杭州SOT-23-3L場效應(yīng)管

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-01

另一部分虛焊焊點(diǎn)往往在一年甚至更長的時(shí)間才出現(xiàn)開路的現(xiàn)象,使產(chǎn)品停止工作,造成損失。虛焊有其隱蔽性、故障出現(xiàn)的偶然性以及系統(tǒng)崩潰損失的重大性,不可忽視。研究虛焊的成因,降低其危害,是我國從電子制造大國向電子制造強(qiáng)國發(fā)展必須重視的重要課題。導(dǎo)致虛焊的原因大致分為幾個(gè)方面:1)元器件因素;2)基板(通常為PCB)因素;3)助焊劑、焊料因素;四、工藝參數(shù)及其他因素。下面進(jìn)行詳細(xì)分析。1元器件因素引起的虛焊及其預(yù)防元器件可焊部分的金屬鍍層厚度不夠、氧化、污染、變形都可造成虛焊的結(jié)果??珊覆糠值慕饘馘儗雍穸炔粔蛲ǔT骷珊该驽冇幸欢ê穸鹊?、銀白色的、均勻的易焊錫層,如果鍍層太薄或者鍍層不均勻,以及銅基鍍錫或鋼基鍍銅再鍍錫,其銅和錫之間相互接觸形成的銅錫界面,兩種金屬長時(shí)間接觸就會相互滲透形成合金層擴(kuò)散,使錫層變薄,導(dǎo)致焊面的可焊性下降。(可焊性指金屬表面被熔融焊料潤濕的能力)購買長期良好合作的大公司元器件可降低此原因造成的虛焊風(fēng)險(xiǎn)。元器件可焊面氧化電子元器件由于保存時(shí)間過長或者保存條件不當(dāng),都可以造成電子元器件引腳或焊端表面氧化,從而造成虛焊的產(chǎn)生。氧化后的焊面發(fā)灰、發(fā)黑。


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將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小,說明管子的放大能力較弱;若表針不動(dòng),說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高,而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同,因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng),也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小,使表針向右擺動(dòng),多數(shù)管子的RDS增大,表針向左擺動(dòng)。無論表針的擺動(dòng)方向如何,只要能有明顯地?cái)[動(dòng),就說明管子具有放大能力。本方法也適用于測MOS管。為了保護(hù)MOS場效應(yīng)管,必須用手握住螺釘旋具絕緣柄,用金屬桿去碰柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上,將管子損壞。中山功率場效應(yīng)管銷售廠家盟科MK3404參數(shù)是可以替代AO3404的。

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讓氮?dú)獍押噶吓c空氣隔絕開來,這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生。目前較好的方法是在氮?dú)獗Wo(hù)下使用含磷的焊料,可將浮渣率控制在比較低的程度,焊接缺陷少。在SMT工藝中回流焊工序,焊膏在使用中也會不斷氧化,其中的金屬含量越來越低,或者其中的助焊劑變少,也會造成虛焊。合理選用回流溫度曲線,可降低虛焊的產(chǎn)生。焊料與PCB金屬層,焊料與元件腳金屬層之間的匹配不當(dāng),也會造成虛焊。有鉛焊料與無鉛焊端混用時(shí),如果采用有鉛焊料的溫度曲線,有鉛焊料先熔,而無鉛焊端不能完全熔化,使元件一側(cè)的界面不能生成良好的金屬間合金層,因此有鉛焊料與無鉛焊端混用時(shí)焊接質(zhì)量差。在這種情況下,可提高焊接溫度,一般提高到230~235℃就可以了。4其他因素造成虛焊及其預(yù)防1)波峰焊和回流焊焊料降溫凝固的過程中,PCBA抖動(dòng)產(chǎn)生擾動(dòng)的焊點(diǎn),其強(qiáng)度低,在客戶使用中焊點(diǎn)極易開路出現(xiàn)故障,電子裝聯(lián)中,也常把這種情況歸在虛焊的范疇。2)當(dāng)PCBA存在較大的彎曲時(shí),產(chǎn)品裝配中,將其固定在機(jī)箱的底座上,PCBA被強(qiáng)制平整,產(chǎn)生應(yīng)力,焊點(diǎn)隨時(shí)間將產(chǎn)生裂紋,導(dǎo)致開路。(嚴(yán)格講,這應(yīng)該是焊點(diǎn)后期失效,屬廣義的虛焊了)。預(yù)防的方法是采用平整度合格的PCB。

場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn):具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號源吸取電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。252封裝場效應(yīng)管選擇深圳盟科電子。

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場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個(gè)電極:D(Drain)稱為漏極,相當(dāng)雙極型三極管的集電極;G(Gate)稱為柵極,相當(dāng)于雙極型三極管的基極;S(Source)稱為源極,相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造,它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極,一個(gè)是漏極D,一個(gè)是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),用符號B表示。工作原理1.溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時(shí),漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓,不會在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時(shí),若0<Vgs<Vgs(th)時(shí)(VGS(th)稱為開啟電壓),經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。盟科MK6803參數(shù)是可以替代AO6803的。東莞氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管現(xiàn)貨

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目視可檢查出較為嚴(yán)重的氧化,對于氧化后的電子元器件,或棄之不用,或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮;微酸清洗;涂抹助焊劑,然后搪錫使用。(表面貼裝元器件因其封裝體積小,氧化一般不易處理,通常退回廠家換貨或報(bào)廢處理)元器件是否氧化除目檢以外,還有較為復(fù)雜詳細(xì)的可焊性試驗(yàn)檢測標(biāo)準(zhǔn),條件不具備的,可用手工、波峰焊或回流焊方法,對元器件進(jìn)行批次抽樣試焊。電子元器件儲存條件及儲存期見下表:元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中,元器件要經(jīng)過來料接收清點(diǎn)、存儲、發(fā)料、成型和插件(THT工藝)、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補(bǔ)焊等工序或操作,難免會產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染,造成電子元器件焊面的可焊性下降。在電子裝聯(lián)生產(chǎn)場所,保持潔凈的生產(chǎn)環(huán)境,穿戴防護(hù)用品,嚴(yán)格按操作規(guī)程操作,是防止元器件污染的有效措施。元器件引腳變形SMD器件,特別是其中細(xì)腳間間距的QFP、SOP封裝器件,引腳極易損傷變形,引腳共面性變差,貼裝后,部分引腳未緊貼焊盤,造成虛焊,見下圖1:預(yù)防:對細(xì)間距貼裝IC,用**工具取放,切記不能用手直接觸碰引腳,操作過程中,防止IC跌落,QFP常用盤裝,SOP一般為桿式包裝。生產(chǎn)過程中切忌彎曲)。杭州SOT-23-3L場效應(yīng)管

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