重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-06

芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式,從而允許低側(cè)MOSFET 通過(guò)反向電流。在FPWM 模式下,如果輸出端由于意外被連接到外部電源上,芯片可能工作在反向升壓模式,產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測(cè)電路,當(dāng)檢測(cè)到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時(shí),立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET,然后打開(kāi)高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上,從而保護(hù)低側(cè)MOSFET。另外,NOC 限流在**小關(guān)斷時(shí)間內(nèi)不生效。這款芯片是一種簡(jiǎn)單易用、高效集成的同步降壓轉(zhuǎn)換器。重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工

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交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片,KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開(kāi)關(guān)KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開(kāi)關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP1505X內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET,系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外,芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié),可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能:VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)和VDD過(guò)壓保護(hù)等。安徽AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持PWM控制電路、**的過(guò)零檢測(cè)電 路以及各種保護(hù)電路,用以實(shí)現(xiàn)臨界導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)控制。

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在輕載條件下,系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗,隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能,當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí),輸出電壓和VDD將降低,如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開(kāi)通,則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生,并停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。

40V低功耗降壓DCDC電源芯片,40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡(jiǎn)單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)1A的負(fù)載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍,因此適用于工業(yè)領(lǐng)域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET,省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)和補(bǔ)償電路減少了**元器件的數(shù)量,固定5V或3.3V的輸出方式可進(jìn)一步減少**元器件數(shù)量,從而輕松實(shí)現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開(kāi)關(guān)頻率為100kHz,采用低開(kāi)關(guān)速率設(shè)計(jì)適用于有EMI要求的應(yīng)用場(chǎng)合。KP52140X(A)內(nèi)置有完善的保護(hù)功能:輸入過(guò)壓保護(hù)(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過(guò)壓保護(hù)(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(hù)(VOUTUVP),和過(guò)溫保護(hù)(OTP),以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運(yùn)行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝,可節(jié)約布局空間。。內(nèi)置開(kāi)關(guān)頻率限制 (16kHz-125kHz),可以有效抑制音頻噪聲和降 低開(kāi)關(guān)損耗。

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同步降壓變換器的輸出級(jí)主要由電感和電容組成,通過(guò)內(nèi)部集成的功率MOSFET管的開(kāi)關(guān)切換,將能量存儲(chǔ)并傳遞給負(fù)載,并形成二階低通濾波器平滑開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓,得到穩(wěn)定的輸出直流電壓。本節(jié)基于設(shè)計(jì)實(shí)例主要描述詳細(xì)的設(shè)計(jì)過(guò)程。芯片可以通過(guò)使用外部分壓電阻連接到FB引腳來(lái)設(shè)置不同的輸出電壓。輸出電壓與外部分壓電阻的公式如下:????????+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推薦從分壓下電阻RFB(B)開(kāi)始設(shè)計(jì)。過(guò)大的RFB(B)會(huì)導(dǎo)致FB引腳更容易收到外界噪聲干擾,而過(guò)小的RFB(B)會(huì)增大分壓電阻的功率損耗。綜合考慮二者,推薦選擇RFB(B)=10kΩ~50kΩ。則分壓上電阻RFB(T)可由如下公式計(jì)算得到:?????????×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 下以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開(kāi)關(guān)頻率和低輸出紋波。重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工

集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能: VDD 欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、 過(guò)熱保護(hù)。重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工

高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片,30V3A,500kHz同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52330X是一款簡(jiǎn)單易用高效率的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)3A的負(fù)載電流,非常適合用于12V和24V等常見(jiàn)的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)以維持高輕載效率;KP523308輕載下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)以實(shí)現(xiàn)全負(fù)載電流下固定的開(kāi)關(guān)頻率和低輸出紋波。通過(guò)集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝,該器件可實(shí)現(xiàn)高功率密度,并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏髂J娇刂萍軜?gòu),用于維持穩(wěn)定運(yùn)行和超小的輸出電容。借助EN精密使能功能,可對(duì)器件啟動(dòng)和關(guān)斷進(jìn)行精確控制。內(nèi)置有完善的保護(hù)功能:輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過(guò)壓保護(hù)(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(hù)(VOUTUVP),和過(guò)溫保護(hù)(OTP),以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運(yùn)行。重慶AC高壓降12V供電非隔離BUCK電源芯片加工

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