湖南國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試服務(wù)電話(huà)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-24

10、在500小時(shí)的偏壓加載后,可以進(jìn)行額外的T/H/B條件。然而,**少要進(jìn)行500小時(shí)加載偏置電壓的測(cè)試,來(lái)作為CAF測(cè)試的結(jié)果之一。11、在確定為CAF失效之前,應(yīng)該確認(rèn)連接線(xiàn)兩端的電阻是不是要小于菊花鏈區(qū)域的電阻。做法是將菊花鏈附近連接測(cè)試線(xiàn)纜的線(xiàn)路切斷。所有的測(cè)試結(jié)束后,如果發(fā)現(xiàn)某塊測(cè)試板連接線(xiàn)兩端的電阻確實(shí)小于菊花鏈區(qū)域的電阻,那么這塊測(cè)試板就不能作為數(shù)據(jù)分析的依據(jù)。常規(guī)結(jié)果判定:1.96小時(shí)靜置后絕緣電阻R1≤107歐姆,即判定樣本失效;2.當(dāng)**終測(cè)試絕緣電阻R2<108歐姆,或者在測(cè)試過(guò)程中有3次記錄或以上出現(xiàn)R2<108歐姆即判定樣本失效。離子在單位強(qiáng)度(V/m)電場(chǎng)作用下的移動(dòng)速度稱(chēng)之為離子遷移率,它是分辨被測(cè)離子直徑大小的一個(gè)重要參數(shù)。湖南國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試服務(wù)電話(huà)

電阻測(cè)試

電子元器件篩選的目的:剔除早期失效產(chǎn)品。提高產(chǎn)品批次使用的可靠性。元器件篩選的特點(diǎn):篩選試驗(yàn)為非破壞性試驗(yàn)。不改變?cè)骷逃惺C(jī)理和固有可靠性。對(duì)批次產(chǎn)品進(jìn)行*篩選。篩選等級(jí)由元器件預(yù)期工作條件和使用壽命決定。電子元器件篩選常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目:檢查篩選:顯微鏡檢查、紅外線(xiàn)非破壞檢查、 X射線(xiàn)非破壞性檢查。密封性篩選:液浸檢漏、氦質(zhì)譜檢漏、放射性示 蹤檢漏、濕度試驗(yàn)、顆粒碰撞噪聲檢測(cè)。環(huán)境應(yīng)?篩選:高低溫貯存、高溫反偏、振動(dòng)、沖擊、離?加速度、溫度沖擊、綜合應(yīng)?、動(dòng)態(tài)老煉。 電子元器件篩選覆蓋范圍:半導(dǎo)體集成電路:時(shí)基電路、總線(xiàn)收發(fā)器、緩沖器、驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、門(mén)器件、觸發(fā)器、LVDS線(xiàn)收發(fā)器、運(yùn)算放大器、電壓調(diào)整器、電壓比較器、電源類(lèi)芯片(穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器、電源監(jiān)控器、電源管理等)、致模轉(zhuǎn)換器(A/D、D/A、SRD)、存儲(chǔ)器、可編程邏輯器件、單片機(jī)、微處理器、控制器等;貴州sir電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案其中作為陽(yáng)極的一方發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣體向另一邊的金屬(陰極)遷移。

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線(xiàn)路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素:無(wú)論是線(xiàn)路板材料和阻焊層、元器件的清潔度,還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物(包括助焊劑殘留物)。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的,理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題:如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素:銅、電壓、濕度和離子種類(lèi)。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí),能夠與表面上的任何離子相互作用,使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng),它們?cè)陔妷旱淖饔孟拢煌苿?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟:水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。

電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開(kāi)封機(jī)械開(kāi)封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示,可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附,異物呈樹(shù)枝狀結(jié)晶,由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng),并連接了電阻兩端電極;一端電表表面發(fā)生溶解,且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1],因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響,很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。在所用的電子化學(xué)品中,容易被忽視的是焊劑。

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當(dāng)PCB受到離子性物質(zhì)的污染、或含有離子的物質(zhì)時(shí),在高溫高濕狀態(tài)下施加電壓,電極在電場(chǎng)和絕緣間隙存在水分的共同作用下,離子化金屬向相反的電極間移動(dòng)(陰極向陽(yáng)極轉(zhuǎn)移),相對(duì)的電極還原成本來(lái)的金屬并析出樹(shù)枝狀金屬的現(xiàn)象(類(lèi)似錫須,容易造成短路),這種現(xiàn)象稱(chēng)為離子遷移。當(dāng)存在這種現(xiàn)象時(shí),表面絕緣電阻(SIR)測(cè)試可以通過(guò)電阻值顯現(xiàn)出來(lái)。測(cè)試方法通常是認(rèn)證助焊劑在裸銅板上的表現(xiàn),但是NiAu和HASL工藝的殘留物對(duì)PCB表面的漏電有一定影響。HASL工藝使用的助焊劑中的乙二醇會(huì)被環(huán)氧基板編織布所吸收,增強(qiáng)基板的吸水性。己經(jīng)有一些案例說(shuō)明NiAu的金屬層會(huì)增電化學(xué)遷移的趨勢(shì)。表面涂層的影響取決于表面涂層所用的助焊劑和化學(xué)劑。智能電阻具有更加便捷的操作和數(shù)據(jù)處理能力。湖北電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

SIR是通過(guò)測(cè)試表面絕緣電阻的方法來(lái)監(jiān)控ECM電化學(xué)遷移的發(fā)生程度; 通常我們習(xí)慣講的SIR,即為ECM測(cè)試;湖南國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試服務(wù)電話(huà)

半導(dǎo)體分立器件∶二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、達(dá)林頓陣列、半導(dǎo)體光電子器件等;被動(dòng)元件:電阻器;電容器;磁珠;電感器;變壓器;晶體振蕩器;晶體諧報(bào)器;繼電器;電連接器;開(kāi)關(guān)及面板元件;電源模塊:濾波器、電源模塊、高壓隔離運(yùn)放、DC/DC、DC/AC;功率器件:功率器件、大功率器件;連接器:圓形連接器、矩形,印刷版插座等。元器件篩選覆蓋標(biāo)準(zhǔn):GJB7243-2011軍電子元器件篩選技術(shù)要求;GJB128A-97半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法;GJB360A-96電子及電?元件試驗(yàn)方法;GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序;GJB40247A-2006軍電子元器件破壞性物理分析方法;QJ10003—2008進(jìn)?元器件篩選指南;MIL-STD-750D半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法;MIL-STD-883G;湖南國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試服務(wù)電話(huà)