青海低碳半導體器件設備品牌排行榜

來源: 發(fā)布時間:2023-02-24

    具體實施方式為了清楚地解釋,適當?shù)厥÷院秃喕韵旅枋龊透綀D。在附圖中,相同的元素由相同的附圖標記表示,并且適當?shù)厥÷云渲貜兔枋?。率先實施例圖1是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中,給出了微控制器作為半導體器件的示例,但是不用說,根據(jù)本公開的技術可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示,微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里,溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即,當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時,滿足t通常,微控制器100的結溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當邏輯塊110不操作時,結溫tj近似等于環(huán)境溫度ta,因為沒有從邏輯塊110產生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時,響應于由于邏輯塊110中的熱量產生而產生的熱量,結溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此,當不使用本公開的技術時,保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而,使用所公開的技術。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上。青海低碳半導體器件設備品牌排行榜

    不需要功耗電路130升高結溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中,耗電路130接通,并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說,驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中,控制器140控制功耗電路130的接通/斷開,使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果,在溫度區(qū)域s1中,結溫tj如圖4的下圖所示。因此,可以擴展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面,在溫度區(qū)域s2中,由于環(huán)境溫度ta足夠高,所以結溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb,這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高,并且因此功耗電路130繼續(xù)關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj=ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻,idd是微控制器100的操作電流,即邏輯塊110的操作電流,并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經描述了率先實施例。在微控制器100中,當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時,功耗電路130接通,從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產生熱量。因此,結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果,與不提供上述配置時相比。山東建設項目半導體器件設備廠家價格設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。

    以相同的方式,控制器160逐個遞增要操作的功耗電路130的數(shù)目??刂破?60的數(shù)目可以增加n(n是等于或大于2的整數(shù)),而不是逐個增加。此外,在本實施例中,控制器160在診斷部分170診斷的同時逐漸增加要操作的功耗電路130的數(shù)目,但不一定需要改變以增加數(shù)目。例如,控制器160可以在預定的等待時間改變數(shù)目以減少要操作的功耗電路130的數(shù)目。然而,推薦地,將要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾拥臄?shù)目。這是因為,取決于環(huán)境溫度,如果操作所有功耗電路130,則結溫可能超過保證微控制器200的操作的溫度的上限。因此,如稍后所述,只要結溫不超過操作保證的溫度范圍的上限,要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾?,并且當?shù)目超過上限時,溫度傳感器120的診斷操作可以通過中止診斷來在操作保證的溫度范圍內執(zhí)行。診斷部分170基于溫度傳感器120的輸出來診斷溫度傳感器120是否異常。因此,例如,如果沒有來自溫度傳感器120可用的測量結果,則診斷部分170可以檢測溫度傳感器120中的異常。當從溫度傳感器120獲取測量結果時,診斷部分170如下診斷溫度傳感器120是否存在異常。也就是說。

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時,電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置,并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來,將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中,將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行,但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中,設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述,設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度,即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如,這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后,處理進入步驟s101。在步驟s101中,測量結溫。也就是說,控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后,控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。半導體行業(yè)技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。

    在本實施例中,當n=0時,即,當處理從步驟s300轉移到步驟s301時,在關閉所有功耗電路130的情況下測量結溫。在步驟s302中,診斷部分170確定測量結果是否正常。如果測量結果異常,則處理進入步驟s303,而如果測量結果正常,則處理進入步驟s304。如果所有功耗電路130都關閉,則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結果,或者如果沒有獲取指示預定溫度范圍(例如,定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測量結果,則診斷部分170確定測量結果異常。否則,診斷部分170確定測量結果正常。當多個功耗電路130中的至少一個接通時,檢查此時獲取的結溫與上一次在步驟s301中獲取的結溫之間的差值(即,結溫的變化δtj)和與預定適當量的偏差量是否等于或小于預定閾值。當偏差超過閾值時,診斷部分170確定測量結果異常。另一方面,當偏移量不超過閾值時,診斷部分170確定測量結果正常。在步驟s303中,診斷部分170確定溫度傳感器120中已經發(fā)生錯誤,并且結束診斷操作。在步驟s304中,診斷部分170確定計數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當計數(shù)值n大于診斷數(shù)n時,處理進入步驟s305。在步驟s305中,診斷部分170確定溫度傳感器120正常,并且結束診斷操作。如果計數(shù)值n等于或小于n,則在步驟s304之后。半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等。青海低碳半導體器件設備品牌排行榜

在半導體器件的具體的制備工藝中,通常是在半導體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧,以場氧為掩膜對半導體。青海低碳半導體器件設備品牌排行榜

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