陜西IPM封裝定制

來源: 發(fā)布時間:2024-05-13

SMT制程在SIP工藝流程中的三部分都有應(yīng)用:1st SMT PCB貼片 + 3rd SMT FPC貼鎳片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效機理,主要失效模式:(1) 焊接異常:IC引腳錫渣、精密電阻連錫。? 原因分析:底部UF (Underfill底部填充)膠填充不佳,導(dǎo)致錫進入IC引腳或器件焊盤間空洞造成短路。(2) 機械應(yīng)力損傷:MOS芯片、電容裂紋。? 原因分析:(1) SiP注塑后固化過程產(chǎn)生的應(yīng)力;(2)設(shè)備/治具產(chǎn)生的應(yīng)力。(3) 過電應(yīng)力損傷:MOS、電容等器件EOS損傷。? 原因分析:PCM SiP上的器件受電應(yīng)力損傷(ESD、測試設(shè)備浪涌等)。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。陜西IPM封裝定制

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包裝,主要目的是保證運輸過程中的產(chǎn)品安全,及長期存放時的產(chǎn)品可靠性。對包裝材料的強度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。主要材料有Tray盤,抗靜電袋,干燥劑、濕度卡,紙箱等。包裝完畢后,直接入庫或按照要求裝箱后直接發(fā)貨給客戶。倒裝焊封裝工藝工序介紹,焊盤再分布,為了增加引線間距并滿足倒裝焊工藝的要求,需要對芯片的引線進行再分布。制作凸點,焊盤再分布完成之后,需要在芯片上的焊盤添加凸點,焊料凸點制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印盡4法。目前仍以電鍍法較為普遍,其次是焊膏印刷法。陜西IPM封裝定制SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關(guān)鍵載體。

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系統(tǒng)級封裝的優(yōu)勢,SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于,SoC 將所需的每個組件集成到同一芯片上,而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個或多個芯片載波封裝中。例如,SoC將CPU,GPU,內(nèi)存接口,HDD和USB連接,RAM / ROM和/或其控制器集成到單個芯片上,然后將其封裝到單個芯片中。相比之下,等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點(CMOS,SiGe,功率器件)的單獨芯片,將它們連接并組合成單個封裝到單個基板(PCB)上??紤]到這一點,很容易看出,與類似的SoC相比,SiP的集成度較低,因此SiP的采用速度很慢。然而,較近,2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個主要因素推動了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢:

2.5D SIP,2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度,因為其集成密度超越了2D,但又達不到3D集成密度,取其折中,因此被稱為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進封裝領(lǐng)域,2.5D是特指采用了中介層(interposer)的集成方式,中介層目前多采用硅材料,利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無源器件均在XY平面上方,至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上,在XY平面的上方有中介層的布線和過孔,在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接:中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講,中介層可以有TSV也可以沒有TSV,但在進行高密度互連時,TSV幾乎是不可或缺的,中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù),把各種集成電路器件集成到一個封裝體內(nèi),實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能。

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系統(tǒng)級封裝的簡短歷史,在1980年代,SiP以多芯片模塊的形式提供。它們不是簡單的將芯片放在印刷電路板上,而是通過將芯片組合到單個封裝中來降低成本和縮短電信號需要傳輸?shù)木嚯x,通過引線鍵合進行連接的。半導(dǎo)體開發(fā)和發(fā)展的主要驅(qū)動力是集成。從SSI(小規(guī)模集成 - 單個芯片上的幾個晶體管)開始,該行業(yè)已經(jīng)轉(zhuǎn)向MSI(中等規(guī)模集成 - 單個芯片上數(shù)百個晶體管),LSI(大規(guī)模集成 - 單個芯片上數(shù)萬個晶體管),ULSI(超大規(guī)模集成 - 單個芯片上超過一百萬個晶體管),VLSI(超大規(guī)模集成 - 單個芯片上數(shù)十億個晶體管),然后是WSI(晶圓級集成 - 整體)晶圓成為單個超級芯片)。所有這些都是物理集成指標(biāo),沒有考慮所需的功能集成。因此,出現(xiàn)了幾個術(shù)語來填補空白,例如ASIC(專門使用集成電路)和SoC(片上系統(tǒng)),它們將重點轉(zhuǎn)移到更多的系統(tǒng)集成上。SiP技術(shù)是一項先進的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù),與其它封裝技術(shù)相比較,SiP技術(shù)具有一系列獨特的技術(shù)優(yōu)勢。廣西BGA封裝服務(wù)商

SiP系統(tǒng)級封裝為設(shè)備提供了更高的性能和更低的能耗,使電子產(chǎn)品在緊湊設(shè)計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能。陜西IPM封裝定制

系統(tǒng)集成封裝(System in Package)可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中,以實現(xiàn)更高的性能,功能和處理速度,同時大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義,SiP封裝(System In Package系統(tǒng)級封裝)是將多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi),從而實現(xiàn)一個基本完整的功能,與SOC(System On Chip系統(tǒng)級芯片)相對應(yīng)。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進行并排或疊構(gòu)后組成功能系統(tǒng)后進行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進行封裝。陜西IPM封裝定制