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智能排產(chǎn)功能在MES管理系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用
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新誠物業(yè)&芯軟智控:一封表揚信,一面錦旗,是對芯軟智控的滿分
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真空鍍膜:真空涂層技術(shù)發(fā)展到了現(xiàn)在還出現(xiàn)了PCVD(物理化學(xué)氣相沉積)、MT-CVD(中溫化學(xué)氣相沉積)等新技術(shù),各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,容易操作。多弧鍍的不足之處是,在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下,當(dāng)涂層厚度達到0。3um時,沉積率與反射率接近,成膜變得非常困難。而且,薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個不足之處是,由于金屬是熔后蒸發(fā),因此沉積顆粒較大,致密度低,耐磨性比磁控濺射法成膜差??梢姡嗷″兡づc磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣,為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性,實現(xiàn)互補,將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層機應(yīng)運而生。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底,然后利用磁控濺射法增厚涂層,較后再利用多弧鍍達到較終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法。在建筑和汽車玻璃上使用真空電鍍設(shè)備技術(shù),鍍涂一層TiO2就能使其變成防霧、防露和自清潔玻璃。EB真空鍍膜加工
真空鍍膜的方法:濺射鍍膜:在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能,使得使用領(lǐng)域更加普遍;而鎂作為硬組織植入材料,在近年來投入臨床使用,當(dāng)在鎂表面鍍制一層鈦金屬薄膜,不僅加強了材料的耐蝕性,而且鈦生物體相容性好,比重小、毒性低、更易為人體所接受;在云母、硅片、玻璃等材料上鍍上鈦金屬薄膜,研究其對電磁波的反射、吸收、透射作用,對于高效太陽能吸收、電磁輻射、噪音屏蔽吸收和凈化等領(lǐng)域具有重要意義。除此之外,磁控濺射作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長困難及不適用的鈦薄膜沉積,可以獲得大面積非常均勻的薄膜。包括歐姆接觸Ti金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴散勢壘層的TiN、TiO2等介質(zhì)薄膜沉積。在現(xiàn)代機械加工工業(yè)中,濺鍍包括Ti金屬、TiAl6V4合金、TiN、TiAlN、TiC、TiCN、TiAlOX、TiB2、等超硬材料,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命,應(yīng)用越來越普遍。江蘇反射濺射真空鍍膜真空濺鍍可根據(jù)基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。
真空鍍膜:等離子體鍍膜:每個弧斑存在極短時間,爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點處的鍍料,蒸發(fā)離化后的金屬離子,在陰極表面也會產(chǎn)生新的弧斑,許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失,所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設(shè)計的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源,是在陰極背后配置磁場,使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應(yīng)效應(yīng),有利于離子增大能量轟擊量體,采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜,離化率較高,所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產(chǎn)生多弧斑,所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程。
磁控濺射技術(shù)比蒸發(fā)技術(shù)的粒子能量更高,膜基結(jié)合力更好,“磁控濺射離子鍍膜技術(shù)”就是在普通磁控濺射技術(shù)的基礎(chǔ)上,在被鍍工件表面加偏壓,金屬離子在偏壓電場的作用力下,沉積在工件表面,膜層質(zhì)量和膜基結(jié)合力又遠遠好于普通的磁控濺射鍍膜技術(shù)。根據(jù)靶材的形狀,磁控濺射靶可分為圓形磁控濺射靶、平面磁控濺射靶和柱狀磁控濺射靶。圓形靶主要用于科研和少量的工業(yè)應(yīng)用,平面靶和柱狀靶在工業(yè)上大量使用,特別是柱狀靶,憑借超高的靶材利用率和穩(wěn)定的工作狀態(tài),越來越多的被使用。真空鍍膜在所有被鍍材料中,以塑料較為常見。
等離子體化學(xué)氣相沉積法,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行。優(yōu)點是:反應(yīng)溫度降低,沉積速率較快,成膜質(zhì)量好,不容易破裂。缺點是:設(shè)備投資大、對氣管有特殊要求。PECVD,等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,使局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng),在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),因此,這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積。真空濺射鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。深圳真空鍍膜
真空鍍膜機的優(yōu)點:具有較佳的金屬光澤,光反射率可達97%。EB真空鍍膜加工
電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā).大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區(qū)域外以避免污染)并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點.使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導(dǎo)向蒸發(fā)材料(放置在坩堝中).在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中,其動能轉(zhuǎn)化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數(shù)百萬瓦以上).因此,容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化.電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)的區(qū)別在于:電子束蒸發(fā)是用一束電子轟擊物體,產(chǎn)生高能量進行蒸發(fā), 熱蒸發(fā)通過加熱完成這一過程.與熱蒸發(fā)相比,電子束蒸發(fā)提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的.在這種情況下,帶有厚度監(jiān)控器的良好熱蒸發(fā)器將更合適。EB真空鍍膜加工