佛山本地晶圓運送機械吸臂代理

來源: 發(fā)布時間:2021-11-07

隨著機器人技術(shù)的發(fā)展,應用高速度、高精度、高負載自重比的機器人結(jié)構(gòu)受到工業(yè)和航空航天領域的關注。由于運動過程中關節(jié)和連桿的柔性效應的增加,使結(jié)構(gòu)發(fā)生變形從而使任務執(zhí)行的精度降低。所以,機器人機械臂結(jié)構(gòu)柔性特征必須予以考慮,實現(xiàn)柔性機械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動力學特性。柔性機械臂是一個非常復雜的動力學系統(tǒng),其動力學方程具有非線性、強耦合、實變等特點。而進行柔性臂動力學問題的研究,其模型的建立是極其重要的。柔性機械臂不僅是一個剛?cè)狁詈系姆蔷€性系統(tǒng),而且也是系統(tǒng)動力學特性與控制特性相互耦合即機電耦合的非線性系統(tǒng)。動力學建模的目的是為控制系統(tǒng)描述及控制器設計提供依據(jù)。一般控制系統(tǒng)的描述(包括時域的狀態(tài)空間描述和頻域的傳遞函數(shù)描述)與傳感器/執(zhí)行器的定位,從執(zhí)行器到傳感器的信息傳遞以及機械臂的動力學特性密切相關。 手臂一般有3個運動:伸縮、旋轉(zhuǎn)和升降.佛山本地晶圓運送機械吸臂代理

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電鍍:

到這一步,晶圓基本上就完成了,現(xiàn)在要在晶圓上鍍一層硫酸銅,銅離子會從正極走向負極。

拋光:

然后將Wafer進行打磨,到這一步晶圓就真正的完成了。

切割:

對晶圓進行切割,值得一提的是晶圓十分易碎,因此對切割的工藝要求也是非常高的。

測試:

測試分為三大類:功能測試、性能測試、抗老化測試。大致測試模式如下:接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、動態(tài)參數(shù)測試、模擬信號參數(shù)測試等等。全部測試都通過的,就是正片;部分測試未通過,但正常使用無礙,這是白片;未開始測試,就發(fā)現(xiàn)晶圓具有瑕疵的,這是黑片。


汕頭本地晶圓運送機械吸臂代理如剛性差則會引起手臂在垂直平面內(nèi)的彎曲變形和水平面內(nèi)側(cè)向扭轉(zhuǎn)變形.

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可選地,所述托板包括:

主板;

排列成八字形的***支板和第二支板,在所述主板的同一側(cè)與所述主板固定連接;

所述主板靠近所述***支板和第二支板的一端、所述***支板遠離所述主板的一端、所述第二支板遠離所述主板的一端均設置有所述絨毛墊。

可選地,所述表面為平面。

另外,本實用新型還提供了一種晶圓傳輸裝置,其包括上述任一所述的機械手臂。

在本實用新型的技術(shù)方案中,機械手臂傳送晶圓時,晶圓放置在托板的表面,并與絨毛墊接觸,借助晶圓與絨毛墊的絨毛之間的范德華力,晶圓被穩(wěn)穩(wěn)地附著在機械手臂上,不易發(fā)生平移,這樣不僅可以避免發(fā)生機械手臂碰傷,還可以提高晶圓的傳送速度以提高生產(chǎn)效率。

通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細描述,本實用新型的其它特征、方面及其優(yōu)點將會變得清楚。

機械臂是指高精度,多輸入多輸出、高度非線性、強耦合的復雜系統(tǒng)。因其獨特的操作靈活性, 已在工業(yè)裝配, 安全防爆等領域得到廣泛應用。機械臂是一個復雜系統(tǒng), 存在著參數(shù)攝動、外界干擾及未建模動態(tài)等不確定性。因而機械臂的建模模型也存在著不確定性,對于不同的任務, 需要規(guī)劃機械臂關節(jié)空間的運動軌跡,從而級聯(lián)構(gòu)成末端位姿 [1]  。機器人系統(tǒng)是由視覺傳感器、機械臂系統(tǒng)及主控計算機組成,其中機械臂系統(tǒng)又包括模塊化機械臂和靈巧手兩部分。整個系統(tǒng)的構(gòu)建模型如圖1 所示.柔性機械臂在工業(yè)、**等應用領域中占有十分重要的地位。

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一種用于傳送晶圓的真空吸附機械手,其特征在于,包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺;設置在所述手臂和吸附絕緣凸臺內(nèi)的真空氣道;所述吸附絕緣凸臺呈環(huán)形,所述吸附絕緣凸臺所圍成的空間構(gòu)成所述真空氣道的其中一段;位于所述吸附絕緣凸臺內(nèi)的偽絕緣凸臺,所述偽絕緣凸臺與手臂一體成型,所述真空氣道的其中一段位于所述偽絕緣凸臺內(nèi);在垂直于所述手臂的方向上,所述吸附絕緣凸臺比所述偽絕緣凸臺突出;所述吸附絕緣凸臺用于吸附待傳送晶圓的背面,所述吸附絕緣凸臺的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。手臂的結(jié)構(gòu)要緊湊小巧,才能做手臂運動輕快、靈活。廣東正規(guī)晶圓運送機械吸臂哪里好

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    目前,直拉法是生長晶圓**常用的方法了,除了直拉法之外,常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法,簡稱Fz法。1939年,在貝爾實驗室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭,后來在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下,生長出了高純度的鍺以及硅單晶,并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動,進而通過整根棒料,使多晶棒料生長成一根單晶棒料,區(qū)熔法也需要籽晶,且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 佛山本地晶圓運送機械吸臂代理

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