淄博MTDC750晶閘管智能模塊

晶閘管智能模塊的選擇

晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關(guān)鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大），必須考慮加熱絲整個工作狀態(tài)的比較大電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。淄博MTDC750晶閘管智能模塊

    并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點。聊城MTDC500晶閘管智能模塊哪家好正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。

    而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調(diào)兩表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開），表針應向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點。

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e（）為底的對數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。公司實力雄厚，產(chǎn)品質(zhì)量可靠。

晶閘管模塊使用注意事項

科學合理的選型和適當?shù)木S護可有效延長產(chǎn)品的使用壽命，用戶可參考以下標準進行產(chǎn)品的維護和保養(yǎng)：

（1）初次使用該產(chǎn)品的用戶一定要熟讀說明書，了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法；

（2）在產(chǎn)品選型時根據(jù)使用條件按標準要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。

（3）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（4）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體；

（5）模塊不能當作隔離開關(guān)使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開關(guān)；

（6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導致次生熱量產(chǎn)生，且會降低通過的電流量。初次使用應在工作一段時間后（建議8小時之內(nèi)）再把同模塊連接的所有螺釘緊固一遍；

（7）模塊基板底部的導熱硅脂建議三至四個月更換一次，或采用導熱墊，可有效延長產(chǎn)品使用壽命。

（8）電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定或電流變化大的場所一定要在產(chǎn)品輸入端安裝快速熔斷器或加裝穩(wěn)流穩(wěn)壓板。 正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。山東MTAC260晶閘管智能模塊哪家好

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晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別：

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于5V～9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應2V～8V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于3.5V～8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對應1.5V～9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對應0.5V～5V；整流充電時，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對應5V～9.5V。

注：交流調(diào)壓模塊用于感性負載時α應大于負載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當α≤Ψ時，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。 淄博MTDC750晶閘管智能模塊

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