四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)超快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。在某些對負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求更高的應(yīng)用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進(jìn)一步提升瞬態(tài)響應(yīng)性能?？紤]到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實(shí)際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實(shí)測負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。芯片供電管腳，用于能量存儲，串接一電容到地后將輸入能 量傳遞至LDO 輸出級。四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片

18V降壓DCDC芯片，低待機(jī)。KP52220XA 是一顆用于各種中壓輸入電壓軌(4.5V-17V) 應(yīng)用的2A 直流同步降壓轉(zhuǎn)換器，尤其適用于12V 的輸入電壓軌。該轉(zhuǎn)換器采用恒定導(dǎo)通時間(COT) 控制策略，實(shí)現(xiàn)了超快的瞬態(tài)響應(yīng)，同時無需外部環(huán)路補(bǔ)償，有助于節(jié)省輸出電容和減少解決方案的整體尺寸。另外KP52220XA 的內(nèi)部導(dǎo)通時間定時器與輸入電壓成反比，與輸出電壓成正比，實(shí)現(xiàn)了在不同的工作條件下固定的工作頻率。該產(chǎn)品還額外集成了輸出電壓誤差放大器，可以消除COT 控制策略形成的半個紋波的直流輸出電壓失調(diào)，從而達(dá)到更高的輸出電壓精度和負(fù)載調(diào)整率。在輕載條件下，KP522201A 工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM) 中，通過降低開關(guān)頻率來保持高輕載輸出效率；而KP522208A 工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 中，通過保持開關(guān)頻率的恒定以保持低輸出電壓紋波。遼寧交流高壓220V轉(zhuǎn)12V供電繼電器非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過于劇烈。

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會自動降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當(dāng)芯片***次啟動時過流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關(guān)動作之后進(jìn)入自動重啟模式(如下描述)。

輸出電容選擇：對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實(shí)際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負(fù)載選擇：需在空載輸出電壓和待機(jī)損耗上折中：即過大的假負(fù)載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機(jī)損耗也隨之加大；而過小的假負(fù)載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負(fù)載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負(fù)載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當(dāng)芯片***次啟動時過流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。非隔離降壓芯片低成本、線路簡潔、性能可靠。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。提升線性調(diào)整 率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。安徽低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片定制

這款芯片適用于MUC供電，線路簡單。四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當(dāng)芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進(jìn)入充電窗口。針對該問題，芯片內(nèi)部設(shè)計了主動式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時，主動式泄放電路也將打開，對VDD電容進(jìn)行充電，同時對Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。四川AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片

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