重慶灰度光刻技術(shù)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-07-12

Quantum X 新型超高速無掩模光刻技術(shù)的重要部分是Nanoscribe獨(dú)有的雙光子灰度光刻技術(shù)(2GL®)。該技術(shù)將灰度光刻的出色性能與雙光子聚合的精確性和靈活性完美結(jié)合,使其同時(shí)具備高速打印,完全設(shè)計(jì)自由度和超高精度的特點(diǎn)。從而滿足了高級(jí)復(fù)雜增材制造對(duì)于優(yōu)異形狀精度和光滑表面的極高要求。這種具有創(chuàng)新性的增材制造工藝很大程度縮短了企業(yè)的設(shè)計(jì)迭代,打印樣品結(jié)構(gòu)既可以用作技術(shù)驗(yàn)證原型,也可以用作工業(yè)生產(chǎn)上的加工模具。而且Nanoscribe的Quantum X打印系統(tǒng)非常適合DOE的制作。該系統(tǒng)的無掩模光刻解決方案可以滿足衍射光學(xué)元件所需的橫向和縱向高分辨率要求?;陔p光子灰度光刻技術(shù) (2GL ®)的Quantum X打印系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)一氣呵成的制作,即一步打印多級(jí)衍射光學(xué)元件,并以經(jīng)濟(jì)高效的方法將多達(dá)4,096層的設(shè)計(jì)加工成離散的或準(zhǔn)連續(xù)的拓?fù)洹H缧柙敿?xì)了解雙光子聚合(2PP)和雙光子灰度光刻(2GL ?)的內(nèi)容請(qǐng)咨詢Nanoscribe中國分公司-納糯三維。重慶灰度光刻技術(shù)

重慶灰度光刻技術(shù),灰度光刻

Nanoscribe的雙光子灰度光刻激光直寫技術(shù)(2GL ®)可用于工業(yè)領(lǐng)域2.5D微納米結(jié)構(gòu)原型母版制作。2GL通過創(chuàng)新的設(shè)計(jì)重新定義了典型復(fù)雜結(jié)構(gòu)微納光學(xué)元件的微納加工制造。該技術(shù)結(jié)合了灰度光刻的出色性能,以及雙光子聚合的亞微米級(jí)分辨率和靈活性。而且GT2使用雙光子聚合(2PP)來產(chǎn)生幾乎任何3D形狀:晶格、木堆型結(jié)構(gòu)、自由設(shè)計(jì)的圖案、順滑的輪廓、銳利的邊緣、表面的和內(nèi)置倒扣以及橋接結(jié)構(gòu)。Photonic Professional GT2 結(jié)合了設(shè)計(jì)的靈活性和操控的簡潔性,以及普遍的材料-基板選擇。因此,它是一個(gè)理想的科學(xué)儀器和工業(yè)快速成型設(shè)備,適用于多用戶共享平臺(tái)和研究實(shí)驗(yàn)室。Nanoscribe的3D無掩模光刻機(jī)目前已經(jīng)分布在30多個(gè)國家的前沿研究中,超過1,000個(gè)開創(chuàng)性科學(xué)研究項(xiàng)目是這項(xiàng)技術(shù)強(qiáng)大的設(shè)計(jì)和制造能力的特別好證明。吉林德國灰度光刻三維微納米加工系統(tǒng)Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技(上海)有限公司為您揭秘雙光子灰度光刻系統(tǒng)的應(yīng)用。

重慶灰度光刻技術(shù),灰度光刻

我們往往需要通過灰度光刻的方式來實(shí)現(xiàn)微透鏡陣列結(jié)構(gòu),灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版(掩膜接觸式光刻)或者計(jì)算機(jī)控制激光束或者電子束劑量從而達(dá)到在某些區(qū)域完全曝透,而某些區(qū)域光刻膠部分曝光,從而在襯底上留下3D輪廓形態(tài)的光刻膠結(jié)構(gòu)(如下圖4所示,八邊金字塔結(jié)構(gòu))。微透鏡陣列也是類似,可以通過劑量分布的控制來控制其輪廓形態(tài)。需要注意,灰度光刻方法獲得的微透鏡陣列的表面粗糙度相比于熱回流和噴墨法獲得的透鏡要大的多,約為Ra=100nm,前兩者可以會(huì)的Ra=50nm的球面。微納3D打印這種方法與灰度光刻有點(diǎn)類似,但是原理不同,我們常見的微納3D打印技術(shù)是雙光子聚合,利用該技術(shù)我們理論上可以獲得任意想要的結(jié)構(gòu),不僅只是微透鏡陣列結(jié)構(gòu)(如下圖5所示),該方法的優(yōu)勢是可以完全按照設(shè)計(jì)獲得想要的結(jié)構(gòu),后續(xù)可以通過LIGA工藝獲得金屬模具,并通過納米壓印技術(shù)進(jìn)行復(fù)制。

灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版(掩膜接觸式光刻)或者計(jì)算機(jī)控制激光束或者電子束劑量從而達(dá)到在某些區(qū)域完全曝透,而某些區(qū)域光刻膠部分曝光,從而在襯底上留下3D輪廓形態(tài)的光刻膠結(jié)構(gòu)(如下圖4所示,八邊金字塔結(jié)構(gòu))。微透鏡陣列也是類似,可以通過劑量分布的控制來控制其輪廓形態(tài)。需要注意,灰度光刻方法獲得的微透鏡陣列的表面粗糙度相比于熱回流和噴墨法獲得的透鏡要大的多,約為Ra=100nm,前兩者可以會(huì)的Ra=50nm的球面。微納3D打印其實(shí)和與灰度光刻有點(diǎn)相似,但是原理不同,我們常見的微納3D打印技術(shù)是雙光子聚合和微納金屬3D打印技術(shù),利用該技術(shù)我們理論上可以獲得任意想要的結(jié)構(gòu),不光是微透鏡陣列結(jié)構(gòu)(如下圖5所示),該方法的優(yōu)勢是可以完全按照設(shè)計(jì)獲得想要的結(jié)構(gòu),對(duì)于雙光子聚合的微結(jié)構(gòu),我們需要通過LIGA工藝獲得金屬模具,但是對(duì)于微納金屬3D打印獲得的微納米結(jié)構(gòu)可以直接進(jìn)行后續(xù)的復(fù)制工作,并通過納米壓印技術(shù)進(jìn)行復(fù)制。更多雙光子灰度光刻技術(shù),請(qǐng)咨詢Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技(上海)有限公司。

重慶灰度光刻技術(shù),灰度光刻

近年來,實(shí)現(xiàn)微納尺度下的3D灰度光刻結(jié)構(gòu)在包括微機(jī)電(MEMS)、微納光學(xué)及微流控研究領(lǐng)域內(nèi)備受關(guān)注,良好的線性側(cè)壁灰度結(jié)構(gòu)可以很大程度上提高維納器件的靜電力學(xué)特性,信號(hào)通訊性能及微流通道的混合效率等。相比一些獲取灰度結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)手段,如超快激光刻蝕工藝、電化學(xué)腐蝕或反應(yīng)離子刻蝕等,灰度直寫圖形曝光結(jié)合干法刻蝕可以更加方便地制作任意圖形的3D微納結(jié)構(gòu)。該方法中,利用微鏡矩陣(DMD)開合控制的激光灰度直寫曝光表現(xiàn)出更大的操作便捷性、易于設(shè)計(jì)等特點(diǎn),不需要特定的灰度色調(diào)掩膜版,結(jié)合軟件的圖形化設(shè)計(jì)可以直觀地獲得灰度結(jié)構(gòu)。Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技(上海)有限公司為您詳細(xì)講解灰度光刻技術(shù)。湖南德國灰度光刻

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Nanoscribe的無掩模光刻系統(tǒng)在三維微納制造領(lǐng)域是一個(gè)不折不扣的多面手,由于其出色的通用性、與材料的普適性和便于操作的軟件工具,在科學(xué)和工業(yè)項(xiàng)目中備受青睞。這種可快速打印的微結(jié)構(gòu)在科研、手板定制、模具制造和小批量生產(chǎn)中具有廣闊的應(yīng)用前景。也就是說,在納米級(jí)、微米級(jí)以及中尺度結(jié)構(gòu)上,可以直接生產(chǎn)用于工業(yè)批量生產(chǎn)的聚合物母版。借助Nanoscribe雙光子聚合技術(shù)特殊的高設(shè)計(jì)自由度和高精度特點(diǎn),您可以制作具有微米級(jí)高精度機(jī)械元件和微機(jī)電系統(tǒng)。歡迎探索Nanoscribe針對(duì)快速原型設(shè)計(jì)和制造真正高精度的微納零件的3D微納加工解決方案。重慶灰度光刻技術(shù)