聊城晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時間:2021-11-02

晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正,若com端為負(fù)極,極性相反,則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性,即控制電壓越高,模塊強(qiáng)電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式,若2種以上方式同時輸入使用,則輸入信號較強(qiáng)的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進(jìn)下出,三相交流電路的進(jìn)線R、S、T無相序要求,導(dǎo)線粗細(xì)按實(shí)際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用,用1平方細(xì)導(dǎo)線即可,N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設(shè)計(jì)。

6、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象,應(yīng)首先檢查負(fù)載有無短路等故障。可在模塊的進(jìn)線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進(jìn)行過流保護(hù),規(guī)格可按實(shí)際負(fù)載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應(yīng)與散熱器配合使用,在機(jī)柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風(fēng)扇強(qiáng)制散熱。 正高電氣為客戶服務(wù),要做到更好。聊城晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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    具體的電路原理圖如下所示:太陽能光控定時節(jié)能照明電路電路原理簡述:白天有太陽時,太陽能電池板輸出的電壓通過二極管VD1給蓄電池充電,儲備電能以供電路夜間工作。RL光敏電阻在白天的阻值呈低阻狀態(tài),NE555的2、6腳輸入電壓大于(2/3),其3腳輸出低電平,使CD4069和三極管VT1無電壓不工作,繼電器J不動作,節(jié)能燈驅(qū)動電路無電壓。夜間,光敏電阻RL呈高阻值,使NE555輸入瑞電壓小于(1/3),3腳翻轉(zhuǎn)為高電平,CD4069及VT1(3CG21)得電進(jìn)入工作狀態(tài)。CD4069是一片帶振蕩器的14位二進(jìn)制串行計(jì)數(shù)/分頻集成電路,C4、R3,R5與CD4069內(nèi)部電路構(gòu)成的振蕩電路產(chǎn)生一正尖脈沖,使CD4069自動清零,計(jì)數(shù)開始,此時CD4069的3腳輸出低電平使三極管VT1獲得偏流而導(dǎo)通,繼電器J吸合接通節(jié)能燈驅(qū)動電路的電源,節(jié)能燈點(diǎn)亮。經(jīng)過一段時間后,CD4069的3腳眺變?yōu)楦唠娖?,VT1(3CG21)失去偏流而截止,節(jié)能燈驅(qū)動電路斷電,節(jié)能燈熄滅。與此同時,CD4069的3腳輸出高電平經(jīng)隔離二極管VD2加至脈沖輸入端11腳,使該腳恒定為高電平而振蕩停止,電路狀態(tài)一直保持到天亮CD4069斷電為止。接于NE555時基電路6腳的R1、C1組成抗光干擾延時電路,以防止夜晚瞬間光照。山東MTDC250晶閘管智能模塊批發(fā)正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,逐年立項(xiàng)對制造、檢測、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結(jié),這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。

晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能。 晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片、高級芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。 晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。 5 (5)晶閘管智能模塊采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。 晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電.絕緣強(qiáng)度≥2500V (RMS),保證人身安全。晶閘管智能調(diào)壓器又稱之為可控硅整流元件,它是由三個P內(nèi)結(jié)構(gòu)組合而成的一種大功率半導(dǎo)體器件。從性能上來說,晶閘管智能調(diào)壓器具有單向?qū)щ娦院涂煽匦詢煞N優(yōu)勢,但它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。正高電氣受行業(yè)客戶的好評,值得信賴。

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晶閘管模塊使用注意事項(xiàng)

科學(xué)合理的選型和適當(dāng)?shù)木S護(hù)可有效延長產(chǎn)品的使用壽命,用戶可參考以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品的維護(hù)和保養(yǎng):

(1)初次使用該產(chǎn)品的用戶一定要熟讀說明書,了解產(chǎn)品的基本情況和使用方法;

(2)在產(chǎn)品選型時根據(jù)使用條件按標(biāo)準(zhǔn)要留出足夠的電流余量,并保證足夠的散熱條件。

(3)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃;

(4)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體;

(5)模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用,為保證安全,模塊前面需加空氣開關(guān);

(6)模塊各緊固螺釘一定要擰緊,避免因接觸不良導(dǎo)致次生熱量產(chǎn)生,且會降低通過的電流量。初次使用應(yīng)在工作一段時間后(建議8小時之內(nèi))再把同模塊連接的所有螺釘緊固一遍;

(7)模塊基板底部的導(dǎo)熱硅脂建議三至四個月更換一次,或采用導(dǎo)熱墊,可有效延長產(chǎn)品使用壽命。

(8)電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定或電流變化大的場所一定要在產(chǎn)品輸入端安裝快速熔斷器或加裝穩(wěn)流穩(wěn)壓板。 正高電氣始終以適應(yīng)和促進(jìn)工業(yè)發(fā)展為宗旨。聊城晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。聊城晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。目前,GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值。聊城晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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