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    當(dāng)C5上的電壓上升到氛管的導(dǎo)通電壓時(shí)，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導(dǎo)通。另一種是用兩個(gè)NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯(cuò)。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結(jié)晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點(diǎn)是不論給它的控制極加上正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖都能使它導(dǎo)通，所以，單結(jié)晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復(fù)雜。由于單結(jié)晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應(yīng)用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯形波電壓，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢？一定要用梯形波電壓，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發(fā)脈沖與交流電源同步。經(jīng)過全波整流、穩(wěn)壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時(shí)經(jīng)過零值，同時(shí)上升，同時(shí)下降。這樣，當(dāng)晶閘管上承受的主電壓過零時(shí)。正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù)。濟(jì)南MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e（）為底的對數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。濟(jì)南MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家正高電氣傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。

    并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。

    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。正高電氣技術(shù)力量雄厚，工裝設(shè)備和檢測儀器齊備，檢驗(yàn)與實(shí)驗(yàn)手段完善。

    逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài)，開始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號反復(fù)作掃頻動作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)后，仍然起動不起來。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量，計(jì)算出槽路的諧振頻率，當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關(guān)均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時(shí)中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當(dāng)增大逆變換相引前角），此步整定的是**小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當(dāng)然，過小的逆變換相此前角會使逆變換相失敗，表現(xiàn)為中頻電壓升高時(shí)，會出現(xiàn)重復(fù)起動。再把DIP-2開關(guān)打在ON位置，調(diào)節(jié)主控板上W3微調(diào)電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據(jù)不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時(shí)。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。聊城MTAC350晶閘管智能模塊組件

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    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級。對于電動機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發(fā)軟起動行業(yè)的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優(yōu)于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動難以望其項(xiàng)背的。濟(jì)南MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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