四川半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)

SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個方面：1、精度：先進封裝對于精度的要求非常高，因為封裝中的芯片和其他器件的尺寸越來越小，而封裝密度卻越來越大。因此，固晶設(shè)備需要具備高精度的定位和控制能力，以確保每個芯片都能準(zhǔn)確地放置在預(yù)定的位置上。2、速度：先進封裝的生產(chǎn)效率對于封裝成本和產(chǎn)品競爭力有著重要影響。因此，固晶設(shè)備需要具備高速度的生產(chǎn)能力，以提高生產(chǎn)效率并降低成本。3、良品率：先進封裝的制造過程中，任何一個環(huán)節(jié)的失誤都可能導(dǎo)致整個封裝的失敗。因此，固晶設(shè)備需要具備高良品率的生產(chǎn)能力，以確保封裝的質(zhì)量和可靠性。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。四川半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)

無引線縫合（Wireless Bonding）：1、定義，不使用金線連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類；3、TAB，① 工藝流程，使用熱棒工具，將劃片后的芯片Al焊盤（通過電鍍工藝形成Au凸點）與TAB引腳（在聚酰亞胺膠帶開頭處放置的Cu引腳上鍍金而成）進行熱黏合，使其鍵合到一起。② 特色，TAB引線有規(guī)則地排列在聚酰亞胺帶上，以卷軸的形式存放。4、FCB，F(xiàn)CB工藝流程：① 在芯片電極上形成金球凸點；② 將芯片翻轉(zhuǎn)朝下，與高性能LSI專門使用的多層布線封裝基板的電極對齊，然后加熱連接；③ 注入樹脂以填滿芯片與封裝基板之間的間隙（底部填充）；④ 在芯片背面貼上散熱片，在封裝基板外部引腳掛上錫球。四川IPM封裝測試SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。

SIP優(yōu)點：1、高生產(chǎn)效率，通過SIP里整合分離被動元件，降低不良率，從而提高整體產(chǎn)品的成品率。模組采用高階的IC封裝工藝，減少系統(tǒng)故障率。2、簡化系統(tǒng)設(shè)計，SIP將復(fù)雜的電路融入模組中，降低PCB電路設(shè)計的復(fù)雜性。SIP模組提供快速更換功能，讓系統(tǒng)設(shè)計人員輕易加入所需功能。3、成本低，SIP模組價格雖比單個零件昂貴，然而PCB空間縮小，低故障率、低測試成本及簡化系統(tǒng)設(shè)計，使總體成本減少。4、簡化系統(tǒng)測試，SIP模組出貨前已經(jīng)過測試，減少整機系統(tǒng)測試時間。

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進行互連。SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統(tǒng)級芯片)是將原本不同功能的IC，整合到一顆芯片中。

通信SiP 在無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。在無線通訊領(lǐng)域，對于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來越高，迫使無線通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP 是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間，同時克服了 SOC 中諸如工藝兼容、信號混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)等功能，完整地在 SiP 中得到了解決。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。四川半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)

SiP系統(tǒng)級封裝技術(shù)將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。四川半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設(shè)有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設(shè)有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。四川半導(dǎo)體芯片封裝供應(yīng)