高,而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同,因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng),也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小,使表針向右擺動(dòng),多數(shù)管子的RDS增大,表針向左擺動(dòng)。無論表針的擺動(dòng)方向如何,只要能有明顯地?cái)[動(dòng),就說明管子具有放大能力。本方法也適用于測MOS管。為了保護(hù)MOS場效應(yīng)管,必須用手握住螺釘旋具絕緣柄,用金屬桿去碰柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上,將管子損壞。 場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。東莞好的場效應(yīng)管MOS

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    場效應(yīng)管的工作方式有兩種:所謂的增強(qiáng)還是耗盡,主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下,反型層不存在,電壓加到一定程度后,反型層才出現(xiàn),(當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個(gè)就是增強(qiáng)。相反,如果反型層一開始就存在,隨著電壓強(qiáng)弱,反型層會(huì)出現(xiàn)增加或者衰減,(當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的)這個(gè)就是耗盡。耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別詳解耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在,而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后,才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣,耗盡型MOS管的VGS(柵極電壓)可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通,而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS>VGS(th)(柵極閾值電壓)才行。 N型場效應(yīng)管MOS盟科MK3407參數(shù)是可以替代萬代AO3407的參數(shù)。

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    結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識(shí)別:場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測量每兩個(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S(可互換),余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結(jié)型場效應(yīng)管,另外一極是屏蔽極(使用中接地)。用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時(shí)只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。

    場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡稱為NMOS,P溝道的MOS管簡稱為PMOS。MOS管共有3個(gè)腳,柵極G,漏極D,源極S,通常情況下,MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管,所以,你見到的MOS管的符號(hào)通常是畫成下面這樣的。 加濕器用到了MK15N10場效應(yīng)管,15A 100V的N型MOS管。

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    現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代結(jié)型場效應(yīng)管,O代絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#,CS代場效應(yīng)管,××以數(shù)字代型號(hào)的序號(hào),#用字母代同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。場效應(yīng)管的作用:場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以用作可變電阻。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 盟科電子做場效應(yīng)管很不錯(cuò)。中壓場效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨

盟科MK3401參數(shù)是可以替代萬代AO3401的參數(shù)。東莞好的場效應(yīng)管MOS

場效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號(hào)源電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電,管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子;三極管既用多子,又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響,因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場合,采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管的輸入電阻高,適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小,適用于低噪聲放大器的前置級。東莞好的場效應(yīng)管MOS

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