海南新型半導體器件加工流程

刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。從硅圓片制成一個一個的半導體器件，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。海南新型半導體器件加工流程

半導體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。導體電鍍設(shè)備主要分為前道銅互連電鍍設(shè)備和后道先進封裝電鍍設(shè)備。前道銅互連電鍍設(shè)備針對55nn、40nm、28nm及20－14nm以下技術(shù)節(jié)點的前道銅互連鍍銅技術(shù)UltraECPmap，主要作用在晶圓上沉淀一層致密、無孔洞、無縫隙和其他缺陷、分布均勻的銅；后道先進封裝電鍍設(shè)備針對先進封裝電鍍需求進行差異化開發(fā)，適用于大電流高速電鍍應(yīng)用，并采用模塊化設(shè)計便于維護和控制，減少設(shè)備維護保養(yǎng)時間，提高設(shè)備使用率。海南新型半導體器件加工流程光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟。

氮化鎵是一種相對較新的寬帶隙半導體材料，具有更好的開關(guān)性能；特別是與現(xiàn)有的硅器件相比，具有更低的輸入和輸出電容以及零反向恢復電荷，可明顯降低功耗。氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉(zhuǎn)換。半導體器件的半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。半導體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到普遍的應(yīng)用。單晶拋光硅片加工流程：切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分。

從硅圓片制成一個一個的半導體器件，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。前道工藝的目的是“在硅圓片上制作出IC電路”，其中包括300～400道工序。按其工藝性質(zhì)可分為下述幾大類：形成各種薄膜材料的“成膜工藝”；在薄膜上形成圖案并刻蝕，加工成確定形狀的“光刻工藝”；在硅中摻雜微量導電性雜質(zhì)的“雜質(zhì)摻雜工藝”等。前道工藝與后道工藝的分界線是劃片、裂片。后道工藝包括切分硅圓片成芯片，把合格的芯片固定（mount）在引線框架的中心島上，將芯片上的電極與引線框架上的電極用細金絲鍵合連接（bonding）。為了確保良好的導電性，金屬會在450℃熱處理后與晶圓表面緊密熔合。海南新型半導體器件加工流程

蝕刻技術(shù)把對光的應(yīng)用推向了極限。海南新型半導體器件加工流程

單晶硅，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機械性強之外，還在于通過利用只可用于單晶的晶體取向的各向異性烯酸，精密地加工出微細的立體形狀。以各向異性烯酸為契機的半導體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細的機械結(jié)構(gòu)體，進而機械地驅(qū)動該結(jié)構(gòu)體，在20世紀70年代后半期的Stanford大學，IBM公司等的研究中，這些技術(shù)的總稱被使用為微機械。在本稿中，關(guān)于在微機械中占據(jù)重要位置的各向異性烯酸技術(shù)，在敘述其研究動向和加工例子的同時，還談到了未來微機械的發(fā)展方向。海南新型半導體器件加工流程