西藏高壓可控硅模塊配件

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-04

接下來需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng),黑表筆在不脫開陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明該單向可控硅已擊穿損壞。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。西藏高壓可控硅模塊配件

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實(shí)際上,可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測(cè)量,因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,知道了殼溫也就知道了結(jié)溫,而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的,由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測(cè)量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置)。從溫控天關(guān)測(cè)量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路,分別控制風(fēng)機(jī)的開啟或主回路的通斷(停機(jī)),就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是,溫控開關(guān)測(cè)量到的溫度是模塊底板表面的溫度,易受環(huán)境、空氣對(duì)流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),因此其實(shí)際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實(shí)際情況和經(jīng)驗(yàn)決定控制的溫度。 德州高壓可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。

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可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識(shí)中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下。


可控硅模塊的工作條件:

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門級(jí)承受哪種電壓,可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài)。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí),可控硅*在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。

單向可控硅模塊有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。

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可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用,并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護(hù)功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào),經(jīng)過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤(rùn)調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。

電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號(hào)選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對(duì)比常用的操控辦法。

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可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等?,F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極:首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。西藏高壓可控硅模塊配件

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