北京交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制

給藍(lán)牙模塊供電，220V降壓3.3V，輸出可調(diào)，電路簡(jiǎn)單。芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?過溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8我們提供可靠質(zhì)量的非隔離BUCK電源降壓芯片。北京交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制

220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BUCK電路，給MCU提供穩(wěn)定的5V電壓。高性能、低成本離線式PWM功率開關(guān)KP311A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān)，適用于降壓型和升降壓型電路。KP311A采用高壓?jiǎn)尉A工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關(guān)式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認(rèn)輸出。在芯片內(nèi)部，芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32μs且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時(shí)，芯片設(shè)計(jì)有輕重載模式，可輕松獲得低于50mW的待機(jī)功耗。北京低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠芯片采用了多模式 PWM 控 制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)。

220V交流降壓3.3V100mA電流，給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護(hù)功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合，外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35062內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

40V降壓DCDC低功耗電源芯片，主要特點(diǎn)?用于條件嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用?輸入電壓范圍：6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實(shí)現(xiàn)**壓降?支持預(yù)偏置輸出軟啟動(dòng)?輸出過壓/欠壓保護(hù)?輸入過壓保護(hù)/欠壓鎖定?過溫保護(hù)?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側(cè)MOSFET?集成135mΩN型低側(cè)MOSFET?內(nèi)置補(bǔ)償電路?內(nèi)置軟啟動(dòng)電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)?可實(shí)現(xiàn)單層PCB布局?低開關(guān)速率減輕EMI問題典型應(yīng)用?白電，小家電?電動(dòng)工具?智能照明?通用寬輸入電壓軌芯片供電管腳，用于能量存儲(chǔ)，串接一電容到地后將輸入能 量傳遞至LDO 輸出級(jí)。

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個(gè)周期的開始，每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時(shí)，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導(dǎo)通時(shí)間后關(guān)閉，此開通時(shí)間由導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器確定。該導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器定時(shí)完畢后，HSF將會(huì)保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時(shí)間)。**小關(guān)斷時(shí)間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個(gè)固定導(dǎo)通時(shí)間。良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，集成軟啟動(dòng)電路。北京低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片原廠

多模式控制、無異音工作，支持降壓和升降壓拓?fù)?。北京交流高?20V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識(shí)別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。北京交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片定制

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