山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

光耦合器的技術參數主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat）。此外，在傳輸數字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數。電流傳輸比是光耦合器的重要參數，通常用直流電流傳輸比來表示。當輸出電壓保持恒定時，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設計電路時，必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國內和國際的有關隔離擊穿電壓的標準；由英國埃索柯姆（Isocom）公司、美國FAIRCHILD生產的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在國內應用地十分普遍。可以用于單片機的輸出隔離；所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數。 又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件，因而具有很強的共模抑制能力。山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

1.壓縮機的驅動電路主要由六個IGBT/MOSFET驅動，這里常用的柵極驅動光耦：QX31XX，QX350、QX34x；壓縮機的保護電路主要用高速光耦把相信號反饋到CPU；常用到的高速光耦：QXM501、QXM511、QXW501、QX6N135、QX6N136；2.電機的工作常使用到可控硅光耦來驅動運行：常使用到的可控硅光耦：QX302、QX304X；3.線路板的設計在開關電路中對于電壓的采樣與反饋常用到晶體管輸出光耦：QX357、QX816、QX817、QX814；高速光耦QXM501、QXM511、QXW501、QX6N135、QX6N136：傳輸速度達1MBit/s以上;輸入和輸出之間的高隔離電壓(Viso=5000Vrms),傳播延時只有150ns左右,可以有效及時的把信號傳輸到接收端;柵極光耦:QX31XX，QX350、QX34x:**小共模抑制35kV/us,比較大峰值輸出電流2.5A,關斷時間小于0.4us，脈寬失真只有22ns左右;有效及時的驅動大電流器件，信號不丟失。江西小體積光耦群芯微代理替代這種耦合的缺點是會在變壓器鐵芯片中損耗掉一部分功率，并可能造成某些失真。

智能功率模塊（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅動電路及多種保護電路集成在同一模塊內。IPM的通態(tài)損耗和開關損耗都比較低，散熱器的尺寸小，故整個系統(tǒng)的尺寸更小。智能功率模塊接口光耦，內置一個砷化鎵光電二極管和集成高增益光電探測器，具有較低的傳輸延遲時間及**小化脈沖失真寬度，從而有利于提升轉換電路效率，減少切換的死區(qū)時間。智能功率模塊接口光耦具有開路集電極輸出、反相和同相的圖騰柱配置。IPM控制輸入會隨著dv/dt的大小而變，所以用于直接驅動的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在輸入和輸出電壓間增加屏蔽和將電流接地可改進光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制產品。***用于IGBT/MOSFET驅動、IPM隔離驅動、交流/直流無刷電機驅動、變頻器、工業(yè)逆變器等。

群芯微電子有限公司目前的產品包括：晶體管光耦、高速光耦、高壓光耦、柵極驅動光耦、光繼電器、MCU、電源管理芯片、MOSFET等產品，有自己的晶元封裝工廠，廣泛應用于家電，工控，光伏儲能和新能源汽車。群芯微電子有著技術共享、平臺開放、合作創(chuàng)新、共同發(fā)展的經營理念，推進各行業(yè)電子產品向高度智能化方向發(fā)展。在應用上可以根據客戶的產品進行功能定義、系統(tǒng)集成、技術創(chuàng)新，并提供方案參考。讓我們攜起手來，共建美好的未來!它具有體積小、壽命長、無觸點，抗干擾能力強，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號等優(yōu)點。

采用一只光敏三極管的光耦合器，CTR的范圍大多為20%～300%（如4N35），而PC817則為80%～160%，達林頓型光耦合器（如4N30）可達100%～5000%。這表明欲獲得同樣的輸出電流，后者只需較小的輸入電流。因此，CTR參數與晶體管的hFE有某種相似之處。線性光耦合器與普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲線。普通光耦合器的CTR-IF特性曲線呈非線性，在IF較小時的非線性失真尤為嚴重，因此它不適合傳輸模擬信號。線性光耦合器的CTR-IF特性曲線具有良好的線性度，特別是在傳輸小信號時，其交流電流傳輸比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流電流傳輸比CTR值。因此，它適合傳輸模擬電壓或電流信號，能使輸出與輸入之間呈線性關系。這是其重要特性。必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國際的有關隔離擊穿電壓的標準；由英國埃索柯姆（Isocom）公司、美國摩托羅拉公司生產的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器 而如果選用光電耦合器來代替音頻變壓器就可以克服上述這些缺點。OR-4N29型號光耦國產品牌替代

中國國內有關單位投入大量人力物力也研究和開發(fā)了各種光電耦合器件。山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

柵極驅動光耦包含一個GaAsPLED，LED光耦合到一個集成電路的功率輸出級。這些光耦比較適合驅動功率IGBT和Mosfet的柵極，較高的輸出電壓能達到功率器件的柵級電壓驅動要求。電壓和電流由這些光耦提供，使他們能直接驅動高達1200V/100A的IGBT。柵極驅動光耦用于在控制電路和高壓之間提供增強的電絕緣。其抑制高共模噪聲的能力可防止在高頻開關期間功率半導體的誤動作。其共模瞬態(tài)耐久性比較高等級為35kV/μs，可用于逆變器、伺服系統(tǒng)等噪聲環(huán)境惡劣的工業(yè)產品應用。山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

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