杭州P型場(chǎng)效應(yīng)管

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-04-28

書上說(shuō),MOS管的主要作用是放大。不過(guò)實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中,幾乎沒(méi)有用到放大用的MOS管,絕大部分是用來(lái)做開(kāi)關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管,也是集成在芯片里面的??梢院敛豢鋸埖闹v,只要不是做IC設(shè)計(jì)的,幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來(lái)的MOS放大電路,性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法:用作開(kāi)關(guān)的時(shí)候,不管是N-MOS還是P-MOS,記住一句話即可:VGS有電壓差,MOS管就導(dǎo)通。VGS沒(méi)有電壓差,MOS管就關(guān)閉。MOS管常見(jiàn)的主要用途有以下幾種負(fù)極開(kāi)關(guān)(N-MOS):設(shè)備控制LED燈控制電路馬達(dá)控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制。例如LED燈控制和電動(dòng)馬達(dá)的控制。GPIO口拉高,MOS管就導(dǎo)通,LED燈亮、馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)。GPIO拉低,MOS管就關(guān)閉,LED燈滅,馬達(dá)就停止轉(zhuǎn)動(dòng)。在普通的低電壓數(shù)字電路上,這種控制方式對(duì)MOS管本身沒(méi)有什么特定高要求,隨便抓一個(gè)N-MOS也可以用。NPN的三極管也可以用。正極開(kāi)關(guān)(P-MOS):電源控制P-MOS通常用作電源的開(kāi)關(guān),控制設(shè)備的電源打開(kāi)或者關(guān)閉。2301一般用在什么地方?杭州P型場(chǎng)效應(yīng)管

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    根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(gè)電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測(cè)出的電阻值均很小,說(shuō)明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,直到判別出柵極為止。 中山TO-252場(chǎng)效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨放大mos管盟科電子做得很不錯(cuò)。。

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    由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子),當(dāng)VGS=0時(shí),這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子,形成N型導(dǎo)電溝道;當(dāng)VGS>0時(shí),將產(chǎn)生較大的ID(漏極電流);如果使VGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng),使N溝道變窄,從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中,當(dāng)設(shè)備開(kāi)機(jī)時(shí)可能會(huì)誤觸發(fā)MOS管,導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制,使得其應(yīng)用極少。因此,日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管;其中,PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等問(wèn)題,在驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS替代,這也是市面上無(wú)論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類,增強(qiáng)型NMOS管**非常為常見(jiàn)的重要原因,尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS管。

    為了安全地使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)。N溝道管柵極不能加正偏壓,P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓等等。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,所以,在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)同時(shí)也要注意管子的防潮。為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài),焊接完后才把短接材科去掉,從元器件架上取下管子時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,并且可確保安全在未關(guān)斷電源時(shí),相對(duì)不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。 MK3407的參數(shù)是多少?

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絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)10^9Ω以上,從導(dǎo)電溝道來(lái)分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無(wú)論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱為NMOS,P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱為PMOS。場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件,又利用多子導(dǎo)電故稱單極型元件,且具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。盟科MK6802參數(shù)是可以替代AO6802的。東莞小家電場(chǎng)效應(yīng)管哪里買

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場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開(kāi)關(guān)作用,作開(kāi)關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制、開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管,MOS管非常明顯的特性是開(kāi)關(guān)特性好,對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō),Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況,也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō),Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況,也就是驅(qū)動(dòng)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng),但由于導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因,在驅(qū)動(dòng)中,通常還是使用NMOS。如下圖是某開(kāi)關(guān)電源其中一部分電路圖,在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開(kāi)關(guān)管。杭州P型場(chǎng)效應(yīng)管

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