變頻器的電壓保護
1、 過電壓保護
產(chǎn)生過電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太高
② 降速時間太短
③ 降速過程中,再生制動的放電單元工作不理想,來不及放電,請增加外接制動電阻和制動單元
④ 請檢查放電回路有沒有發(fā)生故障,實際并不放電;對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞
2、 欠電壓保護
產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太低
② 電源缺相;
③ 整流橋故障:如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路,整流后的電壓將下降,對于整流器件和晶閘管的損壞,應(yīng)注意檢查,及時更換。
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變頻器有故障。
解決方法:
1.通過“監(jiān)視--輸入輸出映像--邏輯輸入映像”觀察點通時對應(yīng)那個LI1點的狀態(tài),如果LI1或LI2,在手柄處于零位時,依然持續(xù)有效 (其對應(yīng)的黑點在上方),則說明LI1或LI2損壞。需維修更換端子板。
2.檢查“應(yīng)用功能——停車設(shè)置”內(nèi)的“停車類型”應(yīng)為“斜坡停車”。
3.如果端子LI1損壞,則需要更換端子板,如果**是LI2損壞,則可以將LI2上的線拆掉轉(zhuǎn)到LI6上(前提是LI6原來沒有被使用),然后“輸入輸出設(shè)置--反轉(zhuǎn)”設(shè)為LI6。松開右上角的螺釘,往下拉端子塊,即可卸掉,然后更換新的端子塊。
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變頻器本身維修
遇到損壞的變頻器時,先使用萬用表初步檢查整流模塊和逆變模塊是否完好。如果整流模塊損壞,在以后的維修中就要注意各種板卡是否有損壞;如果逆變模塊損壞,就要檢查驅(qū)動板卡是否完好。
(1)逆變模塊(IGBT)的檢測
在進一步的檢查中,檢測逆變模塊的檢測是重點之一。下面是檢測逆變模塊好壞的方法。
將萬用表撥到R 10K檔,用黑表筆接IGBT的集電極,紅表筆接IGBT的發(fā)射極,此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極和集電極,這時IBGT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極和發(fā)射極,這時IGBT被阻斷,萬用表指針回零。這樣可判定 IGBT是好的。
變頻器的基本架構(gòu)
1、直流部分
直流部分是變頻器的信號控制部分。整流器件把三相電變成直流電后,直流電部分取出所需的電壓,帶動驅(qū)動電路、檢測電路和CPU控制器。驅(qū)動電路用來實現(xiàn)逆變器件的驅(qū)動,檢測電路用來實現(xiàn)對溫度、電流和電壓的檢測,CPU控制器實現(xiàn)判斷和控制功能。
2、逆變器件部分
逆變器是能把直流電變成頻率可調(diào)的交流電的器件。通過逆變器的驅(qū)動電路實現(xiàn)對逆變器的驅(qū)動,從變頻器輸出的電就變成了電壓為380V,頻率可調(diào)的交流電,驅(qū)動電機完成預(yù)想的控制工作。
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1、軟啟動器在起動負(fù)載時,出現(xiàn)起動超時現(xiàn)象。軟啟動器停止工作,電機自由停車。故障原因有
1)參數(shù)設(shè)置不合理(重新整定參數(shù)起始電壓適當(dāng)升高,時間適當(dāng)加長)
2)起動時滿負(fù)載起動,(起動時應(yīng)盡量減輕負(fù)載)在起動過程中,出現(xiàn)電流不穩(wěn)定,電流過大。原因可能有
(1)電流表指示不準(zhǔn)確或者與互感器不相匹配(更換新的電流表)
(2)電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定,波動比較大,引起軟啟動器誤動作(和廠家聯(lián)系更換控制板)
(3)軟啟動器參數(shù)設(shè)置不合理。(重新整定參數(shù)
2、軟啟動器出現(xiàn)重復(fù)起動。故障原因有在起動過程中**保護元件動作,接觸器不能吸合,導(dǎo)致軟啟動器出現(xiàn)重復(fù)起動(檢查**元件和線路
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軟啟動器的常見故障
1、故障-F 01(瞬停):
出現(xiàn)此故障是接線端子7和10開路了,只要導(dǎo)線把接線端子7和10短接起來就可解決。引起此故障的原因一般是由于外部控制接線有誤而導(dǎo)致的,如果用戶不是特別需要外控的話,我們可以告訴用戶只需把軟起內(nèi)部功能代號“9”(控制方式)參數(shù)設(shè)置成“1”(鍵盤控制),就可以避免此故障。
2、故障-F 02(起動時間過長):
出現(xiàn)此故障是軟起動器的限流值設(shè)置得太低而使得軟起動器的起動時間過長,在這種情況下,我們可以把軟起內(nèi)部的功能代碼“4”(限制起動電流)的參數(shù)設(shè)置高些,可設(shè)置到1.5~2.0倍,必須要注意的是電機功率大小與軟起動器的功率大小是否匹配,如果不匹配,在相差很大的情況下,野蠻的把參數(shù)設(shè)置到4~5倍,起動運行一段時間后會因電流過大而燒壞軟起內(nèi)部的硅模塊或是可控硅。
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