PMPB95ENEAX MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) SOT1220

二極管正負(fù)極判斷：二極管是一種*簡(jiǎn)單的電子器件，具有正負(fù)極的區(qū)分。正極也稱為陽(yáng)極，負(fù)極也稱為陰極。正負(fù)極的判別對(duì)于二極管的正確使用和連接至關(guān)重要。在二極管中，正極是指電流流入的一端，也是電子從P型半導(dǎo)體流向N型半導(dǎo)體的一端。而負(fù)極則是指電流流出的一端,也是電子從N型半導(dǎo)體流向P型半導(dǎo)體的一端。在二極管的外觀上，可以通過(guò)以下幾種方式來(lái)判別正負(fù)極:1.觀察標(biāo)記:很多二極管在外觀上會(huì)標(biāo)記正負(fù)極，例如在正極一端標(biāo)記”+"號(hào)或者箭頭符號(hào)，而負(fù)極一端沒(méi)有標(biāo)記。這種標(biāo)記通常印在二極管的外殼上，容易辨認(rèn)。2.觀察外形:二極管的正負(fù)極也可以通過(guò)外形來(lái)判斷。通常，正極一端的外形會(huì)與負(fù)極不同。例如，正極一端可能會(huì)有一個(gè)長(zhǎng)一點(diǎn)的引腳，而負(fù)極一端的引腳則較短3,觀察顏色:某些二極管的正負(fù)極也可以通過(guò)顏色來(lái)判斷。例，LED二極管的正極會(huì)被標(biāo)記為長(zhǎng)一點(diǎn)的引腳，并目通常是紅色。二極管的小型化和集成化是電子元件發(fā)展的重要趨勢(shì)。PMPB95ENEAX MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) SOT1220

    二極管常見(jiàn)種類：一、TVS二極管：TVS二極管全稱瞬態(tài)電壓抑制二極管，TVS是一種保護(hù)器件，常用在連接器接口，測(cè)試點(diǎn)，開(kāi)關(guān)電源等地方，與被保護(hù)負(fù)載并聯(lián)使用。二、穩(wěn)壓二極管：利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。三、肖特基二極管：肖特基簡(jiǎn)稱SBD，有正向壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間小的特點(diǎn)，常用來(lái)作大電流整流。四、快回復(fù)二極管：簡(jiǎn)稱FRD，與肖特基類似，但是功耗更大。五、發(fā)光二極管：簡(jiǎn)稱LED，LED由含鎵、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以發(fā)光。六、變?nèi)荻O管：是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的二極管。PMPB95ENEAX MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) SOT1220二極管的正向電阻遠(yuǎn)小于反向電阻，這是其單向?qū)щ娦缘幕A(chǔ)。

    二極管在穩(wěn)壓電路中的作用：穩(wěn)壓電路中，二極管常用作參考電壓源或電壓調(diào)整元件。例如，在齊納穩(wěn)壓電路中，利用齊納二極管的反向擊穿特性，可以穩(wěn)定輸出電壓。此外，二極管還可以與電阻、電容等元件組合，構(gòu)成各種復(fù)雜的穩(wěn)壓電路。二極管在數(shù)字電路中的應(yīng)用：在數(shù)字電路中，二極管常用作邏輯門(mén)的輸入保護(hù)元件或?qū)崿F(xiàn)邏輯功能的輔助元件。例如，在TTL邏輯門(mén)電路中，二極管用于防止輸入端過(guò)壓損壞門(mén)電路。此外，二極管還可以與晶體管組合，構(gòu)成各種邏輯功能電路。

    整流、開(kāi)關(guān)二極管主要參數(shù)：1）導(dǎo)通壓降VFVF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，當(dāng)通過(guò)二極管的電流越大，VF越大；當(dāng)二極管溫度越高時(shí)，VF越小。（2）反向飽和漏電流IR（Reversecurrent）指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，該電流與半導(dǎo)體材料和溫度有關(guān)。少子的漂移運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致的，盡量選擇該值小的二極管。（3）額定整流電流IF（Averageforwardcurrent）指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。這個(gè)是選取二極管電流的主要參數(shù)（4）**平均整流電流IO（RectifiedCurrent(Average),）在半波整流電路中，流過(guò)負(fù)載電阻的平均整流電流的**值。這個(gè)是整流電路比較看重的值。（5）**浪涌電流IFSM（PeakForwardSurgeCurren）允許流過(guò)的過(guò)量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當(dāng)大。（6）**反向峰值電壓VRM（Non-RepetitivePeakReverseVoltage）避免擊穿所能加的**反向電壓，這個(gè)電壓是不重復(fù)的，是一個(gè)瞬態(tài)值。除了這個(gè)值外還有一個(gè)重復(fù)的反向峰值電壓VRRM，這個(gè)值是等于直流下的**反向電壓VR的。 在未來(lái)的電子設(shè)備中，二極管將繼續(xù)發(fā)揮重要作用，推動(dòng)電子技術(shù)的不斷進(jìn)步。

    二極管PN結(jié)形成原理：P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。 二極管的價(jià)格相對(duì)較低，使得其在電子行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)。PDZ20BF 穩(wěn)壓(齊納)二極管

二極管作為電子元件的基石，在電路中發(fā)揮著整流和開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵作用。PMPB95ENEAX MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) SOT1220

    反向電流是指二極管在常溫（25℃）和**反向電壓作用下，*過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不*失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流*為5uA，溫度升高到75℃時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)Q附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。Fm是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。所以Fm的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過(guò)此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊?。αuz指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。 PMPB95ENEAX MOS(場(chǎng)效應(yīng)管) SOT1220