浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試前景

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽(yáng)極的電子元件發(fā)生陽(yáng)極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹枝狀結(jié)晶形式向陽(yáng)極生長(zhǎng)[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過(guò)程：(1)陽(yáng)極溶解形成金屬離子過(guò)程；(2)金屬離子遷移過(guò)程；(3)金屬離子在陰極沉積過(guò)程[7]。測(cè)試評(píng)估絕緣電阻性能的綜合解決方案。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試前景

剖面結(jié)構(gòu)觀察通過(guò)SEM觀察失效電阻鑲樣的橫截面，如圖4所示。由圖4可發(fā)現(xiàn)：電阻一端外電極有一個(gè)明顯的腐蝕凹坑，這是由電化學(xué)反中陽(yáng)極溶解所產(chǎn)生的，腐蝕形態(tài)主要為點(diǎn)蝕。根據(jù)文獻(xiàn)[5]報(bào)道，在電解液中存在Cl-的電化學(xué)過(guò)程中，陽(yáng)極表面的鈍化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接滲透陽(yáng)極表面的鈍化膜，造成鈍化膜開裂或形成微孔誘發(fā)局部腐蝕，**終形成點(diǎn)蝕坑的腐蝕形貌。電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)根據(jù)失效分析，得出離子、潮氣及電場(chǎng)為失效的敏感因子，故設(shè)計(jì)故障復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。將樣品分為兩組，1000h潮熱加電實(shí)驗(yàn)。貴州智能電阻測(cè)試直銷價(jià)GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。

過(guò)程控制方法的討論J-STD-001文件定義了焊接電氣和電子組件的要求。第8節(jié)討論了清洗過(guò)程的要求和電化學(xué)可靠性相關(guān)的測(cè)試。本節(jié)參考了幾種測(cè)試方法，這些方法可用于評(píng)估印刷電路板表面什么樣的離子含量可以降低電阻值。它還包括用戶和供應(yīng)商同意的方法選項(xiàng)。TM-650方法提供了三種過(guò)程控制方法，即利用溶劑萃取物的電阻率檢測(cè)和測(cè)量可電離表面污染物，通常稱為ROSE測(cè)試。溶劑萃取物的電阻率（ROSE）這種測(cè)試方法已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)幾十年了。然而，這一方法近年來(lái)在一些發(fā)表的論文中，受到了越來(lái)越多的研究。加強(qiáng)監(jiān)測(cè)的明顯原因是：在某些情況下，這種測(cè)試方法已被確定與SIR的結(jié)果相***。除了正在進(jìn)行的討論內(nèi)容之外，這種測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)可能是不切實(shí)際和費(fèi)力的。這增加了尋找新方法的動(dòng)力，這些新方法比整板萃取更快，操作規(guī)模更小。SIR測(cè)試目的變動(dòng)電路板設(shè)計(jì)或布局。

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過(guò)間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問(wèn)題。測(cè)試速度快：20ms/所有通道。貴州電阻測(cè)試售后服務(wù)

與其它方法比較，SIR的優(yōu)點(diǎn)是除了可偵測(cè)局部的污染之外，還可以測(cè)量離子與非離子污染物對(duì)PCB可靠性的影響。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試前景

CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4 P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹脂半固化后制成；2、樹脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1) 樹脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良 ；3) 樹脂之硬化劑不良，容易吸水 ；4) 膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽  造成氣泡殘存。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試前景

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