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智能排產(chǎn)功能在MES管理系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用
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真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運,在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。福建貴金屬真空鍍膜公司
磁控濺射技術(shù)比蒸發(fā)技術(shù)的粒子能量更高,膜基結(jié)合力更好,“磁控濺射離子鍍膜技術(shù)”就是在普通磁控濺射技術(shù)的基礎(chǔ)上,在被鍍工件表面加偏壓,金屬離子在偏壓電場的作用力下,沉積在工件表面,膜層質(zhì)量和膜基結(jié)合力又遠遠好于普通的磁控濺射鍍膜技術(shù)。根據(jù)靶材的形狀,磁控濺射靶可分為圓形磁控濺射靶、平面磁控濺射靶和柱狀磁控濺射靶。圓形靶主要用于科研和少量的工業(yè)應(yīng)用,平面靶和柱狀靶在工業(yè)上大量使用,特別是柱狀靶,憑借超高的靶材利用率和穩(wěn)定的工作狀態(tài),越來越多的被使用。北京反射濺射真空鍍膜平臺在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點。
電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W)、鉬(Mo)等高熔點材料,跟常規(guī)金屬蒸鍍,蒸鍍方式需有所蓋上。根據(jù)之前的鍍膜經(jīng)驗,需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中,因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快,材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證,蒸發(fā)高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍,如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,材料只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱,減緩散熱速率,有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。
磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據(jù)靶材的性質(zhì)來選擇使用不同的靶電源進行濺射,靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導(dǎo)電性較差的氧化物、陶瓷等介質(zhì)膜的濺射,也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導(dǎo)電性較好的金屬材料,而直流脈沖靶介于二者之間,可濺射硅、鍺等半導(dǎo)體材料。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā),但薄膜質(zhì)量,表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料,使用范圍廣,電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍,且高熔點金屬,如W,Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物,陶瓷材料的鍍膜,電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料。真空鍍膜中等離子體增強化學(xué)氣相沉積可在較低溫度下形成固體膜。福建貴金屬真空鍍膜公司
真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果。福建貴金屬真空鍍膜公司
真空鍍膜:在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀30年代,四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜,故也稱真空金屬化。福建貴金屬真空鍍膜公司