四川非隔離BUCK電源芯片代理

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。可調(diào)輸出電壓，比較高輸出電流限制的特 點(diǎn)，適用于非隔離型AC-DC。四川非隔離BUCK電源芯片代理

220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BUCK電路，給MCU提供穩(wěn)定的5V電壓。高性能、低成本離線式PWM功率開(kāi)關(guān)KP311A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開(kāi)關(guān)，適用于降壓型和升降壓型電路。KP311A采用高壓?jiǎn)尉A工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開(kāi)關(guān)式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認(rèn)輸出。在芯片內(nèi)部，芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32μs且?guī)в卸额l功能，在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時(shí)，芯片設(shè)計(jì)有輕重載模式，可輕松獲得低于50mW的待機(jī)功耗。上海低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，集成軟啟動(dòng)電路。

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開(kāi)通，則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生，并停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個(gè)周期的開(kāi)始，每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時(shí)，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開(kāi)，并且持續(xù)開(kāi)通固定的導(dǎo)通時(shí)間后關(guān)閉，此開(kāi)通時(shí)間由導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器確定。該導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開(kāi)關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器定時(shí)完畢后，HSF將會(huì)保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時(shí)間)。**小關(guān)斷時(shí)間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開(kāi)一個(gè)固定導(dǎo)通時(shí)間。為了避免開(kāi)通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。

如果輸出電容在芯片啟動(dòng)時(shí)已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動(dòng)開(kāi)關(guān)，VOUT 開(kāi)始上升。該預(yù)偏置軟啟動(dòng)方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能，通過(guò)不斷監(jiān)測(cè)反饋電壓VFB 防止芯片輸出過(guò)載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會(huì)置高，以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開(kāi)關(guān)管，阻止芯片繼續(xù)開(kāi)關(guān)工作。AC 同步檢測(cè)及主動(dòng)泄放電路。中國(guó)香港低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片供電管腳，同時(shí)作為輸出電壓反饋端 (FB 懸空時(shí))。典型應(yīng)用 中 VDD 電容推薦采用 1uF 陶瓷電容。四川非隔離BUCK電源芯片代理

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測(cè)電路，該電路通過(guò)Drain端對(duì)地內(nèi)置的分壓電阻檢測(cè)AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測(cè)到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開(kāi)對(duì)VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對(duì)地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過(guò)高，芯片將一直無(wú)法進(jìn)入充電窗口。針對(duì)該問(wèn)題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開(kāi)內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過(guò)對(duì)芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對(duì)VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開(kāi)，對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對(duì)Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開(kāi)和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。四川非隔離BUCK電源芯片代理

互勤(深圳)科技有限公司是以提供電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片為主的私營(yíng)合伙企業(yè)，互勤科技是我國(guó)電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者。公司承擔(dān)并建設(shè)完成電子元器件多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目，取得了明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。多年來(lái)，已經(jīng)為我國(guó)電子元器件行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。