深圳光電器件微納加工

來源: 發(fā)布時間:2022-08-16

       當微納加工技術應用到光電子領域,就形成了新興的納米光電子技術,主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里,一方面,以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發(fā)展,包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE),使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層,從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面,平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕,使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時,光子晶體概念的出現(xiàn),使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質材料折射率周期性的改變中。高精度的微細結構通過控制聚焦電子束(光束)移動書寫圖案進行曝光。深圳光電器件微納加工

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2012年北京工業(yè)大學Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬、鈦和不銹鋼進行了精密制孔研究,并利用旋切制孔方式對厚度為0.3mm的金屬鉬實現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工,利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果。實驗指出大口徑微孔加工應采用旋切制孔方式,而加工較小口徑時則更宜選用螺旋制孔方式。皮秒激光精密微孔加工過程中,對于厚度較小的材料(d<1μm),由于激光與材料作用的時間較短,以采用高峰值功率、窄脈寬的激光為宜,而對于厚度在百微米甚至超過1mm的金屬材料的微孔加工,除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外,選擇合適的制孔方式是必要的。此外,根據材料結構的不同還應該選擇是否采用偏振輸出等因素。深圳光電器件微納加工干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求,且在微納加工技術中被大量使用。

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    微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?!白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā),以光刻工藝為基礎,對材料或原料進行加工,小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?!白韵露稀奔夹g則是從微觀世界出發(fā),通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起,形成微納結構與器件?;诠饪坦に嚨奈⒓{加工技術主要包含以下過程:掩模(mask)制備、圖形形成及轉移(涂膠、曝光、顯影)、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜(抗蝕膠),曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在(抗蝕膠)薄膜上,光(光子)的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用,形成微細圖形的潛像,再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口,后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。

      光刻是微納加工技術中關鍵的工藝步驟,光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠,再用光線(一般是紫外光、深紫外光、極紫外光)透過光刻板照射在基底表面,被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠, 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝,區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解,并會固化,不會被溶劑洗掉,從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉,負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納制造的加工材料多種多樣。

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    微納加工:干法刻蝕VS濕法刻蝕!刻蝕工藝:用化學或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過程,獲得目標圖形。在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面薄膜反應,形成揮發(fā)性物質,或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點:能實現(xiàn)各向異性刻蝕,從而保證細小圖形轉移后的保真性。缺點:造價高。濕法刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的方法。大多數濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。特點:適應性強,表面均勻性好、對硅片損傷少,幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點:圖形刻蝕保真想過不理想,刻蝕圖形的小線難以掌控。 微納加工中,材料濕法腐蝕是一個常用的工藝方法。天津微納加工技術

我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。深圳光電器件微納加工

    激光微納加工相比納秒激光器、連續(xù)激光器,飛秒激光加工是“冷加工”,其加工過程中幾近不會有熱:傳導。飛秒激光加工優(yōu)勢在于:峰值能量高、加工精度高、對材料幾乎無熱損傷等,其具體加工方式包括:蝕刻、改性、切割、打孔、周雕刻以及集成電路光刻等。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺,面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務,面向國內外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享,為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產品中試提供技術支持。 深圳光電器件微納加工

廣東省科學院半導體研究所屬于電子元器件的高新企業(yè),技術力量雄厚。公司是一家****企業(yè),以誠信務實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍,努力為廣大用戶提供***的產品。公司業(yè)務涵蓋微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,價格合理,品質有保證,深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導體所順應時代發(fā)展和市場需求,通過**技術,力圖保證高規(guī)格高質量的微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務。