寶安區(qū)同步整流場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說(shuō)明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線(xiàn)以基極電流Ib 為參變量。寶安區(qū)同步整流場(chǎng)效應(yīng)管

電子產(chǎn)品失效故障中，虛焊焊點(diǎn)失效占很大比重，據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)字表明，在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中，有將近一半是由于焊接不良引起的，幾乎超過(guò)電子元器件失效的概率，它使電子產(chǎn)品可靠性降低，輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化，重則電路板無(wú)法完成設(shè)計(jì)功能，更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰，造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測(cè)試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié)，虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時(shí)間、精力上造成極大的浪費(fèi)，有時(shí)為找一個(gè)虛焊點(diǎn)，用上一整天的時(shí)間的情況并不鮮見(jiàn)。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程及維修過(guò)程中，即使從各方面努力，也無(wú)法杜絕虛焊現(xiàn)象，因此，虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點(diǎn)問(wèn)題。筆者長(zhǎng)期從事電子產(chǎn)品裝聯(lián)、電子電路測(cè)試、電子產(chǎn)品優(yōu)化和電子產(chǎn)品系統(tǒng)維修，淺談《電子產(chǎn)品生產(chǎn)中虛焊分析及預(yù)防》，旨在減少虛焊的危害，提高電子產(chǎn)品質(zhì)量，也是拋磚引玉，以引起大家對(duì)虛焊的注。虛焊：在電子產(chǎn)品裝聯(lián)過(guò)程中所產(chǎn)生的不良焊點(diǎn)之一，焊點(diǎn)的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物（IMC）,它使元器件與基板間形成不可靠連接。（這里定義的虛焊指PCBA上的焊點(diǎn)虛焊。）產(chǎn)生原因：基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染。惠州低功率場(chǎng)效應(yīng)管MOS盟科有插件封裝形式的場(chǎng)效應(yīng)管。

MK3401是一款P溝道的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，其參數(shù)匹配萬(wàn)代AO3401，有SOT-23和SOT-23-3L兩種封裝，盟科從2010年成立至今一直專(zhuān)注場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。還有其他一些系列，如三極管，二極管，LDO，質(zhì)量穩(wěn)定，供貨能力強(qiáng)。這款電壓BVDSS是大于30V，電流ID可達(dá)4.2A，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下小于65毫歐，VGS@4.5V檔位下小于80毫歐。開(kāi)啟電壓VGS(th)典型值在0.7V左右。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標(biāo)準(zhǔn)絲印為A19T，也可以支持ODM定制，盟科一直致力于做好產(chǎn)品和服務(wù)。公司在深圳寶安區(qū)，廠房面積有1萬(wàn)平方左右，有10幾條生產(chǎn)線(xiàn)。MOS其他系列的20V30V60V100V一系列都作為公司主推產(chǎn)品。

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)電極:根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說(shuō)明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向PN結(jié)，即是正向電阻，判定為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試，直到判別出柵極為止。盟科電子支持定制化服務(wù)。

C-MOS場(chǎng)效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒(méi)有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場(chǎng)效應(yīng)管既被關(guān)斷。場(chǎng)效應(yīng)管它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。汕尾雙N場(chǎng)效應(yīng)管

1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。寶安區(qū)同步整流場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開(kāi)關(guān)作用，作開(kāi)關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類(lèi)電子負(fù)載控制、開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管，MOS管非常明顯的特性是開(kāi)關(guān)特性好，對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō)，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而對(duì)于PMOS來(lái)說(shuō)，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況，也就是驅(qū)動(dòng)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開(kāi)關(guān)電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開(kāi)關(guān)管。寶安區(qū)同步整流場(chǎng)效應(yīng)管

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