太原電子微納加工

      光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納制造的加工材料多種多樣。太原電子微納加工

微納制造可以應用在什么哪些領(lǐng)域？微納制造作為國家新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大關(guān)鍵技術(shù)之一，對國家裝備實力和國民經(jīng)濟技術(shù)的發(fā)展起到重要作用。微納制造技術(shù)的進步，推動著三大前沿科技的發(fā)展：生物技術(shù)、信息技術(shù)、納米技術(shù)。由于微納制造技術(shù)產(chǎn)品有體積小、集成度高、重量輕、智能化程度高等諸多優(yōu)點，在信息科學、生物醫(yī)療、航空航天等領(lǐng)域廣的應用。微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系。四川電子微納加工在我國，微納制造技術(shù)同樣是重點發(fā)展方向之一。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結(jié)合的混合方法，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質(zhì)膜。真空蒸鍍，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早、用途較廣的氣相沉積技術(shù)，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能獨特等優(yōu)點。

    微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā)，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起，形成微納結(jié)構(gòu)與器件?；诠饪坦に嚨奈⒓{加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。 微納制造技術(shù)是指尺度為毫米、微米和納米量級的零件！

    淺談表面功能微納結(jié)構(gòu)及其加工方法：目前可以實現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種。（1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu)，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術(shù)，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發(fā)現(xiàn)，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線，在微納加工領(lǐng)域具有獨特優(yōu)勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術(shù)可以實現(xiàn)納米尺寸結(jié)構(gòu)的加工；（3）自組裝工藝，光刻與自組裝和刻蝕工藝結(jié)合，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔。（4）等離子刻蝕技術(shù)，等離子刻蝕技術(shù)是應用廣的微納米加工手段，加工精度高，是集成電路制造中關(guān)鍵的工藝之一。（5）沉積法，主要包括物相沉積和化學氣相沉積，該方法主要是利用氣相發(fā)生的物理化學過程，在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬，可以用來實現(xiàn)微納米結(jié)構(gòu)涂層的制造。（6）微納增材制造技術(shù)，微納增材制造技術(shù)主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術(shù)，由于微納增材技術(shù)可以不受形狀限制，可多材料協(xié)同制造，具有較大的發(fā)展前景。除以上幾種加工技術(shù)外。 微納加工技術(shù)的特點：微型化！黃石鍍膜微納加工

在微納加工過程中，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。太原電子微納加工

    微納加工基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。
廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。 太原電子微納加工

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