江西射頻磁控濺射處理

影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素：1、濺射功率的影響，在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對于涂層生長速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對這兩方面都有極大的影響。2、氣壓的影響，磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射，為此需要提高氣體的離化率，使氣體形成等離子體。在保證濺射功率固定的情況下，分析氣壓對于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積；2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置；3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成.磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位。基板有低溫性，相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說，磁控濺射加熱少。江西射頻磁控濺射處理

交流磁控濺射和直流濺射的區(qū)別：交流磁控濺射和直流濺射相比交流磁控濺射采用交流電源代替直流電源,解決了靶面的異常放電現(xiàn)象。交流濺射時，靶對真空室壁不是恒定的負電壓，而是周期一定的交流脈沖電壓。設(shè)脈沖電壓的周期為T,在負脈沖T—△T時間間隔內(nèi),靶面處于放電狀態(tài)，這一階段和直流磁控濺射相似；靶面上的絕緣層不斷積累正電荷，絕緣層上的場強逐步增大；當場強增大至一定限度后靶電位驟降為零甚至反向，即靶電位處于正脈沖△T階段。在△T時間內(nèi)，放電等離子體中的負電荷─電子向靶面遷移并中和了絕緣層表面所帶的正電荷，使絕緣層內(nèi)場強恢復(fù)為零，從而消除了靶面異常放電的可能性。雙靶材磁控濺射儀器單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負電壓段。

脈沖磁控濺射的分類：（1）單向脈沖：單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負電壓段。由于零電壓段靶表面電荷中和效果不明顯。（2）、雙向脈沖：雙向脈沖在一個周期內(nèi)存在正電壓和負電壓兩個階段，在負電壓段，電源工作于靶材的濺射，正電壓段，引入電子中和靶面累積的正電荷，并使表面清潔，裸露出金屬表面。雙向脈沖更多地用于雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統(tǒng)，系統(tǒng)中的兩個磁控靶連接在同一脈沖電源上，兩個靶交替充當陰極和陽極。陰極靶在濺射的同時，陽極靶完成表面清潔，如此周期性地變換磁控靶極性，就產(chǎn)生了“自清潔”效應(yīng)。

磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上，這就是磁控濺射具有低溫高速兩大特點的機理。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜。該技術(shù)可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。

磁控濺射粉體鍍膜技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級粉體的量產(chǎn).由該技術(shù)得到的功能性復(fù)合粉體具有優(yōu)異的分散性,鍍層均勻度較高,鍍層與粉體的結(jié)合緊密度較高。磁控濺射鍍膜可以賦予超細粉體新的特性,例如在微米級二氧化硅表面鍍鋁,得到的復(fù)合粉體不但具有良好的分散性,好具有優(yōu)異的光學性能,可以作為一種特殊效果顏料用于高級塑料制品加工中.相較于傳統(tǒng)的鋁粉顏料,該特殊效果顏料不但有效改善了塑料制品的注塑缺陷(流痕\熔接線),還使得制品外觀質(zhì)感更加高級。磁控濺射目前是一種應(yīng)用十分普遍的薄膜沉積技術(shù)。四川真空磁控濺射過程

在熱陰極的前面增加一個電極，構(gòu)成四極濺射裝置，可使放電趨于穩(wěn)定。江西射頻磁控濺射處理

磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品特點：1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈.相應(yīng)地,環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度較高的部位.在磁控濺射時,可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發(fā)出強烈的淡藍色輝光,形成一個光環(huán).處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊較嚴重的部位,會濺射出一條環(huán)狀的溝槽.環(huán)狀磁場是電子運動的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來.磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會導致整塊靶材報廢,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2、等離子體不穩(wěn)定。江西射頻磁控濺射處理

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