大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

集成了輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP) 功能，以減小輸出電壓過(guò)沖，并保護(hù)下游用電設(shè)備免受在輸出故障條件或者突減負(fù)載時(shí)可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過(guò)監(jiān)測(cè)反饋電壓(VFB) 檢測(cè)過(guò)壓條件。當(dāng)VFB 超過(guò) OVP 閾值 (VOVP) 時(shí)，OVP 比較器輸出置高，內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關(guān)閉，以避免VOUT 進(jìn)一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片開始再次工作。輸出過(guò)壓保護(hù)功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動(dòng)。內(nèi)部功率MOSFET 漏極，當(dāng)輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時(shí)向后級(jí)提供能量。大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

在輕載條件下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)，以保持開關(guān)頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當(dāng)HSF 處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時(shí)間后被強(qiáng)制打開，直到在下一個(gè)周期HSF 打開前關(guān)閉。這種工作模式不檢測(cè)電感電流過(guò)零點(diǎn)，允許電感電流通過(guò)LSF 的漏-源極從輸出電容流到開關(guān)節(jié)點(diǎn)，稱為反向電流。在這種情況下，開關(guān)頻率在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定，實(shí)現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉(zhuǎn)換器，低紋波，高效率，電路簡(jiǎn)潔。北京AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片該芯片通過(guò)智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)有效 降低系統(tǒng)待機(jī)。

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測(cè)電路，該電路通過(guò)Drain端對(duì)地內(nèi)置的分壓電阻檢測(cè)AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測(cè)到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對(duì)VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對(duì)地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過(guò)高，芯片將一直無(wú)法進(jìn)入充電窗口。針對(duì)該問(wèn)題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過(guò)對(duì)芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對(duì)VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開，對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對(duì)Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。

18V低功耗DCDC降壓芯片，主要特點(diǎn)?寬輸入電壓范圍：4.5Vto17V?輸出電壓范圍：0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開關(guān)頻率?內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的MOSFET開關(guān)管?低靜態(tài)工作電流：190μA(無(wú)開關(guān)動(dòng)作，典型值)?低關(guān)斷電流：2.5μA(典型值)?采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制實(shí)現(xiàn)超快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?兩種輕載工作模式：?KP522201A：脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A：強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度：0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護(hù)功能：?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動(dòng)時(shí)間，避免過(guò)沖電壓和電流?逐周期谷底限流保護(hù)(OCL)?非閉鎖的輸入欠壓保護(hù)(UVLO)、輸出欠壓保護(hù)(UVP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)和過(guò)溫保護(hù)(OTP)?緊湊的解決方案尺寸：?支持使用MLCC陶瓷電容，且支持低輸出電容數(shù)量?無(wú)需外部補(bǔ)償?小封裝類型：SOT23-6芯片供電管腳，同時(shí)作為輸出電壓反饋端 (FB 懸空時(shí))。典型應(yīng)用 中 VDD 電容推薦采用 1uF 陶瓷電容。

芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32us，同時(shí)為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實(shí)際工作中，系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低，所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過(guò)流比較器的輸入。當(dāng)過(guò)流比較器翻轉(zhuǎn)時(shí)高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個(gè)周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾，芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路(典型值400ns)，在此時(shí)間內(nèi)過(guò)流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。高壓?jiǎn)?dòng)電路和**待機(jī)功耗 (<50mW)。江蘇AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片型號(hào)

芯片工作在準(zhǔn)諧振工作模式下，可有 效降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

我們芯片采用高壓集成工藝，內(nèi)部集成有500V高壓MOSFET，適用于小家電和輔助電源應(yīng)用場(chǎng)合所需的離線式降壓電路和升降壓電路，也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關(guān)式峰值電流模式控制，默認(rèn)5V高精度輸出時(shí)很大程度降低了系統(tǒng)成本。此外，芯片經(jīng)過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化，可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應(yīng)用。IC芯片的靜態(tài)工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對(duì)于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價(jià)格

互勤(深圳)科技有限公司位于光明街道東周社區(qū)高新路研祥科技工業(yè)園二棟研發(fā)大樓1007，擁有一支專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。專業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉行業(yè)專業(yè)知識(shí)技能，致力于發(fā)展必易,杰華特,矽力杰,華潤(rùn)微的品牌。公司不僅僅提供專業(yè)的經(jīng)營(yíng)范圍包括一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品、電子元器件、半導(dǎo)體芯片、系統(tǒng)集成的銷售；電池、電池管理系統(tǒng)、電子類板卡，PCBA、電子產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)支撐、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售。(法律、行政法規(guī)、決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目除外），同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)?；デ?深圳)科技有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。