汕頭直銷晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂新報(bào)價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-21


本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供了一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手,本發(fā)明的機(jī)械手在傳送過程中晶片中心始終保證直線運(yùn)動(dòng),且角度不會(huì)發(fā)生改變。從而提高機(jī)械手整體剛度和承重能力,同時(shí)提高了重復(fù)定位精度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理性能穩(wěn)定,維護(hù)方便,多功能集一身,可滿足多種工藝設(shè)備要求,適用于各種半導(dǎo)體設(shè)備。


為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明通過下述技術(shù)方案得以解決:一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手,包括升降軸、旋轉(zhuǎn)軸和伸展軸,其特征為,所述的伸展軸包括伸展電機(jī)、一級(jí)伸展臂、二級(jí)伸展臂和手指固定座,所述的一級(jí)伸展臂與所述伸展電機(jī)之間設(shè)置有一級(jí)關(guān)節(jié),所述的一級(jí)伸展臂與所述的二級(jí)伸展臂之間設(shè)置有二級(jí)關(guān)節(jié),所述的二級(jí)伸展臂和所述的手指固定座之間設(shè)置有三級(jí)關(guān)節(jié),所述的伸展電機(jī)、所述的一級(jí)關(guān)節(jié)、所述的二級(jí)關(guān)節(jié)和所述的三級(jí)關(guān)節(jié)依次傳動(dòng),所述的手指固定座始終保持直線運(yùn)動(dòng)。



該機(jī)械臂由用戶的頭腦完全控制,靈巧到足以拿起一個(gè)玻璃杯,在沒有其他人幫助的情況下喝掉一杯飲料。汕頭直銷晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂新報(bào)價(jià)

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一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機(jī)械手,該真空吸附機(jī)械手包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺(tái);設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺(tái)內(nèi)的真空氣道;所述吸附絕緣凸臺(tái)用于吸附待傳送晶圓的背面,所述吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度,故利用真空吸附機(jī)械手將晶圓傳送至所需位置之后,晶圓的背面中與真空吸附機(jī)械手接觸的位置不會(huì)形成印記,提高了晶圓的合格率。佛山新款晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂批發(fā)一般也都裝在手臂上。所以手臂的結(jié)構(gòu)、工作范圍、承載能力和動(dòng)作精度都直接影響機(jī)械手的工作性能。

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2.噴涂機(jī)械臂 這種機(jī)械臂多用于噴漆生產(chǎn)線上,重復(fù)位姿精度要求不高。但由于漆霧易燃,一般采用液壓驅(qū)動(dòng)或交流伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)。3.焊接機(jī)械臂 這是目前使用**多的一類機(jī)械臂,它又可分為點(diǎn)焊和弧焊兩類。點(diǎn)焊機(jī)械臂負(fù)荷大基本介紹當(dāng)提到機(jī)械人時(shí),許多人會(huì)想到有手,有腳的人型機(jī)械.不過, 這類機(jī)械人往往出現(xiàn)在科幻電影,***所,展覽會(huì)和玩具店中,它們與工業(yè)用的機(jī)械人大不相同. 工業(yè)機(jī)械人(Industrial Robots)簡稱為IR,它們大多為簡單的操作設(shè)備,有時(shí)會(huì)被稱為機(jī)械臂,例如:進(jìn)行簡單的提起或放下動(dòng)作,在機(jī)器內(nèi)放入或取出工件等.不過,亦有不少工業(yè)機(jī)械人可以完全用程式控制,并可進(jìn)行不同類型工作,

    區(qū)熔法分為兩種:水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長;后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏?這是由于硅的熔點(diǎn)高,化學(xué)性能活潑,容易受到異物的玷污,所以難以找到適合的器皿來盛方,自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于:區(qū)熔法一般不使用坩鍋,引入的雜質(zhì)更少,生長的材料雜質(zhì)含量也就更少。總而言之,單晶硅棒是圓柱形的,使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個(gè)樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎?Bingo,圖左的尖尖是籽晶,圖右的尖尖是晶棒長到***,從熔融態(tài)里出來后,由于復(fù)雜的流體力學(xué)原理,以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導(dǎo)致的。 機(jī)械手臂根據(jù)結(jié)構(gòu)形式的不同分為多關(guān)節(jié)機(jī)械手臂.

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    基因決定”——生長方法導(dǎo)致若要回答這個(gè)問題,首先要說一個(gè)大約有100余年歷史的原因。。。1918年,前蘇聯(lián)科學(xué)家切克勞斯基(Czochralski)建立起來一種晶體生長方法——直拉式晶體生長方法,簡稱CZ法。硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先是硅砂的提純及熔煉。這個(gè)階段主要是通過溶解、提純、蒸餾等一系列措施得到多晶硅。接下來是單晶硅生長工藝。就是從硅熔體中生長出單晶硅。高純度的多晶硅放在石英坩堝中,在保護(hù)性氣氛中高溫加熱使其熔化。使用一顆小的籽晶緩慢地從旋轉(zhuǎn)著的熔體中緩慢上升,即可垂直拉制出大直徑的單晶硅錠。***一步是晶圓成型。單晶硅錠一般呈圓柱型,直徑從3英寸到十幾英寸不等。硅錠經(jīng)過切片、拋光之后,就得到了單晶硅圓片,也即晶圓。 一般機(jī)構(gòu)可由電力、液壓、氣動(dòng)、人力驅(qū)動(dòng)。廣東銷售晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂經(jīng)銷批發(fā)

手臂的剛性直接影響到手臂抓取工件時(shí)動(dòng)作的平穩(wěn)性、運(yùn)動(dòng)的速度和定位精度。汕頭直銷晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂新報(bào)價(jià)

進(jìn)行光刻:

將設(shè)計(jì)好的電路掩模,置于光刻機(jī)的紫外射線下,然后再在它的下面放置Wafer,這一刻,Wafer上被光刻部分的光刻膠被融化掉,刻上了電路圖。然后將光刻膠去除,光刻膠上的圖案要與掩模上的圖案一致,然后進(jìn)行再次光刻。一般來說一個(gè)晶圓的電路要經(jīng)過多次光刻。而隨著技術(shù)革新,極紫光刻出現(xiàn)了,現(xiàn)階段光刻的效率變得比以前更高,甚至于可以達(dá)到光刻一次完成。

注射:

在真空下,將導(dǎo)電材料注入晶圓的電路內(nèi)部。其真空的標(biāo)準(zhǔn)比無菌室或ICU還要高出千萬倍。 汕頭直銷晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂新報(bào)價(jià)

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