天津反應(yīng)磁控濺射用處

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-04-30

磁控濺射技術(shù)不只是科學(xué)研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術(shù),經(jīng)過(guò)多年的不斷完善和發(fā)展,該技術(shù)也已經(jīng)成為重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術(shù)之一,普遍應(yīng)用于玻璃、汽車(chē)、醫(yī)療衛(wèi)生、電子工業(yè)等工業(yè)和民生領(lǐng)域。例如,采用磁控濺射工藝生產(chǎn)鍍膜玻璃,其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成,允許任意調(diào)節(jié)能量通過(guò)率、反射率,具有良好的美觀效果,被越來(lái)越多的被應(yīng)用于現(xiàn)代建筑領(lǐng)域。再比如,磁控濺射技術(shù)也能夠應(yīng)用于織物涂層,這些織物涂層可以應(yīng)用于安全領(lǐng)域,如防電擊、電磁屏蔽和機(jī)器人防護(hù)面料等,也可用于染料制作。這樣的涂層織物在醫(yī)療衛(wèi)生、環(huán)境保護(hù)、電子工業(yè)等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):膜的牢固性好。天津反應(yīng)磁控濺射用處

天津反應(yīng)磁控濺射用處,磁控濺射

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn):1、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類(lèi)工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。安徽平衡磁控濺射儀器磁控濺射的原理:靶材背面加上強(qiáng)磁體,形成磁場(chǎng)。

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高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片,導(dǎo)致沉積過(guò)程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)薄膜上,引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走,薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán),還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時(shí)高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%~30%,因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個(gè)問(wèn)題。

磁控濺射技術(shù)是一門(mén)起源較早,但至今仍能夠發(fā)揮很大作用的技術(shù)。它的優(yōu)越性不只體現(xiàn)在鍍膜方面,更滲透到各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。時(shí)至如今,我國(guó)的濺射技術(shù)水平較之以前有了很大的突破。隨著時(shí)代進(jìn)步和現(xiàn)代工業(yè)化生產(chǎn)需求,社會(huì)對(duì)磁控濺射工藝的要求也越來(lái)越高,這就需要廣大科研人員不斷深入探究,對(duì)這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步研究和改良,增強(qiáng)其精度和功能,滿足日益增長(zhǎng)的現(xiàn)代工業(yè)需求,更好的為社會(huì)發(fā)展和科學(xué)進(jìn)步貢獻(xiàn)力量。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):基板低溫性。

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相較于蒸發(fā)鍍膜,真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻,那么真空蒸發(fā)鍍膜所鍍出來(lái)的膜厚度在中心位置一般會(huì)薄一點(diǎn)。因此,由于我們無(wú)法控制真空蒸發(fā)鍍膜的膜層的厚度,而真空磁控濺射鍍膜的過(guò)程中可通過(guò)控制時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制鍍層厚度,所以蒸鍍真空鍍膜不適應(yīng)企業(yè)大規(guī)模的生產(chǎn)。反之,濺射鍍膜在這方面就比較有優(yōu)勢(shì)了。那么相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜來(lái)說(shuō),真空磁控濺射鍍膜除了膜厚均勻與可控靈活的優(yōu)勢(shì)之外,還有這些特點(diǎn):磁控濺射鍍的膜層的純度高,因此致密性好;膜層物料靈活,薄膜可以由大多數(shù)材料構(gòu)成,包括常見(jiàn)的合金、化合物之類(lèi)的;濺射鍍膜的沉積速率較低,整體設(shè)備相對(duì)復(fù)雜一些;真空濺射薄膜與作用基底之間的粘合、附著力很好。磁控濺射在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問(wèn)題。安徽脈沖磁控濺射聯(lián)系商家

磁控濺射粉體鍍膜技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級(jí)粉體的量產(chǎn)。天津反應(yīng)磁控濺射用處

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):(1)基板有低溫性。相對(duì)于二級(jí)濺射和熱蒸發(fā)來(lái)說(shuō),磁控濺射加熱少。(2)有很高的沉積率。可濺射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜(3)環(huán)保工藝。磁控濺射鍍膜法生產(chǎn)效率高,沒(méi)有環(huán)境污染。(4)涂層很好的牢固性,濺射薄膜與基板,機(jī)械強(qiáng)度得到了改善,更好的附著力。(5)操作容易控制。鍍膜過(guò)程,只要保持壓強(qiáng)、電功率濺射條件穩(wěn)定,就能獲得比較穩(wěn)定的沉積速率。(6)成膜均勻。濺射的薄膜密度普遍提高。(7)濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能。(8)濺射可連續(xù)工作,鍍膜過(guò)程容易自動(dòng)控制,工業(yè)上流水線作業(yè)。天津反應(yīng)磁控濺射用處