北京建設項目半導體器件設備治理

來源: 發(fā)布時間:2023-03-18

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中,將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動時執(zhí)行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動時尚未開始,因此結溫低于微控制器300操作期間的任何時間的結溫。如上所述,如果結溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限,則不能增加操作以進行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動時執(zhí)行診斷來提高診斷操作的可行性。在步驟s300中,診斷部分170讀取診斷所需要的設定值。例如,診斷部分170讀取存儲在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的設置值。設定值包括例如上述適當量、診斷數n、等待時間tw和增加的數目i。增量數i是指示當要操作的功耗電路130改變時要操作的功耗電路130的增加次數的設定值。在步驟s300中,診斷部分170重置計數器的計數n,該計數n指示在一系列診斷操作中已經診斷了計數器的次數。在步驟s300之后,處理進入步驟s301。在步驟s301中,測量結溫。也就是說,診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結溫。然后,診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后,處理進入步驟s302。半導體器件通常,這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。北京建設項目半導體器件設備治理

    處理進入步驟s306。在步驟s306中,如果消耗電力的功耗電路130的數目從當前數目增加,則診斷部分170基于在溫度傳感器120處測量的溫度來確定結溫是否超過預定上限溫度。具體地,診斷部分170將在待接通的功耗電路130增加預定增加量i時的上升溫度與在步驟s301中獲取的當前結溫相加,并且確定相加結果是否超過預定上限溫度(保證操作的溫度范圍的上限)。如果在功耗電路130的數目增加i時結溫超過預定上限溫度,則在步驟s305中,診斷部分170確定溫度傳感器120正常并且終止診斷操作。以這種方式,通過中止診斷操作,可以在操作保證的溫度范圍內執(zhí)行溫度傳感器120的診斷操作。如果即使功耗電路130的數目增加i時確定結溫仍然不超過預定上限溫度,則處理進入步驟s307。在步驟s307中,控制器160將消耗功率的功耗電路130的數目、即接通的功耗電路130的數目增加預定的增量數目i。在步驟s307之后,處理進入步驟s308。在步驟s308中,診斷部分170檢查在步驟s307中增加要接通的功耗電路130之后是否已經過了等待時間tw。也就是說,它一直等到結溫穩(wěn)定。當經過等待時間tw時,處理返回到步驟s301,并且檢查溫度傳感器120是否在高于先前測量的溫度帶的溫度帶中正常操作。以這種方式,重復診斷操作。山西標準半導體器件設備管理計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話等其它各種終端局端設備。

    控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說,當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時,控制器140關閉功耗電路130。當結溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時,控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此,預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度,或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度??刂破?40包括用于對測量周期進行計數的計數器電路,并且當計數器電路指示的計數器值超過測量周期時,再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時,該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示,功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130,并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換。控制信號c對應于用于指示上述功耗的信號。

    DC/AC)的制作218交流和直流波形的類別218電路原理圖和元件明細表218制作工藝219運行中存在的問題221太陽能發(fā)電、風力發(fā)電與市電電網聯(lián)合供電的試驗裝置222太陽能電池和風力發(fā)電的混合式發(fā)電222實現三方聯(lián)合供電的夢想223和孩子們一起獲取大自然賜予的綠色能源225在郊外別墅房自建微型太陽能電站227建電站的設想227系統(tǒng)結構圖227從獨有型太陽能發(fā)電系統(tǒng)到系統(tǒng)(市電)聯(lián)系型228從“云霄一號”到“云霄三號”228云霄三號的系統(tǒng)結構和元件明細表229節(jié)電、發(fā)電、賣電統(tǒng)計清單230不用逆變器的全直流供電太陽能發(fā)電系統(tǒng)試作——從50W發(fā)展到1000W232和太陽能電池的初接觸232增大太陽能電池容量的二期工程232全直流供電的系統(tǒng)結構圖和元件明細表232運行情況和節(jié)電效果233國外某家庭自裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)(獨有型)節(jié)電效果統(tǒng)計233系統(tǒng)概況233運行情況和節(jié)電效果234國外某家庭自裝太陽能發(fā)電(系統(tǒng)聯(lián)系型)、買電和賣電的統(tǒng)計(國外實例)235實例之一235實例之二237第8章利用微波傳輸太空超級太陽能發(fā)電站的電功率239微波輸電計劃239SSPS計劃概述239送電(發(fā)射)系統(tǒng)概述241傳輸損耗243接收系統(tǒng)243結論246近期進展246美國私營太陽能公司介入太空太陽能電站。半導體是指一種導電性可控,范圍從絕緣體到導體之間的材料。

    本發(fā)明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件,例如,本發(fā)明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來,對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加,特別是在汽車工業(yè)中。因此,在半導體器件中,還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開,其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電,并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關技術,日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開,其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術實現要素:日本未審專利申請公開,但是不能防止過低的結溫。如果由于環(huán)境溫度低而導致結溫過低,則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此,本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術。根據本說明書的描述和附圖,其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據一個實施例,半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據率先實施例,可以將半導體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據率先實施例的技術時的環(huán)境溫度。半導體器件設備為了與集成電路相區(qū)另,有時也稱為分立器件。重慶國內半導體器件設備直銷價格

半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。北京建設項目半導體器件設備治理

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t,t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如,邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結溫tj的傳感器。例如,溫度傳感器120被配置為包括電阻器,該電阻器的電阻根據溫度而變化。作為這樣的電阻元件,例如,使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時,功耗電路130消耗預定功率并且相應地產生熱量。更具體地,當從控制器140輸入指示功耗的信號時,功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述。控制器140是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路。具體地,控制器140獲取預定測量周期的結溫,并且當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時,輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即,當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時,控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時。北京建設項目半導體器件設備治理

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